--- title: APOLLO_v9_KIOXIA_report_ppt tags: author: [Rihito Shibayama](https://www.docswell.com/user/shibayamalicht) site: [Docswell](https://www.docswell.com/) thumbnail: https://bcdn.docswell.com/page/8JDK41D3EG.jpg?width=480 description: APOLLO_v9のデモです published: June 28, 26 canonical: https://www.docswell.com/s/shibayamalicht/KX22GR-2026-06-28-121206 --- # Page. 1 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/8JDK41D3EG.jpg) APOLLO キオクシア特許ポートフォリオ分析 特許7,789件にみる技術開発動向と注⼒領域（1997-2025年） キオクシアの開発動向と現在の注⼒領域を、⾃社特許ポートフォリオの構造から分析 2026年6⽉ # Page. 2 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/VEPKMQXP78.jpg) 3D NANDを中核に体系化、注⼒は記憶素⼦からメモリシステムへ拡張 ■ 本⺟集団7,789件の73.3%が3D NAND本体‧製造‧制御に集中。現在の注⼒はAI向けメモリシステムへ移⾏し、次 世代メモリ‧信頼性への備えも進⾏する。 対象特許 上位3領域への集中 最⼤クラスタ 3D積層メモリ 7,789 73.3 2,610 件 % 件 技術クラスタ（ノイズ率4.35%） 権利継続（拒絶率3.9%） 3D NAND市場 年平均成⻑ 12 1,958 約24 up 件 % （出所）本分析の特許データセット（⽇本語公報7,789件‧1997-2025年） APOLLO |1 # Page. 3 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/27VV95LV7Q.jpg) EXECUTIVE SUMMARY / 重⼼移動 当社の価値提案は「記憶素⼦」から「メモリシステム」へ移⾏している ■ 本⺟集団では、注⼒が記憶素⼦の製造‧⼤容量化から、AI向けデータ処理を担うメモリシステムへ拡張している。 PAST ‧ これまでの主役 PRESENT ‧ 現在の重点 記憶素⼦（3D NAND本体） メモリシステム‧データ処理 メモリセルの微細化‧積層による容量‧コスト競争。語 コントローラ⾼度化‧AI活⽤（新興クラスタ[5]情報処 彙では「不揮発性半導体記憶装置」が中⼼で、直近は0.7 理‧[8]アドレス変換、計148件）。語彙では「メモリデ 減と退潮。主戦場は[3]三次元積層メモリ（2,610件）‧ バイス」が直近2.6倍に急増。誤り訂正‧セキュリティも [1]半導体製造（2,009件）。 台頭。 記憶素⼦の容量競争に加え、データを近傍で処理するソリューションで付加価値を⾼める段階へ。3D NAND市場の⾼成⻑（CAGR約 24%）とAIデータセンター需要がこの転換を後押しする。 （出所）本分析の特許データセット（⽇本語公報7,789件‧1997-2025年） APOLLO |2 # Page. 4 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/5JGLZ6X17L.jpg) ⽬次 APOLLO 1. 分析の前提と出願動向（ATLAS） 05 2. 技術ポートフォリオの全体像（Saturn V） 09 3. 技術テーマの動態（MEGA） 17 4. 技術体系と語彙の新陳代謝（Explorer） 21 5. 技術課題と権利の質（CORE / ATLAS） 26 6. 外部環境（市場‧政策） 30 7. 統合‧仮説検証‧戦略提⾔ 34 |3 # Page. 5 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/47QYL48NEP.jpg) 01 分析の前提と出願動向 2015年の3D NAND量産化で出願が急増、2017年に名義が東芝からキオクシアへ完全移⾏した。 # Page. 6 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/KE4WDQ23J1.jpg) ATLAS / 基本統計 出願は2015年に急増し2021年656件でピーク、直近の減少は公開遅延による ■ 本⺟集団の出願は2015年に412件へ急増（前年の2.3倍）、2017年524件‧2018年627件を経て2021年656件でピー クに達した。 ■ 2008-2014年は年180-274件で停滞 — 平⾯NANDの微 細化が物理限界に近づいた転換期 ■ 2015年に412件へ急増（前年⽐2.3倍）— 3D NAND （BiCS）の量産化が出願を構造的に押し上げた ■ 2017-2021年は年600件超の⾼⽔準 — 東芝メモリ分社 後の量産投資拡⼤期と⼀致 ■ 2023年以降の減少は特許公開の遅延（出願から約1.5 年）による⾒かけ上のもので、技術の衰退ではない ■ 権利状況は権利継続1,958件（25.1%）‧取下げ3,278 件（42.1%）‧拒絶わずか3.9% 出願件数の推移とステータス内訳（1997-2025年） （出所）本分析の特許データセット（⽇本語公報7,789件‧1997-2025年） APOLLO |4 # Page. 7 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/L71YZPMZJG.jpg) 実態はキオクシア＋東芝の単⼀グループ。