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title: APOLLO_v9_KIOXIA_report
tags: 
author: [Rihito Shibayama](https://www.docswell.com/user/shibayamalicht)
site: [Docswell](https://www.docswell.com/)
thumbnail: https://bcdn.docswell.com/page/K74WD8YYE1.jpg?width=480
description: APOLLO_v9のデモです
published: June 28, 26
canonical: https://www.docswell.com/s/shibayamalicht/KPRRY6-2026-06-28-115536
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キオクシア特許ポートフォリオ分析
特許 7,789 件にみる技術開発動向と注力領域（1997-2025 年）
APOLLO
Advanced Patent & Overall Landscape-analytics Logic Orbiter
2026 年 6 月


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APOLLO
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目次
本分析の前提 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠5
エグゼクティブサマリー . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠6
KPI ダッシュボード . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠7
NEBULA: 環境分析 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠8
1. 技術ライフサイクルの位置づけ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠8
2. 政策環境と出願活動の連動 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠9
3. マクロ環境イベントの影響分析 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠11
4. 外部環境からの主要仮説 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠12
5. 環境分析サマリー . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠12
6. ミクロ分析 A: マクロイベント対応特許 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠13
7. 外部環境と本母集団の整合性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠14
ATLAS: 基本統計分析 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠15
1. 出願トレンドの時系列読解 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠15
2. 成長率分析 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠16
3. 技術ライフサイクルステージ判定 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠17
4. 出願構造の集中度評価（タイプ C 対応） . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠17
5. 技術承継の構造分析（名義の時系列） . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠18
6. 権利の質（ステータス）分析 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠19
7. 事業シナリオと示唆 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠20
8. ミクロ分析 A: ライフサイクル各段階の象徴特許 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠20
9. ミクロ分析 B: 主要 IPC・技術領域のプロファイル . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠21
CORE: 技術課題マトリクス分析 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠22
1. マトリクスの全体構造 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠22
2. 出願年×技術分類の時系列構造 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠23
3. 解決手段×課題マトリクスの分析 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠24
4. 技術課題のギャップ分析 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠25
5. 「その他」カテゴリの分析 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠25
6. ミクロ分析 A: 重点セルの代表特許 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠25
7. ミクロ分析 B: 技術領域の配分構造 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠26
Saturn V: 俯瞰図分析 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠28
1. 全体構造の概要 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠28
2. クラスタ規模の階層構造 — 3 層モデル . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠30
3. UMAP 空間構造分析 — 4 つの技術超領域 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠30
4. サブクラスタ・ドリルダウン分析（Saturn V PROBE） . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠31
4. 超領域間ブリッジの戦略的分析 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠33
5. ホワイトスペース（空白地帯）分析 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠34
6. 技術連鎖の可視化 — バリューチェーン分析 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠34
7. 自社内の技術配分構造（協業ネットワーク） . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠35
8. クラスタ動態マップ分析 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠35


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9. ノイズ萌芽技術の詳細分析 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠37
10. 統合的戦略インサイト . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠38
11. クロスモジュール検証 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠38
12. ミクロ分析 A: 超領域別の代表特許 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠39
13. ミクロ分析 B: 主要技術領域の戦略プロファイル . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠41
MEGA: 技術テーマ動態分析 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠42
1. 4 象限の全体構造 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠42
2. リーダー象限の詳細 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠43
3. 新興・高ポテンシャルテーマの分析 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠44
4. 衰退リスクテーマの分析 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠45
5. 成熟・既存勢力テーマの分析 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠45
6. テーマ系統別の技術構造 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠46
7. 象限遷移予測と技術シナリオ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠46
8. ミクロ分析 A: 象限別の代表特許 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠47
9. ミクロ分析 B: 主要テーマの戦略プロファイル . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠48
Explorer: 共起ネットワーク分析 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠49
1. ネットワーク全体像 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠49
2. コミュニティ全件詳細 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠50
3. ブリッジエッジの偏在分析 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠51
4. 成長率 × 中心性の 4 象限分析 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠52
5. ボトルネック分析 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠53
6. 情報フロー分析 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠54
7. トレンド時系列分析 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠54
8. 統合的戦略インサイト . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠56
9. クロスモジュール検証 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠56
10. ミクロ分析 A: コミュニティ別の代表特許 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠56
11. ミクロ分析 B: 成長/衰退語彙に対応する技術領域 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠57
クロスモジュール統合分析 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠59
1. 技術ポートフォリオ構造の頑健性 — ルールベース分類と AI クラスタリングの相互検証 . . . . ⁠59
2. 技術領域の成長段階 — クラスタ動態と技術テーマ動態の照合 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠60
3. 技術体系の二重確認 — 共起ネットワークとクラスタ構造の対応 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠60
4. 現在の注力領域 — 急上昇語彙と新興クラスタの一致 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠61
5. 外部環境と出願動態の連動 — 政策・市場イベントと技術トレンド . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠62
6. 出願の量と質 — 権利化状況と成長領域の重ね合わせ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠63
7. 統合考察 — 6 つの検証が描く一貫した像 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠63
仮説検証サマリー . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠66
分析過程で確認された追加的事項 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠67
東芝名義特許の母集団への包含 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠67
戦略的提言 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠68
分析結果の総括 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠68
戦略的インプリケーション . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠68
推奨アクション . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠69
アクションアイテム . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠70
付録 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠71


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A. 分析条件一覧 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠71
B. 用語解説 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠71
C. Web 調査出所一覧 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠72
D. 母集団検索式 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ⁠73


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APOLLO
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本分析の前提
本分析は、以下の母集団・条件のもとで実施された。
項目
内容
特許データベース
提供された特許データセット
出願年範囲
1997 年〜2025 年（出願年基準）
対象件数
7,789 件
権利者
キオクシア（旧東芝メモリ。東芝時代に出願され権利を承継した特許を含む）
母集団タイプ
単一企業（自社特許ポートフォリオ分析）
分析の視座
本分析は、半導体メモリ専業メーカーであるキオクシアの技術開発の歩みと、現在の注力領域を明らか
にすることを目的としている。母集団は権利者がキオクシアである日本出願公報で構成され、2017 年
の東芝メモリ分社以前に東芝名義で出願され権利を承継した特許も一体として含む。したがって本分
析は、業界全体や市場の動向ではなく、キオクシアという一企業の技術ポートフォリオの内部構造と変
遷を読み解くものである。3D NAND フラッシュメモリを中核とする技術蓄積の厚み、記憶素子から記
憶システムへ拡張する注力のシフト、そして次世代メモリへの備えという 3 つの切り口を重視する。
母集団の検索式は付録 D に全文掲載している。
本分析の範囲と限界
本レポートに記載される出願件数・成長率・技術構成等の数値は、いずれも上記母集団内での観察値で
あり、業界・市場の全般的な傾向を直接示すものではない。以下に留意されたい。
• 本母集団 ≠ 業界全体: 本母集団は権利者がキオクシアの日本出願公報 7,789 件であり、半導体メモ
リ業界の全出願を網羅するものではない。本分析は単一企業の自社特許ポートフォリオ分析であり、
名義別シェア・集中度といった競争構造を論じる対象ではない。本レポートで算出される名義の集中
度（HHI 等）は、キオクシア・東芝（承継元）
・関連会社への名義の集中を反映するに過ぎず、集中
の度合いとして解釈してはならない。
• 地理的カバレッジの限界: 本母集団は日本出願公報に限定される。キオクシアの米国・欧州・中国に
おける出願動向や、競合各社のグローバルな技術動向は本母集団に含まれず、グローバルな比較には
外部情報を要する。
•「本母集団では」
「当社の」という前置きの意味: 以降の本文でこれらの限定表現が現れた場合、それ
は本母集団内の観察を意味し、業界全体の傾向を断定するものではない。
• 業界全体への一般化: 市場規模・各社動向等の業界情報は、Web 調査で外部データを引用した箇所に
限り、脚注（footnote）で出所を明記した上で述べている。


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6
エグゼクティブサマリー
Executive Summary
本レポートは、半導体メモリ専業メーカーであるキオクシアの技術開発の歩みと現在の注力領域
を、自社特許ポートフォリオ（権利者キオクシアの日本出願公報 7,789 件、1997-2025 年）の
構造分析から明らかにすることを目的としている。本分析の視座である「自社の開発動向と注力領
域」に即して答えると、当社の技術は 3D NAND フラッシュメモリを中核に高度に体系化されて
おり、現在の注力は記憶素子の製造・大容量化から、それを支えるメモリシステム・データ処理・
信頼性へと拡張している。
第一に、本母集団では出願が 3D NAND メモリ本体（2,610 件）
・その製造（2,009 件）
・その制
御（1,091 件）の 3 本柱に集中し、上位 3 クラスタで全体の 73.3% を占める。ノイズ率 4.35%
という低さは、当社の技術ポートフォリオが 3D NAND を軸に高度に体系化された成熟構造にあ
ることを示す。
第二に、本母集団の出願名義は 2017 年の東芝メモリ分社を境に、東芝（2016 年以前で 2,653
件）からキオクシア（2017 年以降で 4,422 件）へ完全に移行している。平面 NAND から 3D
NAND へ、フォトリソグラフィからナノインプリントへの技術発展は、東芝時代の蓄積を土台に
キオクシアが継承・発展させたものであり、技術の連続性が明確に確認される。
第三に、当社の現在の注力領域は、相対的に高成長を示す新興クラスタ[5]情報処理・類似度探索
（AI・機械学習）と[8]アドレス変換・キャッシュ管理（ストレージシステム）に表れている。これ
は記憶素子を「記憶する」装置から「データを管理・処理する」インテリジェントなシステムへ進
化させる方向であり、外部の AI データセンター向けストレージ需要の拡大1と整合する。
第四に、当社は次世代不揮発性メモリ（MRAM 337 件、強誘電体メモリ FeFET）への備えを継続
しており、誤り訂正・データセキュリティといった信頼性・付加価値技術への注力も強めている。
これらは 3D NAND の高層化・多値化に伴う技術課題への対応である。2024 年 12 月の東証プ
ライム上場2と日本の半導体政策支援（経済産業省による最大 2,430 億円の補助3）が、これらの
量産投資を後押ししている。
1Mordor Intelligence「 NAND Flash Memory Market」 (https://www.mordorintelligence.com/industryreports/nand-flash-memory-market)、取得日: 2026-06-28
2KIOXIA「統合報告書 2025」(https://www.kioxia-holdings.com/content/dam/kioxia-hd/shared/ir/library/
integrated-report/2025/asset/Integrated-Report-2025-all-view-ja.pdf)、取得日: 2026-06-28
3日本経済新聞「キオクシアが最先端半導体に 7200 億円投資 経産省も補助」(https://www.nikkei.com/article/
DGXZQOUA061D00W4A200C2000000/)、取得日: 2026-06-28


