SiCエピタキシー市場規模:2025年から2032年までの予測5.6%成長を伴うグローバル収益、販売量、市場シェア、製造コスト

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July 10, 25

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SiC Epitaxy 市場調査レポート(対象期間:2025 から 2032)

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SiC Epitaxy 市場のアプリケーション:
• パワーコンポーネント
• RF デバイス
• その他

SiC Epitaxy 市場の製品タイプ:
• 12ミクロン以下の厚さ
• 30μmを超える厚さ

SiC Epitaxy 市場の主要プレーヤー:
• II-VI Advanced Materials
• Norstel
• Cree
• ROHM
• Mitsubishi Electric Corporation
• Infineon
• EpiWorld
• TIANYU SEMICONDUCTOR Technology
• NipponStee&Sumitomo Metall
• Episil-Precision
• Showa Denko
• Dow

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1.

エピタキシー市場規模:2025年から2032年 までの予測5.6%成長を伴うグローバル収益、販 売量、市場シェア、製造コスト SiC エピタキシー 市場”は、コスト管理と効率向上を優先します。 さらに、報告書は市場の需 要面と供給面の両方をカバーしています。 SiCエピタキシー 市場は 2025 から 5.6% に年率で成 長すると予想されています2032 です。 このレポート全体は 115 ページです。 SiCエピタキシー 市場分析です シリコンカーバイド(SiC)エピタキシー市場は、半導体産業において急速に成長している分野 です。SiCエピタキシーは、高効率かつ高温耐性のデバイス製造に必須の技術であり、自動車、 通信、エネルギー管理などの分野での需要が拡大しています。市場の成長を促進する主な要因 には、電気自動車(EV)および再生可能エネルギーの普及が含まれます。主要企業には、II-VI “SiC

2.

、 、 、ROHM、三菱電機、インフィニオン、EpiWorld、TIANYU 、日立金属、エピシル・プレシジョン、昭和電工、ダウがあり、それぞれが 独自の技術と市場戦略を展開しています。報告書の主な発見には、競争力を維持するために研 究開発の強化とパートナーシップの推進が求められることが挙げられ、戦略的投資や市場ニー ズへの迅速な対応が推奨されています。 レポートのサンプル PDF を入手しま す。 https://www.reliableresearchreports.com/enquiry/request-sample/1560863 **SiCエピタキシー市場の展望** SiCエピタキシー市場は、厚さ12μm未満および30μm以上のセグメントで構成され、パワーコン ポーネント、RFデバイス、その他の応用分野に焦点を当てています。特に、半導体業界におけ るSiCの需要が高まり、エネルギー効率の向上が求められる中、パワーコンポーネントの需要が 急増しています。一方、RFデバイス向けの高品質なエピタキシャル素材も求められています。 市場の規制と法的要因に関しては、環境規制や廃棄物管理が重要なポイントです。SiC材料は高 い耐熱性を持ちながらも、製造プロセスにおいて有害物質を含むことがあるため、厳格な規制 が適用されます。また、製品の品質や安全性を確保するための標準化も進んでおり、これによ り市場に参入する企業は、法を遵守しつつ競争力を維持する必要があります。SiCエピタキシー 市場は、持続可能な成長を遂げるために、これらの要因への適応が重要です。 グローバル市場を支配するトップの注目企業 SiCエピタキシー SiCエピタキシー市場は、高性能な半導体材料の需要増加に伴い急速に成長しています。この市 場には、数多くの企業が参入しており、競争環境は激化しています。II-VI Advanced Materials、 Norstel、Cree、ROHM、三菱電機、インフィニオン、EpiWorld、TIANYU SEMICONDUCTOR Technology、日興ステンレス、住友金属、Episil-Precision、昭和電工、ダウなどが主要なプレイ ヤーです。 これらの企業は、SiCエピタキシー技術を用いて高効率なパワー半導体デバイスや高周波デバイ スを製造しています。例えば、CreeはSiC基板とモジュールの市場で強力なポジションを占めて おり、電気自動車や再生可能エネルギーシステム向けに高性能ソリューションを提供していま す。ROHMや三菱電機は、エネルギー効率の向上を図ったSiC製品を開発しており、産業機器や サーバー市場での需要を満たしています。 インフィニオンや昭和電工もSiC技術に投資し、新製品の開発を推進しています。これにより、 SiCエピタキシー市場の成長を後押ししています。これらの企業は、研究開発や新規製品の投入 を通じて市場の拡大に寄与しています。 セールス収益に関しては、Creeは2022年度に約40億ドルを超える売上を記録し、ROHMは2022 年度の売上高が約3千億円に達しました。これらの数字は、SiCエピタキシー市場の発展に対す る企業の影響力を示しています。 Advanced Materials Norstel Cree SEMICONDUCTOR II-VI Advanced Materials Norstel Cree

3.

ROHM Mitsubishi Electric Corporation Infineon EpiWorld TIANYU SEMICONDUCTOR Technology NipponStee&Sumitomo Metall Episil-Precision Showa Denko Dow このレポートを購入します (価格 2900 USD (シングルユーザーライセンスの場 合): https://www.reliableresearchreports.com/purchase/1560863 SiCエピタキシー セグメント分析です SiCエピタキシー 市場、アプリケーション別: パワーコンポーネント RF デバイス その他 SiCエピタキシーは、パワーコンポーネント、RFデバイス、その他の用途に広く利用されてい ます。パワーコンポーネントでは、高効率と高温動作が求められ、SiC基板が必要です。RFデバ イスでは、高周波性と低損失特性が活かされ、通信インフラで使用されます。また、車載電源 やLED照明などの多様な用途にも拡大しています。収益面で最も成長しているセグメントは、 電気自動車(EV)向けのパワーコンポーネントです。これは、環境規制の強化とともに需要が 急増しているためです。 このレポートを購入する前に、質問がある場合はお問い合わせまたは共有します https://www.reliableresearchreports.com/enquiry/pre-order-enquiry/1560863 エピタキシー 市場、タイプ別: 12ミクロン以下の厚さ 30μmを超える厚さ SiCエピタキシーは、厚さ12μm以下と30μm以上の2種類に分かれます。12μm以下のエピタキシ ーは、パワーデバイスやRFデバイスの製造に適しており、高い信号伝送効率を実現します。一 方、30μm以上のエピタキシーは、より高性能な高電圧デバイスや高温環境向けに最適です。こ れらの技術の進展は、電気自動車や再生可能エネルギー市場の成長を促進し、SiCエピタキシー の需要を増大させています。 地域分析は次のとおりです: SiC North America: United States Canada Europe:

4.

Germany France U.K. Italy Russia Asia-Pacific: China Japan South Korea India Australia China Taiwan Indonesia Thailand Malaysia Latin America: Mexico Brazil Argentina Korea Colombia Middle East & Africa: Turkey Saudi Arabia UAE Korea エピタキシー市場は、北米、ヨーロッパ、アジア太平洋、ラテンアメリカ、中東・アフリカ での成長が見込まれます。北米は主に米国の技術革新によって市場をリードし、約35%の市場 シェアを占めると予測されています。ヨーロッパではドイツと英国が重要な役割を果たし、約 25%のシェアを持つと見られます。アジア太平洋地域は中国と日本の需要により成長し、約30% の市場シェアが期待されます。ラテンアメリカと中東・アフリカはそれぞれ約5%のシェアを占 めると推定されています。 レポートのサンプル PDF を入手しま す。 https://www.reliableresearchreports.com/enquiry/request-sample/1560863 弊社からのさらなるレポートをご覧ください: SiC Check more reports on https://www.reliableresearchreports.com/