東芝名義は2017年分社前の承継分 ■ 「権利者キオクシア」で抽出した本⺟集団は、キオクシア単独60.8%＋東芝29.8%＋関連会社で構成される実質単 ⼀グループである。 出願名義 件数 シェア 位置づけ キオクシア（単独） 4,739件 60.8% 2017年分社後の主体 東芝（単独） 2,320件 29.8% 分社前に出願し権利承 継 キオクシアシステムズ ＋東芝 107件 1.4% グループ内共同出願 アドバンスド‧マス ク‧インスペクション 74件 1.0% 東芝系の検査⼦会社 東芝＋東芝デバイスソ リューション 62件 0.8% グループ内共同出願 キオクシア＋SK HYNIX 16件 0.2% 次世代メモリの技術連 携 ■ 上位がすべてキオクシア∕東芝系 — ⺟集団タイ プは「単⼀企業（⾃社ポートフォリオ）」 ■ 出願⼈HHI 0.4456‧Gini 0.9526は名義の集中を ⽰すが、市場集中度としては解釈しない ■ SK HYNIXとのMRAM共同出願は次世代メモリで の技術連携を⽰す （出所）本分析の特許データセット（⽇本語公報7,789件‧1997-2025年） APOLLO |5 # Page. 8 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/G7WG9236E2.jpg) 拒絶率3.9%と質が⾼い⼀⽅、取下げ42.1%は戦略的‧防衛的な知財管理を⽰す ■ 出願の技術的質は⾼く、成⻑領域にコア権利を集中させつつ周辺は維持コストを抑制する、メリハリのある知財管 理が読み取れる。 権利状況 件数 構成⽐ 戦略的解釈 取下げ 3,278件 42.1% 防衛出願‧事業判断に よる戦略的取下げ 権利継続 1,958件 25.1% 現在も事業を保護する ⽣きたコア権利 失効：放棄 1,128件 14.5% 登録後の維持判断によ る放棄 ■ 拒絶率3.9%の低さ — 出願前の先⾏技術調査と 権利範囲設計が的確である証左 ■ 取下げ42.1%の⾼さ — 技術公開で他社権利化を 防ぐ防衛出願や事業判断の取下げを⽰唆 ■ 3D NANDの成⻑領域に⼤量出願で参⼊障壁を築 き、衰退領域（露光等）は出願を縮⼩ 出願のみ∕審査中 719件 9.2% 2023年以降の係属中 （暫定） ■ 量だけでなく質を伴う、東芝時代から続く成熟 失効：満了 405件 5.2% 存続期間満了 した知財オペレーション 拒絶 301件 3.9% 拒絶率は低く出願の質 が⾼い （出所）本分析の特許データセット（⽇本語公報7,789件‧1997-2025年） APOLLO |6 # Page. 9 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/4JZL9DVRE3.jpg) 2017年の東芝メモリ分社を境に、名義は東芝からキオクシアへ完全移⾏ ■ 技術は連続しており、平⾯NAND→3D NAND‧露光→ナノインプリントの発展を、東芝時代の蓄積を⼟台にキオク シアが継承している。 東芝1,194件‧キオク シア346件（3D化移 ⾏） 1997-2010 2011-2016 東芝1,459件‧併記228 件（平⾯NAND黎明） キオクシア1,730件‧ 東芝0件 2017 東芝メモリ分社（名義 転換点） 2017-2019 2020-2025 キオクシア2,692件 （量産拡⼤） （出所）本分析の特許データセット（⽇本語公報7,789件‧1997-2025年） APOLLO |7 # Page. 10 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/YE6WK151EV.jpg) 02 技術ポートフォリオの全体像 3D NANDメモリ本体‧製造‧制御の3本柱に⾼度に集中（上位3クラスタで73.3%）。 # Page. 11 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/GE5MP4YLE4.jpg) Saturn V / 俯瞰図分析 12クラスタ‧ノイズ率4.35%。3D NANDを中核に⾼度に体系化された成熟構造 ■ Saturn V TELESCOPE分析（SBERT+UMAP+HDBSCAN）で全7,789件から12クラスタを検出。ノイズ率4.35%は最 も体系化が進んだ状態を⽰す。 ■ 上位3クラスタ＝3D積層メモリ(2,610件)‧半導体製造 (2,009件)‧コントローラ(1,091件)で73.3% ■ ノイズ率4.35%は「成熟‧均質」の最低域 — 探索段階 を脱し量産フェーズにある証左 ■ 中規模クラスタはパターン検査(395)‧回路(377)‧ MRAM(337)‧ナノインプリント(160) ■ メモリ本体‧回路🅐(約3,077件)と製造‧検査🅒(約 2,797件)が拮抗 — 設計と製造の⼀体性 ■ 複数事業に分散する総合電機とは対照的な、専業メー カーの集中型ポートフォリオ Saturn V TELESCOPE 分析: 技術ランドスケープ全体俯瞰（12クラスタ） （出所）本分析の特許データセット（⽇本語公報7,789件‧1997-2025年） APOLLO |8 # Page. 12 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/97296VG3JR.jpg) 成⻑リーダー4クラスタ（6,087件）に本体‧製造‧制御が集結 ■ 12クラスタを累積件数×CAGRの4象限で評価。