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KPI ダッシュボード
対象特許数
7,789 件
技術クラスタ
12
1997-2025 年・権利者キオクシア
最大クラスタ
3D 積層メモリ
2,610 件・全体の 33.5%
ノイズ率 4.35%（成熟・均質）
上位 3 クラスタ
73.3%
権利継続
1,958 件
出願ピーク
2021 年
全体の 25.1%・拒絶率 3.9%
本体・製造・制御の 3 本柱
名義転換
2017 年
656 件・以降は公開遅延
新興領域
3D NAND 市場
情報処理・AI
CAGR 約 24%
記憶からシステムへ
東芝→キオクシア分社
外部予測・AI 需要が牽引


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8
NEBULA: 環境分析
本章は、本分析の視座である「キオクシアの開発動向と現在の注力領域」を、半導体メモリ産業を取り
巻く外部環境（市場・政策・次世代技術）の文脈に位置づけるものである。本分析の特許データセット
には非特許文献のうち学術論文・ニュースの時系列が収録されていないため、特許出願トレンド・収集
された環境イベント（政策・市場の計 30 件）
・Web 調査による外部情報を組み合わせて環境コンテキ
ストを構成し、後続の各分析章が参照する前提を整える。なお市場規模・各社動向といった本母集団外
の数値は、いずれも外部情報の引用として脚注で出所を明示し、本母集団（キオクシアの日本出願公報
7,789 件）の観察とは区別する。
1. 技術ライフサイクルの位置づけ
本母集団の出願は 2015 年に 412 件へ急増し 2021 年 656 件でピーク。直近の見かけ上の減
要点 少は公開遅延によるもので、外部の NAND メモリ市場（特に 3D NAND は CAGR 約 24%）と
AI データセンター需要の拡大局面と一致する。技術ライフサイクルは「実装・量産期」にある。
NEBULA 環境分析の出願トレンドでは、本母集団の年間出願は 2015 年に 412 件へと前年（180
件）の 2.3 倍に急増し、2017 年 524 件、2018 年 627 件、2021 年 656 件と高水準を維持した後、
2023 年 439 件、2024 年 380 件へと減少している。ただしこの直近の減少は、特許が出願から公開
まで通常 1 年半程度を要するという公報データの構造的特性によるものであり、2025 年が 4 件にとど
まる点が示す通り、直近 2 年の数値は確定値ではない。長期トレンドとしては、2008-2014 年の年間
180-225 件規模から 2017 年以降の年間 600 件規模へと、出願規模が約 3 倍に拡大している点が本
質である。
この出願拡大の時期は、外部のメモリ市場の成長局面と整合する。NAND フラッシュメモリ市場
は 2026 年に約 587 億ドル規模、年平均成長率は約 5.3% と見込まれ、なかでも 3 次元積層型（3D
NAND）セグメントは 2025 年の約 303 億ドルから 2030 年には約 884 億ドルへ、年平均約 24% で
拡大すると予測されている4。この高成長の牽引役は AI データセンター向けの大容量ストレージ需要で
あり、本母集団で 2015 年以降に観測される出願急増は、こうした 3D NAND 市場の立ち上がりに対
応した研究開発投資の現れと解釈できる。
時期
年間規模
ライフサイクル局面と外部環境
1997-2007
5〜184 件
黎明・蓄積期。平面（2D）NAND の微細化を東芝が主
導
2008-2014
145〜274 件
転換期。微細化の物理限界が顕在化し、3 次元化の基礎
研究が進行
4Mordor Intelligence「 NAND Flash Memory Market」 (https://www.mordorintelligence.com/industryreports/nand-flash-memory-market) ／ GM Insights「3D NAND Flash Memory Market」(https://www.
gminsights.com/industry-analysis/3d-nand-flash-memory-market)、取得日: 2026-06-28


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時期
年間規模
ライフサイクル局面と外部環境
2015-2021
319〜656 件
実装加速期。3D NAND（BiCS）の世代展開と量産投
資で出願が急増
2022-2025
380〜656 件
量産・選択集中期。AI 需要拡大、見かけ上の減少は公
開遅延
本母集団は単一企業（キオクシアグループ）の出願で構成されるため、この時系列は市場の盛衰ではな
く、当社の研究開発活動そのものの変遷を表す。2015 年以降の急増は、平面 NAND の微細化が物理
限界に達し、技術の主軸が 3 次元積層構造へ移行したという技術的必然と、それを事業化する量産投資
判断が重なった結果である。したがって当社の技術ライフサイクルは、衰退局面ではなく、3D NAND
という成長技術の実装・量産フェーズの只中にあると位置づけられる。
図 1: NEBULA 環境分析: 技術トレンド構造（特許）
💡 Key Insight
本母集団の出願トレンド（2015 年急増・2021 年ピーク・直近は公開遅延による見かけ上の減少）
は、外部の 3D NAND 市場の高成長（CAGR 約 24%）および AI データセンター需要の拡大と時
期的に整合する。当社の技術ライフサイクルは「実装・量産期」にあり、出願件数の見かけ上の減
少を技術の衰退と読むのは誤りである。
2. 政策環境と出願活動の連動
本分析では学術論文・ニュースの時系列が欠落するため、政策→投資→出願の連動で技術移転を
要点 読む。2024 年の日本の半導体政策（戦略分野国内生産促進税制、経産省の最大 2,430 億円補
助）が当社の 3D NAND 量産投資を後押しし、出願活動の前提を形成している。


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NEBULA 環境分析で通常用いる Academic（学術）→Patent（特許）→News（報道）の 3 層タイム
ラグ分析は、本分析の特許データセットに学術・ニュースの時系列が収録されていないため適用できな
い。この制約を踏まえ、本節では政策イベントと当社の投資・出願活動の連動から技術移転の文脈を読
み解く。
最も直接的な政策ドライバーは、2024 年の日本の半導体産業支援である。経済産業省は 2024 年 2
月、キオクシアとウエスタンデジタルによる最先端メモリの量産を支援すると発表し、両社の総投資約
7,290 億円に対し最大 2,430 億円を補助する枠組みを認定した5。この支援は四日市工場（三重県）と
北上工場（岩手県）における第 8 世代・第 9 世代の 3D NAND 量産を対象としており、当社の主力技
術である 3 次元積層メモリへの集中投資を政策が後押しする構図である。さらに 2024 年 12 月の東京
証券取引所プライム市場への上場により増産投資が再開され、2024 年度は AI データセンター・エン
タープライズ SSD 需要の回復で 2018 年の独立以来最高業績を達成した6。
本母集団の出願構造は、こうした事業投資のサイクルと連動している。2017 年の東芝メモリ分社（後
のキオクシア）以降に出願名義が東芝からキオクシアへ完全に移行し（後述の ATLAS 分析・本分析の
前提章を参照）、2015 年以降の 3D NAND 量産化に向けた出願急増が観測される。政策・投資・出願
の三者が同一方向を向いている点は、当社の知財活動が研究室レベルの探索ではなく、量産事業を支え
る実装段階にあることの裏付けである。
図 2: NEBULA 環境分析: 技術トレンド構造（補助図）
5日本経済新聞「キオクシアが最先端半導体に 7200 億円投資 経産省も補助」(https://www.nikkei.com/article/
DGXZQOUA061D00W4A200C2000000/) ／ KIOXIA「特定半導体生産施設整備等計画の認定について」(https://
www.kioxia.com/ja-jp/about/news/2024/20240206-1.html)、取得日: 2026-06-28
6KIOXIA「統合報告書 2025」(https://www.kioxia-holdings.com/content/dam/kioxia-hd/shared/ir/library/
integrated-report/2025/asset/Integrated-Report-2025-all-view-ja.pdf) ／ 日経クロステック「キオクシアが上
場で増産投資再開」(https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/mag/ne/18/00001/00496/)、取得日: 2026-06-28


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3. マクロ環境イベントの影響分析
収集された 30 件の環境イベントは「半導体の経済安全保障化」と「AI による需要拡大」の 2 軸
要点 に集約される。前者は各国の国内生産促進・輸出規制として当社の生産立地と知財防衛に、後者
はメモリ需要拡大として出願の技術構成に影響する。
NEBULA マクロイベント分析で収集された政策・市場イベント計 30 件を時系列・類型で整理すると、
半導体産業を取り巻く外部環境が 2 つの大きな潮流に支配されていることが分かる。第一は「経済安全
保障化」であり、各国が半導体の国内生産を政策的に促進すると同時に、先端技術の輸出を規制する動
きである。第二は「AI による需要拡大」であり、生成 AI の普及がメモリ・ストレージの需要を構造的
に押し上げている。
年
政策イベント（抜粋）
本母集団・当社への含意
2024
戦略分野国内生産促進税制／AI・半導体
産業基盤強化フレーム
メモリ国内生産への投資インセンティブ。四
日市・北上の増産を後押し
2024
外為法上の投資審査におけるコア業種の
追加
メモリ技術が保護対象の重要技術に。知財防
衛の重みが増大
2024-2025
米 Advanced Computing IC 輸出規制
／中国 両用物項出口管制
先端半導体のサプライチェーン分断。調達・
供給の地政学リスク
2025
人工知能関連技術の研究開発及び活用の
推進に関する法律（日本）
AI 関連需要の制度的後押し。AI 向けストレー
ジ開発の追い風
2026
India Semiconductor Mission 2.0／
EU 半導体エコシステム強化規制
各国の国内生産 competition 激化。グローバ
ル投資環境の変化
政策イベントの大半（2024 年に集中する 10 件以上）は、半導体を経済安全保障の中核と位置づけ、国
内生産を税制・補助金で促進する内容である。本母集団は単一企業の出願であるため市場の構造を論じ
る対象ではないが、これらの政策は当社の四日市・北上工場への量産投資を直接後押ししており、出願
活動の前提条件を形成している。同時に、米国の Advanced Computing 向け輸出規制や中国の両用
物項管制といった輸出管理の強化は、メモリのサプライチェーンに地政学的リスクをもたらし、生産立
地の選択と知財の防衛的管理（後述の高い取下げ率に表れる戦略的出願管理）の重要性を高めている。
年
市場イベント（抜粋）
技術トレンドへの反応
2025-2026
世界メモリ市場・世界半導体市場の統計
更新
AI サーバ向け大容量 SSD・エンタープライズ
需要の拡大
2025
Qualcomm の Alphawave 買収／
SoftBank の Ampere 買収
AI・データセンター向け半導体の業界再編
2025
Infineon の Marvell 車載 Ethernet 事業
買収
車載半導体の集約。当社の車載 UFS 展開と関
連
市場イベントは、AI サーバ・データセンター向け需要の拡大7と、それに伴う業界再編（M&A）を示し
ている。これらは本母集団の直近の出願において、メモリ本体（3D NAND）に加えてメモリシステム・
コントローラ・大容量 SSD 関連の出願が相対的に増加している動きと符合する。すなわち外部の AI 需
7TrendForce「AI Infrastructure Continues to Strengthen NAND Flash Demand」(https://www.trendforce.
com/presscenter/news/20251203-12813.html)、取得日: 2026-06-28