短期CAGRは全てマイナスだが2021年ピーク後の調整と公開遅延に よるもので、⻑期では全クラスタが⼤幅増。 クラスタ 技術領域 件数 象限 [3] 三次元積層不揮発性メ モリ 2,610件 成⻑リーダー [1] 半導体製造（積層‧電 極形成） 2,009件 成⻑リーダー [9] メモリコントローラ‧ コマンド処理 1,091件 成⻑リーダー [2] クロック再⽣‧アナロ グ回路 377件 成⻑リーダー 的主戦場が3D NAND本体‧製造‧制御にある [0] 磁気抵抗メモリ （MRAM）素⼦ 337件 成熟 ■ ニッチ/衰退4クラスタ(露光等483件)は平⾯世 情報処理‧アドレス変 換（AI/SSD） 148件 [5][8] ■ [3]三次元積層メモリは過去⽐ +141%(594→1,432件)、[9]+103%、[2]+171%と ⻑期で⼤幅増 ■ 新興[5]情報処理はCAGR-3%と全クラスタ中で 最も減速が⼩さい＝相対的に最も伸⻑ ■ 成⻑リーダー4クラスタで6,087件 — 当社の量 代技術で、3D化とともに役割縮⼩ 新興 （出所）本分析の特許データセット（⽇本語公報7,789件‧1997-2025年） APOLLO |9 # Page. 13 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/DJY493V87M.jpg) 上位3クラスタで73.3%。3D NAND本体‧製造‧制御の3本柱に集中 ■ 本⺟集団のクラスタ別件数は、メモリ本体‧製造‧制御に明確に偏っており、専業メーカーの集中構造を⽰す。 3D積層メモリ — 34%（2610） 半導体製造 — 26%（2009） コントローラ — 14%（1091） 回路‧検査‧MRAM等 — 18%（1440） その他‧ノイズ — 8%（639） （出所）本分析の特許データセット（⽇本語公報7,789件‧1997-2025年） APOLLO | 10 # Page. 14 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/V7NYLVM9E8.jpg) 成⻑リーダーに本体‧製造‧制御が集結、新興象限に情報処理‧AIが控える ■ 累積件数×成⻑性の4象限で、当社の主戦場（成⻑リーダー）と次の成⻑フロンティア（新興）が⼀⽬で分かる。 新興クラスタ 成⻑リーダー [8]アドレス変換‧キャッシュ [9]コントローラ‧[2]回路 計148件‧記憶からシステムへ 計6,087件‧当社の主戦場 ニッチ∕衰退 成熟クラスタ [10][11]インプリント 蓄積は厚いが成⻑は鈍化 平⾯世代‧3D化で縮⼩ 次世代の備え∕製造下⽀え 低 ← 成⻑性（相対） → ⾼ [5]情報処理‧類似度探索（AI） [4]フォトマスク‧露光 （出所）本分析の特許データセット（⽇本語公報7,789件‧1997-2025年） APOLLO [3]3D積層メモリ‧[1]製造 [0]MRAM‧[6]パターン検査 ⼩ ← 累積件数（技術蓄積） → ⼤ | 11 # Page. 15 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/YJ9P46N373.jpg) Saturn V / クラスタ動態 短期CAGRはマイナスだが⻑期では全クラスタが⼤幅増、衰退ではなく調整局⾯ ■ 直近5年CAGRがマイナスなのは2021年ピーク後の調整と公開遅延によるもの。過去対直近の件数⽐較では全クラス タが⼒強く成⻑している。 ■ [3]三次元積層メモリ: 2011-17年594件→2018-24年 1,432件（+141%）と最⼤成⻑ ■ [9]コントローラ+103%（334→677件）、[2]回路 +171%（63→171件） ■ [1]半導体製造+80%（565→1,015件）— 主戦場クラス タが揃って成⻑ ■ 新興[5]情報処理はCAGR-3%と最も減速が⼩さく、相 対的に最も伸びている ■ [8]アドレス変換(CAGR-12%)も新興 — SSD/ストレー ジシステムの⾼度化を反映 クラスタ動態マップ（累積件数×CAGR、直近5年） （出所）本分析の特許データセット（⽇本語公報7,789件‧1997-2025年） APOLLO | 12 # Page. 16 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/GJ8DQZKLJD.jpg) Saturn V / PROBE分析 主⼒の3D積層メモリは16サブクラスタに細分化、次世代メモリの萌芽を内包 ■ Saturn V PROBE分析で最⼤クラスタ[3]三次元積層メモリ（2,610件）を細分化すると16サブクラスタに分かれ、 NAND以外の次世代メモリも含まれる。 ■ 最⼤サブクラスタは「NAND動作とセンスアンプ制 御」1,099件 — クラスタの過半を占める中核機能 ■ 「抵抗変化メモリ(ReRAM)のセル制御」79件‧「ス イッチング層材料」34件 — NAND以外の次世代素⼦ ■ 「クロスポイント型メモリセル構造」45件 — ⾼密度 次世代メモリの探索 ■ 「3D NANDのメモリピラー構造」46件‧「選択ゲー トと階段配線」17件 — ⾼層化の構造技術 ■ 「積層体の強度‧沈み込み対策」25件 — 積層数増⼤ に伴う機械的課題への対応 Saturn V PROBE 分析: 三次元積層不揮発性メモリの16サブクラスタ （出所）本分析の特許データセット（⽇本語公報7,789件‧1997-2025年） APOLLO | 13 # Page. 17 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/LJLMXDZQER.jpg) Saturn V / PROBE分析 半導体製造は21サブクラスタに細分化、CBA等の量産技術を全⼯程でカバー ■ 第2のクラスタ[1]半導体製造（2,009件）を細分化すると21サブクラスタに分かれ、3D NAND量産の各単位プロセ スを細密に作り込んでいる。 ■ 「薬液による基板湿式処理」78件‧「CMP研磨とウエ ハ剥離」68件 — 製造前後⼯程の主⼒ ■ CMP研磨‧ウエハ剥離は第8世代以降のCBA（CMOS 直接接合）技術に直結する量産の鍵 ■ 「メモリ機器の筐体放熱‧薄型化」47件‧「成膜ガス の供給‧排気‧回収」46件 ■ 「基板洗浄と昇華乾燥」45件‧「⾼周波プラズマ処理 装置」43件 — 微細加⼯の周辺技術 ■ 「製造装置のガス回収‧再利⽤」31件 — 量産の効率 化‧環境配慮にまで技術が及ぶ Saturn V PROBE 分析: 半導体製造（積層‧電極形成）の21サブクラスタ （出所）本分析の特許データセット（⽇本語公報7,789件‧1997-2025年） APOLLO | 14 # Page. 18 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/47MYLP4K7W.jpg) 当社の技術ポートフォリオは現在‧拡張‧将来の3層構造をなす ■ 確固たる現在の柱（3D NAND）の上に、システム化と次世代メモリという未来の柱を積み上げている。 将来: 次世代メモリ （MRAM‧FeFET‧ ReRAM） MRAM 337件、強誘電体メ モリ(FeFET)、抵抗変化メ モリ(ReRAM)。既存製造基 盤を活⽤した中⻑期の備 え。外部でもR&D‧組込み 拡張: メモリシステム‧AI（新興[5][8]） 段階。 コントローラ⾼度化‧情報処理‧⼤容量SSD（業界初245.76TB）。記憶素 ⼦からデータソリューションへ。 現在: 3D NAND本体‧製造（73.3%） 三次元積層メモリ2,610件‧製造2,009件‧制御1,091件の3本柱。BiCS世代展開で量産競争⼒を維持。 （出所）本分析の特許データセット（⽇本語公報7,789件‧1997-2025年） APOLLO | 15 # Page. 19 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/P7R9K1W6E9.jpg) 03 技術テーマの動態 半導体メモリ‧誤り訂正がリーダー、情報処理系が新興。記憶素⼦からシステムへ。 # Page. 20 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/PJXQLYPD7X.jpg) MEGA / 動態分析 リーダーは半導体メモリ‧集積回路‧誤り訂正。当社の中核テーマが揃う ■ MEGA PULSE分析（Fターム軸、144テーマ）で技術テーマの成⻑段階を4象限評価。リーダー17‧新興28‧成熟 5‧衰退ニッチ94。 ■ リーダー筆頭は半導体メモリ(5F083) 2,411件‧ CAGR+21.3% — 当社の事業の根幹 ■ 集積回路配線(5F101)1,795件、メモリシステム (5B225)1,224件が続く ■ 誤り検出‧訂正(5B160)903件‧CAGR+17.1% — 多値 化に伴う信頼性確保が重要テーマ化 ■ 記憶素⼦＋配線＋システム＋信頼性という、メモリ製 品を成⽴させる技術群が中核 ■ 144テーマ中リーダーは17、衰退‧ニッチは94 — 明 確な選択と集中の構造 MEGA PULSE 分析: Fターム軸 動態分析マップ（CAGR×活動量） （出所）本分析の特許データセット（⽇本語公報7,789件‧1997-2025年） APOLLO | 16 # Page. 21 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/3JK9L3DDJD.jpg) リーダー象限の主要テーマは半導体メモリと、それを⽀える配線‧システム‧信頼性 ■ Fタームテーマ別の活動量‧成⻑率を⾒ると、当社の中核は記憶素⼦そのものに加え、その配線‧システム‧信頼性 に広がっている。 