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要が、当社の技術注力を「記憶素子そのもの」から「システムとしての記憶ソリューション」へと押し
広げる方向に作用していると読み取れる。
💡 Key Insight
30 件の環境イベントは「経済安全保障化（政策）
」と「AI 需要拡大（市場）
」の 2 軸に集約される。
前者は当社の国内量産投資を後押しし知財防衛の重みを増す一方、後者はメモリ需要を構造的に
押し上げ、出願の技術構成を記憶素子からメモリシステムへと拡張する力として働いている。
4. 外部環境からの主要仮説
本節では、外部環境分析から導出され、後続の各分析章（Saturn V / Explorer / MEGA / ATLAS /
CORE）で検証すべき 5 つの仮説を提示する。
仮説 1: 3D NAND 量産化との連動。2015 年以降の出願急増は、平面 NAND から 3 次元積層 NAND
（BiCS）への技術転換と量産投資に駆動されているはずである。検証は、3D NAND 専用分類（H10B）
の年次推移と Saturn V クラスタ[3]三次元積層不揮発性メモリの規模・成長で行う。
仮説 2: 記憶素子からメモリシステムへの拡張。直近の注力は、記憶素子そのものから、コントローラ・
データ管理・AI 活用といったメモリシステム層へ拡張しているはずである。検証は、Explorer の急上
昇キーワードと Saturn V の新興クラスタ[5][8]、MEGA の新興象限で行う。
仮説 3: AI データセンター需要の反映。 AI サーバ向けの大容量 SSD・近メモリ（near memory）・
データ処理の高度化が、直近の出願に表れているはずである。検証は、クラスタ[8]アドレス変換・キャッ
シュ管理、[5]情報処理・類似度探索の直近代表特許で行う。
仮説 4: 製造技術（ウェハ接合）への集中投資。 第 8 世代以降の CBA（CMOS 直接接合）技術の採用
に伴い、接合・研磨・基板加工の製造技術出願が増えているはずである。検証は、Saturn V クラスタ
[1]半導体製造と CORE 技術分類「接合・研磨・基板加工技術」で行う。
仮説 5: 経済安全保障下の知財管理。 経済安全保障の強まりの下で、コア技術は権利を維持しつつ周辺
は戦略的に取下げる、メリハリのある知財管理が行われているはずである。検証は、ATLAS の権利状
況（権利継続・取下げ・拒絶の構成）で行う。
5. 環境分析サマリー
本レポートの各分析章を読む際の外部環境コンテキストは、①3D NAND 市場の高成長と AI 需
要点 要、②2024 年の日本の半導体政策支援と上場による増産再開、③半導体の経済安全保障化、④
記憶素子からメモリシステムへの需要拡張、の 4 点である。
後続の各分析章を読む際に前提となる外部環境を、以下に要約する。
最大の外部ドライバーは、3D NAND メモリ市場の高成長（CAGR 約 24%）と AI データセンター需
要の拡大である。これが当社の 3D NAND への集中投資と出願拡大の背景にある。政策環境としては、


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2024 年の日本の戦略分野国内生産促進税制と経産省による最大 2,430 億円の補助、同年 12 月の上場
による増産投資再開が、当社の量産事業を直接支えている。国際環境としては、米中の輸出規制・各国
の国内生産促進という「経済安全保障化」が、生産立地の選択と知財の防衛的管理の重要性を高めてい
る。需要構造の変化としては、AI の普及がメモリ需要を記憶素子そのものからメモリシステム・大容量
SSD へと押し広げており、当社の技術注力の重心移動と整合する。
💡 Key Insight
本分析全体に通底する外部環境の最重要コンテキスト: (1) 3D NAND 市場の高成長と AI 需要
が出願拡大の背景、(2) 2024 年の日本の半導体政策支援と上場が量産投資を後押し、(3) 経済安
全保障化が知財防衛の重みを増大、(4) 需要が記憶素子からメモリシステムへ拡張。次世代メモリ
（FeFET・MRAM）は外部でも R&D・組込み段階にとどまり8、当社の同領域出願（後述）もこの
段階に対応する。
6. ミクロ分析 A: マクロイベント対応特許
外部環境の各局面に対応する代表特許を以下に挙げる。公開番号・発明名称・出願人・出願年を明示し、
各特許が環境のどの局面に対応するかを示す。
Evidence 1
3D NAND 量産化局面に対応する製造・構造特許
• 特開 2023-043399「半導体記憶装置及び半導体記憶装置の製造方法」
（キオクシア、2021 年
出願、IPC: H10B 43/27）: 第 1 方向に積層した複数の導電層を貫通する絶縁体構造により、強
度とデータ読み出し特性の向上を図る。3D NAND 専用分類 H10B を冠する代表的な量産世代
の構造特許で、本母集団の中核クラスタ[3]三次元積層不揮発性メモリに属する。
• 特開 2021-027190「半導体記憶装置および半導体記憶装置の製造方法」
（キオクシア、2019
年出願、IPC: H10B 43/27）: 2 段の積層体を上下に重ね、メモリホール側壁のメモリ層エッチン
グを抑制する。積層数の増大に伴う製造課題（高アスペクト比加工）に対応しており、3D NAND
の世代進展（高層化）を技術的に裏付ける。
• 特開 2026-054387「半導体装置の製造方法」
（キオクシア、2024 年出願）: 複数の絶縁膜と
層を交互に含む積層体にホールを好適に形成する製造方法。2024 年出願の最新世代に相当し、
量産投資（四日市・北上の第 8/9 世代）の時期と整合する。
Evidence 2
AI データセンター需要に対応するメモリシステム特許
• 特開 2025-119518「情報処理装置及び情報処理方法」
（キオクシア、2024 年出願、IPC: G06N
20/00）: 学習済みモデルを用いて入力パラメータを短時間で最適化する。記憶素子を超えた AI・
機械学習領域への展開を示す新興クラスタ[5]の代表例。
8Semiconductor Engineering (M. Lapedus)「Next-Gen Ferroelectric Memory: Still A Work In Progress」
(https://marklapedus.substack.com/p/next-gen-ferroelectric-memory-still)、取得日: 2026-06-28


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• 特開 2024-043899「方法および情報処理装置」（キオクシア、2022 年出願、IPC: G06F
16/903）: クエリ応答速度と探索精度を両立する近似最近傍探索。ベクトル検索をメモリ近傍
で処理する技術で、AI 向けストレージの方向性を体現する。
• 特開 2025-141383「ストレージドライブ」
（キオクシア、2024 年出願）: 新興クラスタ[8]に
属し、データセンター向けストレージシステムの高度化に対応。当社が示す DRAM 依存低減・
大容量 SSD 戦略9と方向性が一致する。
Evidence 3
次世代メモリ・セキュリティ局面に対応する特許
• 特開 2026-056939「半導体記憶装置」
（キオクシア、2024 年出願、IPC: G11C 11/22, H10B
43/30）: 強誘電体を含むゲート電極層を用いたメモリセル（FeFET 型）。次世代不揮発性メモ
リの探索的出願で、外部でも R&D 段階にある強誘電体メモリ領域に当社が継続投資しているこ
とを示す。
• 特開 2025-144125「磁気記憶装置」
（キオクシア、2024 年出願、IPC: H10N 50/80, H10B
61/00）: 磁気抵抗効果素子（MRAM）の特性向上技術。クラスタ[0]磁気抵抗メモリに属し、組
込み用途中心の次世代メモリへの備えを示す。
7. 外部環境と本母集団の整合性
本章で得た外部環境（市場・政策・企業動向・次世代技術）と本母集団の特許動向を対比すると、4 つ
の観点すべてで高い整合性が確認される。第一に市場では、3D NAND の高成長（CAGR 約 24%）が
本母集団のクラスタ[3]三次元積層メモリの規模（2,610 件）と整合する。第二に政策では、2024 年
の国内生産支援が当社の量産投資と出願拡大の背景にある。第三に企業動向では、当社の AI 向け大容
量 SSD・DRAM 依存低減戦略が、新興クラスタ[5][8]の直近出願（2024 年）として表れている。第
四に次世代技術では、FeFET・MRAM が外部でも R&D・組込み段階にとどまる状況が、当社の同領
域の探索的出願（強誘電体[2026-056939]・MRAM[2025-144125]）の位置づけと符合する。
本母集団は日本出願公報に限定されるため、当社の米国・欧州・中国における出願動向や、競合各社の
グローバルな技術動向は本分析の評価対象外である。NAND メモリ市場における各社の位置（外部統計
では当社は上位の一角10）は外部データの引用としてのみ参照し、本母集団の観察からは導かない。
9KIOXIA「 Scale AI Without Limits: KIOXIA Showcases Breakthrough Flash Storage Solutions
at FMS 2025」 (https://www.kioxia.com/en-jp/business/news/2025/20250805-1.html) ／ KIOXIA
Blog「CXL Technology」(https://blog-us.kioxia.com/post/2025/02/14/cxl-technology-high-capacity-costeffective-memory-in-the-big-data-era)、取得日: 2026-06-28
10TrendForce「AI Infrastructure Continues to Strengthen NAND Flash Demand」(https://www.trendforce.
com/presscenter/news/20251203-12813.html) ／ Counterpoint Research「 Global NAND Memory
Market Share」(https://counterpointresearch.com/en/insights/global-nand-memory-market-share)、取得
日: 2026-06-28


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ATLAS: 基本統計分析
本章は、本分析の視座である「キオクシアの開発動向と現在の注力領域」に即して、ATLAS 基本統計
分析の結果から、当社の出願活動の時系列的変遷、技術ポートフォリオの幅、そして権利化の質（量だ
けでなく権利の強さ）を読み解く。特に、東芝からキオクシアへの技術承継の連続性と、出願の量と質
のバランスの評価を主眼とする。
1. 出願トレンドの時系列読解
出願は 4 期に区分される。①黎明期（1997-2007、東芝・平面 NAND）、②停滞期
要点 （2008-2014、微細化限界）
、③急成長期（2015-2021、3D NAND 量産化で 412→656
件）、④選択集中期（2022-2025、AI 需要・公開ラグ）。2015 年と 2017 年が二大変曲点。
ATLAS 時系列分析では、本母集団の出願は明確な 4 期に区分される。
第 1 期 黎明期（1997-2007 年、年 5〜184 件） は、東芝による平面（2D）NAND フラッシュメ
モリの黎明期である。出願は 1997 年の 5 件から徐々に増加し、2007 年に 184 件に達した。この時
期の出願はほぼ全て東芝名義であり、後のキオクシアへ承継される技術基盤が形成された。
第 2 期 停滞期（2008-2014 年、年 145〜274 件）は、平面 NAND の微細化が物理限界に近づき、出
願が年 200 件前後で停滞した時期である。2011 年に 274 件の小ピークを記録するが、2012-2014
年は 180 件前後で横ばいとなった。微細化による容量増大が限界に達し、技術の次の方向性（3 次元
化）が模索された転換期である。
第 3 期 急成長期（2015-2021 年、年 319〜656 件） は、3D NAND（BiCS）の量産化に伴う
出願の急成長期である。2015 年に前年（180 件）の 2.3 倍となる 412 件へ急増し、2017 年 524
件、2018 年 627 件、2021 年 656 件とピークに達した。この急増は、平面から 3 次元への技術パ
ラダイム転換と、それを事業化する量産投資判断が重なった結果である。
第 4 期 選択集中期（2022-2025 年、年 380〜603 件） は、見かけ上の減少期だが、これは特許
の公開遅延（出願から公開まで約 1.5 年）による未確定分が大きい。2025 年が 4 件にとどまる点が示
す通り、直近 2 年の数値は確定値ではない。AI データセンター需要を背景に、出願は中核領域へ選択
的に集中している。
二大変曲点は 2015 年（平面→3D 転換による急増）と 2017 年（東芝メモリ分社による名義転換）で
ある。


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図 3: ATLAS 時系列分析: 出願件数推移（1997-2025）
💡 Key Insight
出願は 4 期に区分され、2015 年（3D NAND 量産化）と 2017 年（東芝メモリ分社）が二大変
曲点。2015 年に出願が 2.3 倍へ急増した事実は、平面 NAND の微細化限界を 3 次元積層で打破
するという技術転換が、当社の出願活動を構造的に押し上げたことを示す。
2. 成長率分析
要点
全期間 CAGR −0.8% は 2025 年の未確定値（4 件）に引きずられた見かけ上の数値。確定年
（2024 年まで）で見れば長期成長は明確で、2014→2021 年は実質+13%/年の高成長だった。
ATLAS 基本統計分析では全期間 CAGR が −0.8% と算出されているが、これは始点（1997 年 5 件）
と終点（2025 年 4 件・未確定）の単純比から計算された値であり、当社の出願活動の実態を反映しな
い。2025 年は公開遅延により 4 件にとどまるため、この値を「低成長」と解釈するのは誤りである。
実態を捉えるには、確定値の得られる期間で見る必要がある。停滞期末の 2014 年（180 件）から急成
長期ピークの 2021 年（656 件）までの CAGR は約+20%/年に達し、当社が 3D NAND 量産化に向
けて出願活動を急拡大したことが分かる。Saturn V のクラスタ別分析でも、過去（2011-2017 年）対
直近（2018-2024 年）でクラスタ[3]三次元積層メモリが+141%、[9]メモリコントローラが+103%
と大幅増を示しており、長期トレンドは明確な成長である。直近の 2022-2024 年の減少は、2021 年
ピーク後の調整と公開遅延の複合であり、技術の衰退ではない。


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3. 技術ライフサイクルステージ判定
要点
出願トレンド・クラスタ構造・外部市場を総合すると、当社の技術は「実装・量産期」にある。
黎明・成長を経て、3D NAND の量産と次世代システムへの拡張が並行する成熟した成長段階。
出願件数の推移（黎明→停滞→急成長→選択集中）、Saturn V のノイズ率 4.35%（高凝集・成熟）、そ
して外部の 3D NAND 市場の高成長（NEBULA 環境分析参照）を総合すると、当社の技術ライフサイ
クルは「実装・量産期」に位置すると判定される。
その根拠は 3 点である。第一に、出願規模が黎明期の年数十件から成長期の年 600 件規模へと約 3 倍
に拡大し、技術の事業化が本格化していること。第二に、ノイズ率 4.35% が示す通り技術体系が高度
に確立され、探索段階を脱していること。第三に、新興クラスタ（[5]情報処理・[8]アドレス変換）の
台頭が示す通り、既存技術の量産と並行して次世代システムへの拡張が始まっていること。すなわち当
社は、単純な成長期でも衰退期でもなく、
「主力技術の量産を続けながら次世代へ橋を架ける」成熟し
た成長段階にある。
4. 出願構造の集中度評価（タイプ C 対応）
本母集団は単一企業のため、名義集中度（HHI 0.4456）は市場の集中の度合いとして解釈しな
要点 い。Gini 0.9526 はキオクシア・東芝への名義集中を示すが、これは母集団定義上の自明な帰
結。技術の集中は IPC 分布で評価する。
ATLAS 基本統計分析では名義集中度（HHI）0.4456、Entropy 1.6459、Gini 0.9526 が算出され
ているが、本母集団は単一企業（キオクシアグループ）の出願で構成されるため、これらの名義多様性
指標を市場の集中の度合いとして解釈することはできない。HHI 0.4456 や Gini 0.9526 という高い
集中の度合いは、キオクシア（60.8%）
・東芝（29.8%）
・キオクシアシステムズ等の関連企業に出願
名義が集中するという、母集団定義上の自明な帰結に過ぎない。これを市場が高集中であると読むのは
誤りである。
したがって、当社の技術ポートフォリオの集中・多様性は、出願人ではなく IPC（技術分類）の分布で
評価する。IPC 別では H01L（半導体装置・製造）が延べ 14,526 回と圧倒的で、G11C（記憶装置）
3,962 回、G06F（デジタルデータ処理）3,270 回、H10B（3D NAND 専用の新分類）1,809 回が続
く。上位 4 分類で技術記述の大半を占めることから、当社の技術は半導体メモリ（記憶素子・製造・制
御）に高度に集中している。一方で、G03F（フォトリソグラフィ）594 回、B29C（成形＝ナノイン
プリント）286 回、G01N（材料分析・検査）248 回、H04L（デジタル伝送）227 回と、製造周辺
技術にも一定の広がりを持つ。この「中核への集中＋製造周辺への広がり」が当社の技術ポートフォリ
オの構造である。


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図 4: ATLAS: IPC ランキング（技術分野構成）
5. 技術承継の構造分析（名義の時系列）
要点
名義の時系列が承継を明確に示す。1997-2016 年は東芝名義（2,653 件）が主体、2017 年の
分社を境にキオクシア名義（4,422 件）へ完全移行。技術は連続し、ブランドのみ転換した。
本母集団の最大の構造的特徴は、東芝からキオクシアへの技術承継である。出願名義を年代別に集計す
ると、その転換が明瞭に表れる。1997-2010 年は東芝名義 1,459 件・東芝とキオクシアシステムズの
併記 228 件に対しキオクシア単独はわずか 1 件、2011-2016 年は東芝名義 1,194 件に対しキオクシ
ア名義 346 件であった。ところが 2017-2019 年には東芝名義が 0 件となりキオクシア名義 1,730
件へ、2020-2025 年もキオクシア名義 2,692 件・東芝名義 0 件と、完全に切り替わっている。
この転換点は、2017 年の東芝メモリ（後のキオクシア）の分社である。本母集団は「権利者がキオク
シアの公報」という検索条件で抽出されているため、東芝時代に出願され権利がキオクシアへ承継され
た特許（2016 年以前の東芝名義）と、分社後にキオクシアが出願した特許（2017 年以降のキオクシ
ア名義）の双方を含む。重要なのは、名義は 2017 年に転換したが、技術は連続している点である。平
面 NAND から 3D NAND への技術発展、フォトリソグラフィからナノインプリントへの製造技術の進
化は、東芝時代の蓄積を土台にキオクシアが継承・発展させたものである。Saturn V の代表特許でも、
クラスタ[4]フォトマスク・露光や[10]ナノインプリントに東芝名義（2008-2015 年）の基盤特許が、
クラスタ[3]三次元積層メモリにキオクシア名義（2017 年以降）の量産特許が分布しており、技術の連
続的な世代交代が確認できる。