Fターム 技術テーマ 件数 成⻑率 5F083 半導体メモリ（記憶装 置） 2,411件 +21.3% 5F101 半導体集積回路‧内部 配線 1,795件 +20.1% 5B225 メモリシステム‧情報 記憶 1,224件 +10.9% 5B160 誤り検出‧訂正（信頼 性） 903件 +17.1% 5F033 半導体装置の電極‧配 線 532件 +8.0% 4M119 磁気的記憶素⼦ （MRAM系） 460件 +10.8% ■ 5F083半導体メモリはSaturn Vクラスタ[3]三次 元積層メモリと対応する事業の根幹 ■ 5B160誤り訂正の伸⻑はExplorerの急増語「誤 り位置多項式」と符合 — 多値化対応 ■ 5B225メモリシステムの台頭は記憶素⼦から SSD‧システムへの拡張を⽰す ■ 新興象限には情報処理‧管理系(5L系)‧CVD成 膜(4K030)が位置し次世代候補 （出所）本分析の特許データセット（⽇本語公報7,789件‧1997-2025年） APOLLO | 17 # Page. 22 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/LE3W3GRPE5.jpg) MEGA / 動態分析 新興象限に情報処理‧先端成膜。次世代の主役候補がここに育つ ■ 新興‧⾼ポテンシャル象限には、システム化（情報処理‧管理）と先端製造（CVD成膜）のテーマが含まれ、 Saturn Vの新興クラスタと対応する。 ■ 新興28テーマに情報処理‧管理系(5L系)やCVD成膜 (4K030)が位置 ■ これらはSaturn Vの新興クラスタ[5][8]と対応し、メ モリのインテリジェント化を体現 ■ IPC軸で⾒ても3D NAND専⽤分類H10Bが2021年に急 増（後述の環境分析） ■ 衰退象限の中核は露光の光学系(2H系)＝平⾯NAND時 代の前世代技術 ■ テーマ軸でも「光学露光→素⼦‧製造‧システム」へ の重⼼移動が確認される MEGA PULSE 分析: IPC（メイングループ）軸 動態分析マップ （出所）本分析の特許データセット（⽇本語公報7,789件‧1997-2025年） APOLLO | 18 # Page. 23 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/8EDK41Y37G.jpg) 04 技術体系と語彙の新陳代謝 「メモリデバイス」が2.6倍に急増、「不揮発性半導体記憶装置」は衰退。世代交代が進⾏。 # Page. 24 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/V7PKMQ6PJ8.jpg) Explorer / 共起ネットワーク 技術語彙は「積層‧貫通」を結節点に⾼密度で凝集（密度0.53） ■ Explorer共起ネットワーク（70ノード‧1,274エッジ）は密度0.5275と「密」。3D NANDの積層構造を共通基盤と する凝集した技術体系を⽰す。 ■ 中⼼性上位は「電気的」0.913‧「メモリセル」 0.899‧「半導体記憶装置」0.855(頻度20,230) ■ ハブ語「積層」「貫通」は3D NANDの製造（積層‧メ モリホール貫通）を直接表す ■ 4コミュニティ＝制御‧磁気構造‧製造積層‧メモリ セル動作はSaturn V超領域と⼀致 ■ ブリッジ「半導体記憶装置-メモリセル」「交差-積 層」が本体↔製造を語彙レベルで接続 ■ 語彙(Explorer)と意味(Saturn V)が独⽴に同じ技術体系 を描き、構造の頑健性を裏付ける Explorer 全体共起ネットワーク（密度0.5275‧4コミュニティ） （出所）本分析の特許データセット（⽇本語公報7,789件‧1997-2025年） APOLLO | 19 # Page. 25 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/2JVV953VJQ.jpg) Explorer / ワードクラウド 特徴語は半導体記憶装置‧メモリセル‧積層。事業の核が⼀貫してメモリ ■ ワードクラウド分析の特徴語は、当社の技術記述の重⼼が⼀貫してメモリ構造にあることを⽰し、専業メーカーの 技術特化を可視化する。 ■ 「半導体記憶装置」は出現頻度20,230と全語中で最⼤ の不変の基盤語 ■ 「メモリセル」「積層」「導電層」「絶縁層」など 3D構造の語が上位 ■ メモリ以外の半導体領域（太陽電池‧パワー半導体 等）の語はほとんど現れない ■ 東芝→キオクシア、平⾯→3D NANDと製品は変わって も「記憶装置を作る」核は不変 ■ 基盤語の安定性と周辺語の新陳代謝の併存＝中核堅 持‧周辺刷新の技術経営 ワードクラウド分析の特徴語 （出所）本分析の特許データセット（⽇本語公報7,789件‧1997-2025年） APOLLO | 20 # Page. 26 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/5EGLZ631JL.jpg) Explorer / トレンド 「メモリデバイス」2.6倍に急増、「不揮発性半導体記憶装置」は激減 ■ 過去(2016-20)対直近(2021-25)の語彙トレンドで、製品概念が素⼦中⼼からデバイス‧システム中⼼へ世代交代し ていることが分かる。 ■ 急上昇の筆頭は「メモリデバイス」直近2.6倍（365回 →1,333回） ■ 「電極」+1.05‧「絶縁層」+0.86‧「元素」+1.12 — 3D NAND⾼層化‧新材料探索 ■ 別カットでは「磁気メモリデバイス」181件‧「誤り 位置多項式」115件が急増 ■ 「暗号⽂」70件‧「スタンダードセル」85件 — セ キュリティ‧ロジック設計の台頭 ■ 衰退筆頭「不揮発性半導体記憶装置」-0.7‧「印加」 「ワード線」「書き込み」も減少 Explorer 急上昇キーワード（Growth Rate） （出所）本分析の特許データセット（⽇本語公報7,789件‧1997-2025年） APOLLO | 21 # Page. 27 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/4JQYL45N7P.jpg) Explorer / トレンド 信頼性‧セキュリティが新たな注⼒軸として台頭 ■ 急上昇語の分析から、3D NANDの多値化‧⾼層化に伴う信頼性‧データ保護への注⼒という新たな潮流が読み取れ る。 ■ 「磁気メモリデバイス」181件 — MRAMへの継続投資 （クラスタ[0]と対応） ■ 「スタンダードセル」「1ビア配線」「2ビア配線」 — 集積回路設計の微細化‧⾼度化 ■ 「誤り位置多項式」「暗号⽂」 — 信頼性（ECC）‧ データ保護への注⼒ ■ CORE課題分類でもセキュリティ2,476件‧信頼性 3,044件が上位を占める ■ これらは記憶素⼦の物理的限界をシステム（誤り訂 正‧暗号化）で補う⽅向性 Explorer トレンド‧共起ネットワーク （出所）本分析の特許データセット（⽇本語公報7,789件‧1997-2025年） APOLLO | 22 # Page. 28 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/K74WDQ93E1.jpg) 05 技術課題と権利の質 最⼤の課題はパターン形成精度。3D NANDの製造難度の⾼さが課題構造に表れる。 # Page. 29 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/LJ1YZPKZEG.jpg) CORE / 技術課題マトリクス 最⼤の課題はパターン形成精度。3D NAND製造の難度の⾼さを反映 ■ CORE分類分析（課題16×解決⼿段8のマトリクス）で、当社がどの課題をどの解決⼿段で解いているかの組み合わ せ構造が分かる。 ■ 課題の筆頭は「パターン形成精度‧⼨法制御」4,008 件＝⾼アスペクト⽐加⼯の難しさ ■ 解決⼿段の筆頭は「処理装置‧機構の構成」6,196件 ＝製造装置‧プロセスの作り込み ■ 最⼤セルは「パターン形成精度×処理装置」889件 — 製造の精密化を装置で解決 ■ 「セキュリティ×制御⽅式」776件 — データ保護をア ルゴリズムで実装（暗号化‧認証） ■ 課題2-5位は動作性能3,266‧信頼性3,044‧⼊出⼒ 2,687‧セキュリティ2,476件 CORE Map: 課題分類 × 解決⼿段分類（8×16ヒートマップ） （出所）本分析の特許データセット（⽇本語公報7,789件‧1997-2025年） APOLLO | 23 # Page. 30 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/GJWG92D672.jpg) 課題は製造精度‧信頼性‧セキュリティ、解決は装置‧構造‧制御に集中 ■ 課題分類‧解決⼿段分類の件数分布は、3D NANDの製造難度の⾼さと、信頼性‧データ保護という付加価値への注 ⼒を⽰す。 課題分類（上位） 件数 解決⼿段分類 件数 パターン形成精度‧⼨ 法制御 4,008件 処理装置‧機構の構成 6,196件 動作性能‧電気特性の 向上 3,266件 デバイス構造‧素⼦構 成 5,369件 デバイス信頼性‧デー タ保持 3,044件 制御⽅式‧信号処理 4,856件 ⼊出⼒‧インタフェー ス特性 2,687件 回路構成‧回路素⼦ 4,203件 セキュリティ‧データ 保護 2,476件 製造プロセス‧処理条 件 2,600件 微細化‧⾼集積化 1,623件 材料‧組成の最適化 1,696件 ■ 課題5位「セキュリティ」2,476件 — NANDメモ リへのデータ保護機能組み込みへの注⼒ ■ 解決⼿段は装置‧構造‧制御の3⽅向 — ハー ド‧ソフト両⾯で課題を攻める ■ ルールベース分類(CORE)とAI分類(Saturn V)が 独⽴に同じ3本柱を抽出＝構造の頑健性 （出所）本分析の特許データセット（⽇本語公報7,789件‧1997-2025年） APOLLO | 24 # Page. 31 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/4EZL9DGR73.jpg) CORE / 技術分類 技術分類はメモリアレイ‧三次元集積が最⼤。2015年以降に厚みを増す ■ 出願年×技術分類のヒートマップで時系列を⾒ると、メモリ系技術分類が2015年以降に厚みを増し、3D NANDへ の集中が時系列でも確認できる。 ■ 技術分類の最⼤は「メモリアレイ‧三次元集積構造」 1,216件 ■ メモリ制御1,009件、メモリセル661件が続き、メモリ 系3分類で⼤半を占める ■ メモリ系技術は2015年以降に顕著に増加 — 3D NAND 量産化に伴う厚みの増⼤ ■ 露光‧マスク‧パターニング技術は2010年代前半に厚 く、近年は縮⼩ ■ 技術の重⼼が平⾯世代の露光から3次元積層メモリ‧ 制御へ出願年を追って移動 CORE Map: 出願年 × 技術分類（メモリ系が2015年以降に厚みを増す） （出所）本分析の特許データセット（⽇本語公報7,789件‧1997-2025年） APOLLO | 25 # Page. 32 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/Y76WK1Y17V.jpg) 06 外部環境（市場‧政策） 3D NAND市場の⾼成⻑とAI需要、2024年の上場‧半導体政策⽀援が量産投資を後押し。 # Page. 33 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/G75MP4GL74.jpg) NEBULA / 環境分析 出願動態は3D NAND市場の⾼成⻑‧AI需要‧政策⽀援と連動 ■ 本⺟集団の出願集中は、外部の3D NAND市場の急成⻑‧AIデータセンター需要‧⽇本の半導体政策と時系列的に整 合する。 ■ 3D NAND専⽤分類H10Bの出願は2020年28件→2021 年163件→2022年279件と急増 ■ 外部の3D NAND市場は2025年303億ドル→2030年884 億ドル（CAGR約24%）と予測* ■ NAND全体市場も2026年約587億ドル（CAGR約 5.3%）— AIデータセンター需要が牽引* ■ 当社はBiCS8(218層‧CBA)→BiCS9量産→BiCS10(332 層)と世代展開* ■ 2024年に経産省が四⽇市‧北上の量産へ最⼤2,430億 円補助、同年12⽉に東証上場* NEBULA 環境分析: 技術トレンド構造（特許） （出所）本分析の特許データセット∕*GM Insights‧TechInsights‧⽇本経済新聞‧KIOXIA（2026-06-28取得） APOLLO | 26 # Page. 34 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/9J296VY3ER.jpg) 半導体の経済安全保障化と国内⽣産⽀援が量産投資を後押し ■ 2024年に集中する半導体政策が、当社の四⽇市‧北上⼯場への量産投資を直接⽀えている。収集された環境イベン ト30件の主軸である。 経産省が最⼤2,430億 円補助 2024 2024 戦略分野国内⽣産促進 税制 AI関連技術推進法 2024.12 東証プライム上場‧増 産再開 2025 2026 各国の国内⽣産 competition （出所）⽇本経済新聞‧経済産業省‧KIOXIA統合報告書2025（2026-06-28取得） APOLLO | 27 # Page. 35 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/DEY493G8JM.jpg) AI時代のメモリ需要拡⼤が、当社の事業転換を後押しする ■ 外部環境の3観点は、いずれも当社が記憶素⼦からメモリソリューションへ拡張する追い⾵となっている。 市場の⾼成⻑ 技術の世代展開 3D NAND市場はCAGR約24%（2025年303 BiCS8（218層‧CBA直接接合）→BiCS9量 億→2030年884億ドル）。NAND全体も 産（2025年度）→BiCS10（332層）を 2026年587億ドル。AIデータセンター向け 2026年前倒し。⾼層化で容量‧コスト競争 ⼤容量ストレージ需要が牽引。 ⼒を維持。 政策‧資本の追い⾵ 経産省2,430億円補助（総投資7,290億 円）、2024年12⽉の東証上場で増産投資再 開。2024年度は独⽴以来最⾼業績。 （出所）GM Insights‧TechInsights‧⽇本経済新聞‧KIOXIA（2026-06-28取得） APOLLO | 28 # Page. 36 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/VJNYLVG978.jpg) 07 統合‧仮説検証‧戦略提⾔ 6つの独⽴した分析が「3D NAND中核‧システム化拡張」という同⼀の結論に収束する。 # Page. 37 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/YE9P46W3J3.jpg) クロスモジュール統合分析 6つの独⽴した分析が同⼀の結論に収束する ■ 3D NANDを中核とし、システム化へ拡張する⼀貫した戦略 Saturn V（意味ベクトル） 12クラスタ、3D NANDが中核（73.3%） Explorer（語彙共起） 「メモリデバイス」語が2.6倍に急増 CORE（ルール分類） メモリ系3分類が技術記述の⼤半 MEGA（テーマ動態） 半導体メモリ5F083がリーダー ATLAS（時系列‧権利） 頑健な結論 3D NANDを中核とし、システム化へ拡張 する⼀貫した戦略 異なる⽅法論が同⼀の結論を⽀持＝分析⼿法の偶然でなく実在 の構造。7,789件の⺟集団規模が多層検証に⼗分な統計的厚み を提供する。 2017年承継、拒絶率3.9%で質⾼い NEBULA（外部環境） 市場‧政策と出願が時系列連動 （出所）本分析の特許データセット（⽇本語公報7,789件‧1997-2025年） APOLLO | 29 # Page. 38 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/GE8DQZNLED.jpg) 6つのクロス分析が多層で当社の技術戦略を裏付ける ■ 構造→動態→環境→質という階層で、6つのクロス分析が相互に検証し合い、⽴体的な技術戦略の像を結ぶ。 