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図 5: ATLAS: 構成比マップ（Treemap）
6. 権利の質（ステータス）分析
権利継続 1,958 件（25.1%）、取下げ 3,278 件（42.1%）、拒絶わずか 301 件（3.9%）。
要点 拒絶率の低さは出願の技術的質の高さを、取下げの多さは戦略的・防衛的な出願管理を示す。量
だけでなく質を伴うポートフォリオ。
ATLAS 基本統計分析の権利状況では、本母集団 7,789 件の内訳は、取下げ 3,278 件（42.1%）、権
利継続 1,958 件（25.1%）、失効：放棄 1,128 件（14.5%）、出願のみ 530 件（6.8%）、失効：満
了 405 件（5.2%）、拒絶 301 件（3.9%）、審査中 189 件（2.4%）である。
この権利状況から、当社の知財管理の特徴が読み取れる。第一に、拒絶率 3.9% という低さは、出願の
技術的質が高く、審査を通過する確度が高いことを示す。一般に拒絶率が低いのは、出願前の先行技術
調査と権利範囲の設計が的確である証拠である。第二に、取下げ 42.1% という高さは、戦略的・防衛
的な出願管理を示唆する。半導体大手では、技術を公開して他社の権利化を防ぐ「防衛出願」や、事業判
断で権利化を見送る「戦略的取下げ」が多用される。3D NAND 周辺で大量に出願し参入障壁を築きつ
つ、コア以外は維持コストを抑えて取下げる、というメリハリのある管理が読み取れる。第三に、権利
継続 25.1%（1,958 件） が現在も生きた権利として当社の事業を保護している。なお、2023 年以
降の出願は審査係属中・出願のみの段階にあるため、これらの権利化率は今後変動する暫定値である。
💡 Key Insight
拒絶率 3.9%（技術的質の高さ）と取下げ 42.1%（戦略的・防衛的管理）の組み合わせは、当社
が「通る出願を、メリハリをつけて管理する」高度な知財戦略を持つことを示す。出願の量だけで
なく、権利化の質と防衛的活用を両立したポートフォリオである。


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7. 事業シナリオと示唆
要点
出願構造は「3D NAND 量産の継続＋システム化への拡張＋次世代メモリの備え」という 3 層シ
ナリオを示す。経済安全保障下の国内生産支援が、この出願活動を後押しする。
当社の出願構造から、3 層の事業シナリオが読み取れる。第一に、主力の 3D NAND メモリ（クラス
タ[3]、IPC H10B 急増）の量産を継続し、BiCS 世代の高層化で容量・コスト競争力を維持するシナリ
オ。第二に、メモリシステム・コントローラ（クラスタ[9]、新興[5][8]）への拡張により、AI データセン
ター向けの大容量 SSD・インテリジェントストレージで付加価値を高めるシナリオ。第三に、MRAM・
強誘電体メモリ（クラスタ[0]、FeFET）という次世代不揮発性メモリへの備えを継続するシナリオで
ある。
NEBULA 環境分析で示した通り、2024 年の日本の半導体政策支援（戦略分野国内生産促進税制、経
産省の最大 2,430 億円補助）と同年 12 月の上場による増産投資再開が、この出願活動を直接後押しし
ている。経済安全保障の高まりの下、国内でのメモリ量産と知財の防衛的管理（高い取下げ率）が、当
社の事業基盤を支える構図である。
8. ミクロ分析 A: ライフサイクル各段階の象徴特許
各ライフサイクル段階を象徴する特許を以下に示す。
Evidence 1
黎明・基盤期（東芝時代）の象徴特許
• 特開 2010-040968「露光方法、半導体装置の製造方法、及びマスクデータの作成方法」
（東
芝、2008 年出願、IPC: H01L 21/027）: 平面 NAND 時代の光学露光技術。東芝時代の製造
技術基盤を象徴する。
• 特開 2012-234600「半導体記憶装置」
（東芝、2011 年出願、IPC: G11C 16/02）: 書き込
み不良低減のメモリセルアレイ。平面から 3 次元への転換期の記憶素子技術。
Evidence 2
急成長期（3D NAND 量産化）の象徴特許
• 特開 2018-160303「半導体記憶装置」（キオクシア、2017 年出願、IPC: G11C 16/10）:
高集積化と歩留りを両立する電荷蓄積構造。分社直後のキオクシア名義による 3D NAND 量産
特許。
• 特開 2023-043399「半導体記憶装置及び半導体記憶装置の製造方法」
（キオクシア、2021 年
出願、IPC: H10B 43/27）: 3D NAND 専用分類 H10B を冠する量産世代の構造特許。急成長
期の中核。
Evidence 3
選択集中期（次世代・システム化）の象徴特許


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• 特開 2025-119518「情報処理装置及び情報処理方法」
（キオクシア、2024 年出願、IPC: G06N
20/00）: 機械学習を用いた最適化。メモリを超えたシステム化への拡張を象徴。
• 特開 2026-056939「半導体記憶装置」（キオクシア、2024 年出願、IPC: G11C 11/22）:
強誘電体メモリ（FeFET）。次世代不揮発性メモリへの備えを象徴する最新出願。
9. ミクロ分析 B: 主要 IPC・技術領域のプロファイル
本母集団は単一企業のため、出願人別ではなく主要 IPC（技術領域）別のプロファイルを分析する。
H01L 半導体装置・製造（延べ 14,526 回、最大）。半導体素子の構造と製造プロセス全般を含む最
大の技術領域。3D NAND のメモリセル構造、積層プロセス、電極形成がここに含まれる。Saturn V
のクラスタ[3]三次元積層メモリ・[1]半導体製造に対応し、当社の技術記述の根幹をなす。2024 年以
降は H10D（半導体素子の新分類、505 回）への移行も進んでいる。
G11C 記憶装置（延べ 3,962 回）。メモリの読み書き・記憶動作に関わる領域。NAND の動作制御、
誤り訂正、多値記憶がここに含まれる。Saturn V のクラスタ[7]読み書き動作・信頼性、MEGA のテー
マ5B160 誤り検出訂正に対応する。記憶素子を「動かす」技術の中核である。
G06F デジタルデータ処理（延べ 3,270 回）。コントローラ・データ管理・情報処理に関わる領域。
SSD のファームウェア、アドレス変換、AI 活用がここに含まれる。Saturn V の制御超領域🅑（コン
トローラ[9]・アドレス変換[8]・情報処理[5]）に対応し、当社のシステム化への拡張を担う成長領域で
ある。
H10B 半導体メモリ専用分類（延べ 1,809 回）。3D NAND・不揮発性メモリ専用の新 IPC 分類で、
2020 年 28 件から 2021 年 163 件、2022 年 279 件へと急増した。この急増は、当社の 3D NAND
（BiCS）量産化の時期と完全に一致し、主力技術が 3 次元積層メモリであることを分類レベルで裏付け
る。当社の現在の注力を最も端的に示す IPC である。
G03F・B29C リソグラフィ・ナノインプリント（延べ 594 回・286 回）。微細パターニング技術の領
域。G03F（フォトリソグラフィ）は東芝時代からの露光技術、B29C（成形）はナノインプリントに対
応する。Saturn V のクラスタ[4]フォトマスク・露光・[10]ナノインプリントに対応し、3D NAND の
微細加工を支える製造周辺技術である。フォトリソグラフィからナノインプリントへの技術移行が、こ
の両 IPC の構成に表れている。


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CORE: 技術課題マトリクス分析
本章は、本分析の視座である「キオクシアの開発動向と現在の注力領域」に即して、CORE 分類分析
（ルールベースの課題・解決手段・技術分類）の結果を読み解く。Saturn V の AI クラスタリングが教師
なしで技術構造を抽出したのに対し、CORE は人手で定義した論理式で特許を分類するため、両者の
照合により当社の技術ポートフォリオ構造の頑健性を検証できる。本章では特に、当社がどの「課題」
を、どの「解決手段」で解こうとしているかの組み合わせ構造を明らかにする。
1. マトリクスの全体構造
課題 16 分類×解決手段 8 分類のマトリクスで、課題は「パターン形成精度」（4,008 件）が最
要点 大、解決手段は「処理装置・機構の構成」
（6,196 件）が最大。3D NAND の製造難度の高さ
が、課題・解決手段の双方に表れている。
CORE 分類分析により、本母集団の特許を課題 16 分類・解決手段 8 分類・技術 9 分類で多軸分類し
た。課題分類別の件数は、パターン形成精度・寸法制御の向上（4,008 件）が最大で、動作性能・電
気特性の向上（3,266 件）、デバイス信頼性・データ保持の向上（3,044 件）、入出力・インタフェー
ス特性の向上（2,687 件）、セキュリティ・データ保護の強化（2,476 件）が続く。解決手段分類別
では、処理装置・機構の構成（6,196 件）が最大で、デバイス構造・素子構成の工夫（5,369 件）、制
御方式・信号処理アルゴリズム（4,856 件）、回路構成・回路素子の工夫（4,203 件）が続く。
課題の筆頭が「パターン形成精度・寸法制御」である点は、3D NAND の製造難度を端的に示す。3 次
元積層では、深いメモリホールの高アスペクト比加工、層間のオーバーレイ（重ね合わせ）精度、寸法
制御が歩留まりを左右するため、この課題への出願が最も多い。解決手段の筆頭が「処理装置・機構の
構成」である点も、製造装置・プロセス機構の作り込みが当社の技術の中心にあることを反映する。当
社の技術が「何を作るか」だけでなく「どう精密に作るか」に重きを置いていることが、課題・解決手
段の双方から読み取れる。


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図 6: CORE Map: 課題分類 × 解決手段分類
💡 Key Insight
課題の筆頭「パターン形成精度・寸法制御」
（4,008 件）と解決手段の筆頭「処理装置・機構の構
成」
（6,196 件）は、いずれも 3D NAND の製造難度の高さを反映する。当社の技術ポートフォリ
オは「精密に作る」ことに重心があり、これが 3D NAND 量産の競争力を支えている。
2. 出願年×技術分類の時系列構造
要点
技術分類では「メモリアレイ・三次元集積構造」（1,216 件）が最大。出願年で見ると、メモリ
系技術分類が 2015 年以降に厚みを増し、3D NAND への集中が時系列でも確認できる。
技術分類別の件数を見ると、メモリアレイ・三次元集積構造（1,216 件）が最大で、メモリ制御・デー
タ管理技術（1,009 件）、メモリセル・記憶素子技術（661 件）が続く。さらに複合分類として「メモ
リセル・記憶素子技術／メモリアレイ・三次元集積構造」550 件、
「メモリアレイ・三次元集積構造／
メモリ制御・データ管理技術」302 件があり、これらを合算するとメモリ系 3 分類（セル・アレイ・
制御）で技術記述の大半を占める。
この技術分類の分布は、Saturn V のクラスタ構造（[3]三次元積層メモリ・[9]コントローラ・[1]製造）
と高い対応を示す。人手のルールベース分類（CORE）と AI の教師なしクラスタリング（Saturn V）が、
独立に同じ「3 次元集積構造＋メモリ制御＋記憶素子」という技術骨格を抽出したことは、本分析で識
別した当社の技術ポートフォリオ構造が手法に依存しない実在の構造であることを裏付ける（クロスモ
ジュール検証、P7 パターン）。製造系の技術分類（露光 319 件、接合・研磨・基板加工 201 件、成
膜・エッチング 149 件）も一定の厚みを持ち、3D NAND の製造工程を支えている。


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下図の出願年×技術分類のヒートマップで時系列を見ると、メモリアレイ・三次元集積構造とメモリ制
御・データ管理技術の出願は 2015 年以降に顕著に増加しており、3D NAND 量産化に伴う技術の厚
みの増大が時系列で可視化されている。一方、露光・マスク・パターニング技術は 2010 年代前半に相
対的な厚みがあり、近年は 3 次元化・ナノインプリント移行の進展とともに縮小している。技術分類の
重心が、平面世代の露光技術から 3 次元積層メモリ・その制御へと、出願年を追って移動していること
が読み取れる。
図 7: CORE Map: 出願年 × 技術分類。メモリ系技術分類が 2015 年以降に厚みを増している。
3. 解決手段×課題マトリクスの分析
最大セルは「パターン形成精度×処理装置」（889 件）。製造の精密化が処理装置・機構で解かれ
要点 る。一方「セキュリティ×制御方式」
（776 件）が高く、データ保護がアルゴリズムで対応され
ている。
課題と解決手段の組み合わせ（マトリクスのセル）を分析すると、当社の問題解決のアプローチが見え
てくる。最大セルはパターン形成精度・寸法制御 × 処理装置・機構の構成（889 件）で、製造の精密化
を製造装置・機構の作り込みで解決するアプローチである。次いでパターン形成精度 × 制御方式（789
件）、パターン形成精度 × デバイス構造（728 件）と続き、製造精度の課題が処理装置・制御・構造の
3 方向から多面的に攻められていることが分かる。
注目すべきは、セキュリティ・データ保護 × 制御方式・信号処理アルゴリズム（776 件）が高い値を
示す点である。セキュリティという課題が、ハードウェアではなく制御方式・アルゴリズム（暗号化・
認証の信号処理）で解決されていることを示す。Explorer で急増語として検出された「暗号文」と符
合し、当社がメモリにデータ保護機能を組み込む方向で技術を蓄積していることを裏付ける。また、動
作性能 × 処理装置（794 件）、デバイス信頼性 × 処理装置（772 件）、デバイス信頼性 × デバイス構
造（712 件）も高く、信頼性が装置・構造の両面から確保されている。


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4. 技術課題のギャップ分析
要点
空白・低密度セルは「マスク露光×大容量多値」「マスク露光×実装」など。露光技術と最終製品
機能（大容量化・実装）の間に直接の結びつきが薄く、製造工程の分業構造を反映する。
マトリクスの空白セル・低密度セルは、当社が出願していない（あるいは技術的に結びつかない）課題・
解決手段の組み合わせを示す。マスク・露光パターンの設計・補正 × 大容量化・多値記憶（0 件）、マ
スク・露光 × 実装信頼性・パッケージ保護（0 件）、センシング × 大容量化・多値（9 件）などが空
白・低密度である。
これらの空白は、技術的な必然を反映している。露光・マスク技術は製造の前工程（パターニング）に
位置し、大容量化・多値記憶（記憶素子の動作機能）や実装・パッケージ（後工程）とは技術的に直接
結びつかない。すなわち、これらの空白は「未開拓の機会」ではなく「工程分業による自然な技術分離」
である。一方、解決手段「マスク・露光パターンの設計・補正」全体が 457 件と他の解決手段（処理
装置 6,196 件等）に比べ小さい点は、当社の露光技術が 3D 化・ナノインプリント移行とともに相対
的に縮小していること（ATLAS・MEGA で確認した平面世代技術の縮小）と整合する。
5. 「その他」カテゴリの分析
技術分類「その他」（1,533 件）は最大カテゴリ。明確なメモリ技術分類に収まらない周辺・複
要点 合技術を含むが、ノイズ率 4.35% の低さと併せ、大半は中核技術の周辺バリエーションと推定
される。
技術分類で「その他」が 1,533 件と最大カテゴリを占める。これは、ルールベースの論理式（メモリ
セル・アレイ・制御・露光等の明示的な分類）に完全には合致しない特許群である。ただし、Saturn
V のノイズ率が 4.35% と極めて低いことを踏まえると、この「その他」の大半は全く新規の技術では
なく、中核技術（3D NAND メモリ・製造・制御）の周辺バリエーションや、複数分類にまたがる複合
技術であると推定される。
具体的には、半導体装置の汎用的な製造方法、複数の技術要素を組み合わせた特許、明示的なメモリ用
語を含まない基盤技術などが「その他」に分類されると考えられる。CORE のルールベース分類はキー
ワード論理式に依存するため、表現の揺れや複合性により「その他」が膨らむ傾向があるが、Saturn V
の AI 分類でこれらの多くが明確なクラスタに吸収されている事実は、当社の技術が体系的にまとまっ
ていることを示す。両分類の差分（CORE「その他」が大きいが Saturn V ノイズは小さい）は、人手
の論理式分類の限界と AI 分類の補完関係を示す興味深い所見である。
6. ミクロ分析 A: 重点セルの代表特許
各重点セルを体現する代表特許を以下に引用する。


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Evidence 1
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パターン形成精度 × 処理装置・製造の代表特許
• 特開 2020-149037「パターン形成材料、パターン形成用組成物、パターン形成方法」
（キオ
クシア、2019 年出願）: 高エッチング耐性の金属含有有機膜マスク。3D NAND の微細パター
ニング精度を高める材料・プロセス技術。
• 特開 2021-149020「パターン検査方法およびフォトマスク作成方法」
（キオクシア、2020 年
出願、IPC: G03F 1/84）: 段差影響を低減し転写不良による歩留まりロスを低減。パターン形
成精度を検査・処理装置で確保する。
Evidence 2
セキュリティ・データ保護 × 制御方式の代表特許
• 特開 2023-178201「暗号化装置、復号装置、ストレージシステム、情報処理装置」
（キオク
シア、2023 年出願）: ストレージシステムに暗号化・復号機能を組み込む。セキュリティをアル
ゴリズムで解決する最新出願。
• 特開 2013-118030「暗号化演算装置を搭載する不揮発性半導体記憶装置」
（東芝、2011 年
出 願 ） : メ モ リ 自 体 に 暗 号 化 演 算 を 搭 載 。 東 芝 時 代 か ら の セ キ ュリ ティ 技 術 蓄 積 で、
[2020-027341]データ改ざん検証（キオクシア、2018 年）へと承継・発展している。
Evidence 3
デバイス信頼性・記憶管理 × 制御の代表特許
• 特開 2022-036654「メモリデバイス及びメモリシステム」
（キオクシア、2020 年出願、IPC:
G06F 11/10）: センスアンプとコントローラによる信頼性向上。デバイス信頼性を制御で確保。
• 特開 2022-134984「メモリシステム、コントローラおよびウェアレベリング方法」
（キオク
シア、2021 年出願）: 書き換え回数を平準化し寿命を延ばす。記憶管理・メモリ寿命の最適化を
制御方式で解決する。
7. ミクロ分析 B: 技術領域の配分構造
本母集団は単一企業のため、出願人別ではなく技術分類別の配分構造を分析する。
メモリアレイ・三次元集積構造（1,216 件、最大）。3D NAND の立体構造そのものを扱う中核技術
分類。積層体・電極層・絶縁層・ワード線・ビット線の 3 次元配置が含まれる。Saturn V のクラスタ
[3]三次元積層メモリ、MEGA のテーマ 5F083 半導体メモリと対応する。当社の技術記述の最大カテ
ゴリであり、3D NAND が事業の根幹であることを分類レベルで裏付ける。
メモリ制御・データ管理技術（1,009 件）。メモリコントローラ・読み書き制御・誤り訂正・アドレ
ス変換を含むシステム技術分類。Saturn V のクラスタ[9]コントローラ、新興[8]アドレス変換と対応
する。記憶素子を「動かし・管理する」層であり、SSD の高度化・AI 向けストレージへの拡張を担う
成長分類である。


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27
メモリセル・記憶素子技術（661 件）。記憶素子そのもの（電荷蓄積・磁気抵抗・強誘電・抵抗変化）
を扱う分類。NAND（電荷蓄積）に加え、MRAM（磁気抵抗）
・FeFET（強誘電）といった次世代メモ
リ素子の探索もここに含まれる。Saturn V のクラスタ[0]MRAM・[3]内の次世代素子に対応し、当社
が次世代不揮発性メモリへの備えを続けていることを示す。
製造系技術分類（露光 319 件・接合研磨 201 件・成膜 149 件）。3D NAND の製造工程を支える
分類群。とりわけ接合・研磨・基板加工（201 件）は、第 8 世代 BiCS 以降の CBA（CMOS 直接接合）
技術に関わり、ウェハ接合による製造革新を反映する。露光（319 件）は東芝時代からの蓄積を含む
が、ナノインプリントへの移行とともに役割を変えつつある。これら製造系分類の厚みが、3D NAND
の高層化・歩留まりを支える当社の競争力の源泉である。