検証の観点 主要な数値根拠 本⺟集団での結論 構造の頑健性 上位3クラスタ73.3%‧ノイズ 4.35% 3D NANDを中核に体系化 技術領域の成⻑ [3]+141%‧新興[5][8]計148件 本体が主戦場‧システムが新 興 語彙の世代交代 メモリデバイス+2.6倍 記憶素⼦からシステムへ ■ 6⼿法（意味ベクトル‧語彙共起‧ルール分 類‧動態‧時系列‧環境）が同⼀結論に収束 ■ 単⼀指標では⾒落とす当社のポートフォリオの 厚みと⽅向性が多層検証で浮かび上がる ■ 3D NAND中核‧システム化拡張は分析⼿法の偶 然でなく実在の構造 外部環境との連動 H10B 2021年163件‧補助 2,430億円 市場‧政策と同期 権利の質 権利継続25.1%‧拒絶3.9% 量と質を両⽴ 技術の承継 東芝2,653件→キオクシア 4,422件 2017年転換‧技術は連続 （出所）本分析の特許データセット（⽇本語公報7,789件‧1997-2025年） APOLLO | 30 # Page. 39 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/LELMXDPQ7R.jpg) 外部環境から導いた5仮説のうち4つを⽀持、1つを部分⽀持 ■ 各仮説は複数モジュールのデータで検証した。結論は本編レポートの各章で裏付けられている。 ID 仮説 判定 エビデンス H1 3D NAND量産化との連動 OK H10B出願が2021年163件へ急増、クラスタ[3]+141% H2 記憶素⼦からシステムへの拡張 OK 「メモリデバイス」+2.6倍、新興[5][8]の台頭 H3 AIデータセンター需要の反映 OK 新興クラスタの2024年代表特許、業界初245.76TB SSD H4 製造技術（CBA）への集中投資 OK 製造クラスタ+80%、接合‧研磨201件、CMP研磨サブクラスタ H5 経済安全保障下の知財管理 --- 戦略的取下げ42.1%は確認、動機は推論に留まる （出所）本分析の特許データセット（⽇本語公報7,789件‧1997-2025年） APOLLO | 31 # Page. 40 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/4JMYLP2KJW.jpg) 短期は製造技術維持、中期はシステム化、⻑期は次世代メモリ ■ 本分析の視座（注⼒領域の把握）から導かれる打ち⼿を、優先度と時間軸で段階的に整理する。 ⻑期（3-5年） 次世代メモリ（MRAM‧FeFET‧ReRAM）の備 中期（1-3年） え継続。製造プロセスデータのAI解析（製造 ×AI）のホワイトスペース開拓。 メモリシステム‧AI向けストレージ（情報処 短期（継続） 理‧アドレス変換）の育成。誤り訂正‧セキュ リティで容量以外の差別化軸を確⽴。 3D NAND⾼層化を⽀える製造技術（CBA‧接 合‧検査）への継続投資。設計と製造の⼀体性 で中核事業の競争⼒を維持する。 （出所）本分析の特許データセット（⽇本語公報7,789件‧1997-2025年） APOLLO | 32 # Page. 41 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/PJR9K1M679.jpg) 戦略的提⾔ 推奨アクション — 製造投資の継続とシステム化の加速が最優先 ⾼ 3D NAND製造技術（CBA‧接合‧検査）への継続投資 設計と製造の⼀体性が競争⼒の源泉。⾼層化に伴う⾼アスペクト⽐加⼯‧検査への投資を継続し製造優位を維 短期（継続） 持する。 ⾼ メモリシステム‧AI向けストレージの育成 新興領域[5]情報処理‧[8]アドレス変換を次の柱に。⼤容量SSD‧データ近傍処理‧CXL対応の出願を拡⼤す 中期（1-3年） る。 中 信頼性‧セキュリティの付加価値強化 誤り訂正‧データ保護で容量以外の差別化軸を確⽴。CORE課題で信頼性3,044件‧セキュリティ2,476件と上 中期（1-3年） 位。 中 次世代メモリ（MRAM‧FeFET‧ReRAM）の備え継続 既存製造基盤を活⽤し、NAND⼀本⾜のリスクに対する中⻑期の保険とする。 ⻑期（3-5年） （出所）本分析の特許データセット（⽇本語公報7,789件‧1997-2025年） APOLLO | 33 # Page. 42 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/PEXQLYVDJX.jpg) 戦略的提⾔ 直近の打ち⼿ 3D NAND製造（CBA‧⾼アスペクト⽐加⼯‧検査）の出願計画をBiCS世代ロードマップと整合させる（知財‧製造部⾨） AI向けメモリシステム（情報処理‧アドレス変換‧CXL）の出願⽬標を設定し新興領域の育成を定量管理する（知財‧事業企 画部⾨） 誤り訂正‧セキュリティの信頼性技術について、3D NAND多値化の課題に対応する出願計画を策定する（知財‧開発部⾨） 次世代メモリ（MRAM‧FeFET‧ReRAM）の探索的出願を継続し、製造基盤との技術共有を図る（研究開発部⾨） 東芝承継特許（2016年以前2,653件）を棚卸しし、中核に資する基盤特許の維持と周辺技術の取下げを判断する（知財部⾨） APOLLO ‧ 特許ポートフォリオ分析 APOLLO # Page. 43 ![Page Image](https://bcdn.docswell.com/page/3EK9L3QDED.jpg) Thank You キオクシア特許ポートフォリオ分析 APOLLO Patent Analytics Platform