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Saturn V: 俯瞰図分析
本章は、本分析の視座である「キオクシアの開発動向と現在の注力領域」に即して、Saturn V
TELESCOPE 分析（SBERT + UMAP + HDBSCAN による俯瞰図分析）の結果から、当社の技術ポー
トフォリオの全体構造、各技術領域の成長段階、そして次世代に向けた萌芽を読み解く。特に、3 次元
積層メモリを中核とする技術蓄積の厚みと、記憶素子から記憶システムへ拡張する直近の注力シフト
の識別を主眼とする。
1. 全体構造の概要
全 7,789 件から 12 クラスタが検出され、ノイズ率は 4.35%（339 件）と極めて低い。これ
要点 は当社の技術ポートフォリオが 3D NAND メモリを中核に高度に体系化された「成熟・均質」な
構造であることを示す。
Saturn V TELESCOPE 分析（SBERT + UMAP + HDBSCAN）の結果、本母集団の全 7,789 件か
ら 12 個の技術クラスタが自動検出された。クラスタに割り当てられた特許は 7,450 件（95.6%）で
あり、どのクラスタにも属さないノイズ特許は 339 件（4.35%）にとどまる。このノイズ率 4.35%
は、APOLLO の解釈基準（5% 以下＝成熟・均質、5-15%＝標準、15-30%＝多様、30% 超＝発散）
において最も低い「成熟・均質な技術領域」に該当する。
この低いノイズ率は、本母集団が単一企業（キオクシアグループ）の出願で構成され、かつ半導体メモリ
という明確に定義された技術領域に集中していることの直接的な帰結である。複数業界を横断する母
集団では多様なテーマが外れ値として残るが、当社の出願は 3 次元積層メモリ・その製造・その制御と
いう相互に強く関連した技術群で構成されるため、SBERT の意味ベクトルが密に凝集し、HDBSCAN
が明確なクラスタとして認識できる。NEBULA 環境分析で示した「実装・量産期」という技術ライフ
サイクルの位置づけは、このクラスタ構造の体系性とも整合する。黎明期の探索的な技術分野であれば
ノイズ率は高くなるが、本母集団の 4.35% という値は、技術体系が確立され量産フェーズにあること
を構造的に裏付けている。
クラスタ
技術領域
件数
シェア
3
三次元積層不揮発性メモリ
2,610
33.5%
1
半導体製造（積層・電極形成）
2,009
25.8%
9
メモリコントローラ・コマンド処理
1,091
14.0%
6
パターン検査・計測技術
395
5.1%
2
クロック再生・アナログ回路
377
4.8%
0
磁気抵抗メモリ（MRAM）素子
337
4.3%
10
ナノインプリント・テンプレート
160
2.1%
4
フォトマスク・露光技術
143
1.8%
7
メモリ読み書き動作・信頼性
90
1.2%


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クラスタ
技術領域
件数
シェア
11
インプリント・DSA パターン形成
90
1.2%
8
アドレス変換・キャッシュ管理
79
1.0%
5
情報処理・類似度探索
69
0.9%
上位 3 クラスタ（[3]三次元積層メモリ、[1]半導体製造、[9]メモリコントローラ）だけで 5,710 件、全
体の 73.3% を占める。この一点集中は、当社の技術ポートフォリオが「3D NAND メモリ本体＋その
製造プロセス＋その制御」という 3 本柱に明確に絞り込まれていることを意味する。後述の CORE 分
類分析でも、ルールベースの人手分類が独立に同じ 3 本柱を抽出しており、この構造の頑健性が二重に
確認される。
図 8: Saturn V TELESCOPE 分析: 技術ランドスケープ全体俯瞰
💡 Key Insight
ノイズ率 4.35% は「成熟・均質」の最低域。当社の技術ポートフォリオは 3D NAND メモリを中
核に高度に体系化されており、上位 3 クラスタ（3D 積層メモリ・製造・コントローラ）で 73.3%
を占める。技術の主戦場が明確に定まった量産企業の構造である。


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2. クラスタ規模の階層構造 — 3 層モデル
12 クラスタは、メガ（1,000 件超）3 つ・ミドル（100-999 件）5 つ・マイクロ（10-99
要点 件）4 つの明確な 3 層構造をなす。メガ層がメモリ事業の主軸、マイクロ層に次世代・システム
化の萌芽が控える。
12 個のクラスタを件数規模で分類すると、明確な 3 層構造が現れる。
メガクラスタ（1,000 件超） は[3]三次元積層不揮発性メモリ（2,610 件）、[1]半導体製造（2,009
件）、[9]メモリコントローラ（1,091 件）の 3 つで、合計 5,710 件と全体の 73.3% を占める。これ
らは当社の NAND フラッシュメモリ事業の主軸そのものであり、
「記憶素子の構造」
「それを作る製造
プロセス」
「それを動かす制御」という、メモリ製品を成立させる三位一体の技術群である。規模の大
きさは技術蓄積の厚みを示すと同時に、長期にわたる継続的な研究開発投資の証跡でもある。
ミドルクラスタ（100-999 件） は[6]パターン検査・計測（395 件）、[2]クロック再生・アナログ
回路（377 件）、[0]磁気抵抗メモリ（337 件）、[10]ナノインプリント・テンプレート（160 件）、[4]
フォトマスク・露光（143 件）の 5 つで、合計 1,412 件。これらはメモリ本体を支える要素技術群で
あり、検査・回路・露光・パターニングといった「製造を高度化する周辺技術」と、MRAM という「次
世代メモリ素子」が混在している。とりわけ[0]MRAM は、現行の NAND とは異なる動作原理の不揮
発性メモリであり、規模は中位ながら戦略的な位置づけを持つ。
マイクロクラスタ（10-99 件）は[7]メモリ読み書き動作・信頼性（90 件）、[11]インプリント・DSA
パターン形成（90 件）、[8]アドレス変換・キャッシュ管理（79 件）、[5]情報処理・類似度探索（69
件）の 4 つで、合計 328 件。件数こそ小さいが、この層に当社の次の注力領域の萌芽が含まれる。特
に[8]アドレス変換・キャッシュ管理と[5]情報処理・類似度探索は、後述のクラスタ動態マップで相対
的に高い成長を示しており、メモリを「記憶素子」から「データ処理を伴うインテリジェントなシステ
ム」へと進化させる方向性を体現している。
3. UMAP 空間構造分析 — 4 つの技術超領域
空間配置から 12 クラスタは 4 つの超領域に集約される。メモリ本体・回路🅐、メモリ制御・シ
要点 ステム🅑、製造・パターニング・検査🅒、磁気メモリ🅓。製造系と本体系が空間的に連鎖し、量
産一体型の技術構造をなす。
Saturn V TELESCOPE 分析の空間配置（UMAP 空間上の近接関係）から、12 クラスタは 4 つの「技
術超領域」に集約される。この超領域構造は、当社の技術がどのように相互連関しているかを示す。
🅐 メモリ本体・回路超領域（クラスタ[3], [2], [7]、合計約 3,077 件）。中核は[3]三次元積層不揮発
性メモリ（2,610 件）で、これに[2]クロック再生・アナログ回路（377 件）と[7]メモリ読み書き動
作・信頼性（90 件）が空間的に近接する。空間配置分析では[3]の近傍には[2]と[7]が位置しており、
記憶素子の構造（[3]）
・それを駆動する周辺回路（[2]）
・読み書き動作の信頼性確保（[7]）が一体の技
術空間を形成している。これは「メモリセルをいかに作り、いかに正確に動かすか」という、メモリデ
バイスの根幹をなす超領域である。


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🅑 メモリ制御・システム超領域（クラスタ[9], [8], [5]、合計約 1,239 件）。[9]メモリコントローラ・
コマンド処理（1,091 件）を中核に、[8]アドレス変換・キャッシュ管理（79 件）と[5]情報処理・類
似度探索（69 件）が連なる。空間配置分析では[9]の近傍に[8]と[5]が位置し、さらに[7]読み書きとも
接続する。この超領域は、記憶素子そのものではなく、それをシステムとして制御・最適化する層であ
り、SSD のファームウェア・データ管理・AI 活用へと延びる。マイクロクラスタ 2 つ（[8][5]）がこの
超領域に属する点は、システム層が当社の新たな成長フロンティアであることを示唆する。
🅒 製造・パターニング・検査超領域（クラスタ[1], [10], [11], [4], [6]、合計約 2,797 件）。[1]半導
体製造（2,009 件）を中核に、[10]ナノインプリント・テンプレート（160 件）、[11]インプリント・
DSA パターン形成（90 件）、[4]フォトマスク・露光（143 件）、[6]パターン検査・計測（395 件）が
空間的に連鎖する。空間配置分析では[1]の近傍に[10][11]が、[4]の近傍に[11][6]が位置し、製造プ
ロセス全体（成膜・エッチング・パターニング・検査）が一つの技術連続体をなしている。3D NAND は
積層数の増大に伴い製造難度が指数関数的に高まるため、この製造超領域の厚み（全体の約 36%）は
当社の競争力の源泉である。
🅓 磁気メモリ超領域（クラスタ[0]、337 件）。[0]磁気抵抗メモリ（MRAM）素子が単独で形成する。
空間配置分析では[0]の近傍に[3][1]が位置するが、動作原理（磁化反転による記憶）が NAND（電荷
蓄積）とは根本的に異なるため、独立した技術島を形成している。NAND の大容量・低コストと相補的
な、高速・高耐久の次世代メモリ候補として位置づけられる。
4. サブクラスタ・ドリルダウン分析（Saturn V PROBE）
最大 2 クラスタを PROBE 分析で細分化した。[3]三次元積層メモリは 16 サブクラスタ
要点
（NAND 動作・抵抗変化メモリ・クロスポイント等）、[1]半導体製造は 21 サブクラスタ（CMP
研磨・プラズマ・洗浄・成膜等）に分かれ、メガクラスタ内部の技術的多様性と次世代メモリの
萌芽が明らかになる。
Saturn V PROBE 分析は、TELESCOPE 分析で検出したメガクラスタを内部でさらに細分化（ドリ
ルダウン）し、技術の深層構造を明らかにする手法である。本母集団の最大 2 クラスタ（合計 4,619
件、全体の 59%）について PROBE 分析を実施した。
[3] 三次元積層不揮発性メモリのサブクラスタ構造（16 サブクラスタ）
最大クラスタ[3]三次元積層不揮発性メモリ（2,610 件）を PROBE 分析すると、16 のサブクラスタ
に分かれる。最大のサブクラスタは「NAND 動作とセンスアンプ制御」
（1,099 件）で、クラスタの過
半を占める。これはメモリセルの読み書き動作と、それを支えるセンスアンプ回路の制御技術であり、
3D NAND の中核機能である。次いで「抵抗変化メモリのセル制御」
（79 件）、
「NAND 型のウェル分
離と電荷蓄積膜」
（48 件）、
「3D NAND のメモリピラー構造」
（46 件）、
「クロスポイント型メモリセ
ル構造」（45 件）が続く。
注目すべきは、このクラスタ内に「抵抗変化メモリのセル制御」
（79 件）
・
「抵抗変化メモリのスイッチ
ング層材料」
（34 件）
・
「クロスポイント型メモリセル構造」
（45 件）という、NAND 以外の次世代メモ
リのサブクラスタが含まれる点である。これは、当社が 3D 積層メモリの枠組みの中で、NAND に続く
抵抗変化型（ReRAM）
・クロスポイント型メモリを探索していることを示す。一見すると[3]は NAND


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一色に見えるが、実際にはその内部に次世代メモリの萌芽が埋め込まれている。また「3D NAND の選
択ゲートと階段配線」
（17 件）
・
「3D NAND 積層体の強度・沈み込み対策」
（25 件）といったサブク
ラスタは、積層数の増大に伴う構造的課題（階段状コンタクト、積層体の機械的安定性）への対応であ
り、高層化の技術的最前線を表す。
図 9: Saturn V PROBE 分析: 三次元積層不揮発性メモリの 16 サブクラスタ。NAND 動作制御が過半を占めつつ、抵抗変化
メモリ・クロスポイント等の次世代メモリが内包される。
[1] 半導体製造（積層・電極形成）のサブクラスタ構造（21 サブクラスタ）
第 2 のクラスタ[1]半導体製造（2,009 件）を PROBE 分析すると、21 のサブクラスタに分かれ、製造
プロセスの各工程が細密に細分化されている。主要なサブクラスタは「薬液による基板湿式処理」
（78
件）、
「CMP 研磨とウエハ剥離」
（68 件）、
「メモリ機器の筐体放熱・薄型化」
（47 件）、
「成膜ガスの供
給・排気・回収」
（46 件）、
「基板洗浄と昇華乾燥技術」
（45 件）、
「高周波プラズマ処理装置」
（43 件）
である。
これらのサブクラスタは、3D NAND の製造工程（成膜・エッチング・洗浄・研磨・接合）を網羅して
おり、当社が製造の各単位プロセスを細かく作り込んでいることを示す。とりわけ「CMP 研磨とウエ
ハ剥離」
（68 件）は、第 8 世代以降の CBA（CMOS 直接接合）技術に直結するウェハ接合・平坦化プ
ロセスであり、3D NAND 量産の鍵となる。
「製造装置のガス回収・再利用」
（31 件）のような環境・
コスト対応のサブクラスタも含まれ、量産の効率化・環境配慮にまで技術が及んでいる。


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図 10: Saturn V PROBE 分析: 半導体製造の 21 サブクラスタ。CMP 研磨・プラズマ処理・洗浄・成膜など製造全工程を細
密にカバーする。
PROBE 分析の含意
両クラスタの PROBE 分析は、当社のメガクラスタが単一の均質な技術塊ではなく、内部に多数の専門
サブ領域を持つ構造体であることを示す。[3]三次元積層メモリの内部に次世代メモリ（抵抗変化型・
クロスポイント）の萌芽が含まれること、[1]半導体製造が製造全工程を細密にカバーしていることは、
当社が中核領域を深く掘り下げて技術を蓄積していることの証左である。本分析の視座（注力領域の把
握）からは、メガクラスタの量的規模だけでなく、その内部の技術的深さも当社の競争力の源泉として
評価すべきである。
4. 超領域間ブリッジの戦略的分析
要点
超領域をつなぐ結節点に当社の統合的強みが表れる。本体↔制御、本体↔製造、本体↔磁気の 3
つのブリッジが、量産一体・システム統合・次世代備えの戦略を体現する。
4 つの超領域がどのように接続されているかは、当社の技術統合の方向性を読み解く鍵である。空間配
置分析から特に重要な 3 つのブリッジを抽出した。
最重要のブリッジは🅐本体↔🅑制御である。空間配置分析で[7]メモリ読み書き動作・信頼性が[3]本体
側と[9][5]制御側の双方に近接しており、記憶素子の物理特性（読み書き動作）と、それをシステムとし
て制御する層との橋渡しを担っている。これは、当社が記憶素子の微細化・高層化（ハードウェア）と、誤
り訂正・信頼性確保・データ管理（ソフトウェア/システム）を一体で開発していることを示す。NEBULA


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環境分析で示した AI データセンター需要への対応（DRAM 依存低減・大容量 SSD）は、まさにこの
本体↔制御の統合領域で実現される。
🅐本体↔🅒製造のブリッジは、空間配置分析で[1]半導体製造が[3]三次元積層メモリと密接に位置する
ことに表れる。3D NAND では「設計（構造）」と「製造（積層プロセス）」が不可分であり、メモリホー
ルの高アスペクト比加工や CBA（CMOS 直接接合）といった製造技術の進歩がそのまま記憶容量の増
大に直結する。両超領域が空間的に隣接していることは、当社が設計と製造を一体で最適化する垂直統
合型の開発体制を持つことの反映である。
🅓磁気↔🅐本体のブリッジは、空間配置分析で[0]MRAM の近傍に[3][1]が位置することに現れる。
MRAM は NAND とは動作原理が異なるが、積層構造・製造プロセスの面では本体・製造超領域と技術
資産を共有する。これは、当社が次世代メモリ（MRAM）を全くの別事業としてではなく、既存のメモ
リ製造基盤を活用する形で探索していることを示唆する。
5. ホワイトスペース（空白地帯）分析
空間上の空白から 2 つの事業機会が浮かぶ。①磁気メモリ🅓とシステム制御🅑の融合（MRAM
要点 の組込みシステム化）
、②情報処理🅑と製造🅒の接続（製造データの AI 活用）。いずれも当社の
既存資産を活かせる未開拓領域。
UMAP 空間上でクラスタ密度が低い領域を分析すると、当社が活用しうる 2 つの主要なホワイトス
ペースが浮かび上がる。
ホワイトスペース 1: 磁気メモリ🅓 × システム制御🅑の融合。[0]MRAM（337 件）とシステム制御
超領域（[9][8][5]）は空間的に離れている。MRAM は高速・高耐久という特性を持つが、本母集団で
は MRAM を記憶素子として開発する出願が中心で、それをシステムに組み込んで制御・活用する出願
は手薄である。MRAM をキャッシュやワーキングメモリとして統合した組込みシステムは、NAND と
の階層型メモリ構成の中で新たな価値を生む可能性があり、当社の制御技術（[9]の蓄積 1,091 件）を
活かせる未開拓領域である。
ホワイトスペース 2: 情報処理🅑 × 製造🅒の接続。[5]情報処理・類似度探索（69 件、AI/機械学習）
と製造超領域（[1][6]）の間には空間的距離がある。当社は AI・機械学習の出願（[5]）と、パターン検
査・計測（[6]395 件）の両方を保有するが、製造プロセスのデータを AI で解析し歩留まり・品質を最
適化する「製造×AI」の出願は限定的である。3D NAND の製造難度が高まる中、この領域は歩留まり
改善という事業的インパクトが大きく、既存の検査技術と AI 技術の双方を持つ当社に優位性がある。
6. 技術連鎖の可視化 — バリューチェーン分析
空間近接から 2 つの技術連鎖が読める。①製造バリューチェーン（成膜→パターニング→積層→
要点 検査）
、②データバリューチェーン（記憶素子→読み書き→コントローラ→アドレス変換→情報処
理）。後者の伸長が直近の注力を示す。
空間近接データから、本母集団における 2 つの主要な技術連鎖（バリューチェーン）を抽出した。


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バリューチェーン 1（製造連鎖） は、[4]フォトマスク・露光 → [10]ナノインプリント・テンプレート
→ [11]インプリント・DSA パターン形成 → [1]半導体製造（積層・電極形成） → [6]パターン検査・
計測 という、3D NAND を物理的に作り上げる工程連鎖である。空間配置分析でこれらが製造超領域
🅒として連続的に配置されていることは、当社が露光・パターニングから積層・検査までの製造工程を
一貫して内製・知財化していることを示す。とりわけナノインプリント（[10][11]）は次世代の微細パ
ターニング技術として、従来のフォトマスク露光（[4]）を補完・代替する位置にある。
バリューチェーン 2（データ連鎖） は、[3]三次元積層メモリ（記憶素子） → [7]読み書き動作・信頼
性 → [9]メモリコントローラ → [8]アドレス変換・キャッシュ管理 → [5]情報処理・類似度探索 とい
う、記憶したデータを扱うシステム連鎖である。空間配置分析で本体超領域🅐から制御超領域🅑へと連
なるこの連鎖は、データを「記憶する」だけでなく「効率的に管理し、近傍で処理する」方向へと延び
ている。後述のクラスタ動態でこの連鎖の末端（[8][5]）が相対的に高成長を示す点は、当社の注力が
バリューチェーンの下流（システム・データ処理）へ拡張していることを意味する。
7. 自社内の技術配分構造（協業ネットワーク）
本母集団は単一企業のため競合構造ではなく、自社内のクラスタ別配分と共同出願人との協業構
要点 造を読む。製造装置・材料企業との協業が製造超領域🅒に集中し、垂直統合的な開発体制を示
す。
本母集団は単一企業（キオクシアグループ）の出願で構成されるため、本節では業界内の競争構造では
なく、自社内の技術配分と共同出願人との協業構造を分析する。
当社の出願は、メモリ本体・回路🅐（約 3,077 件）と製造・パターニング・検査🅒（約 2,797 件）に
ほぼ拮抗して配分されており、
「何を作るか」と「どう作るか」の双方に同等の重みを置いていること
が分かる。これに制御・システム🅑（約 1,239 件）と磁気メモリ🅓（337 件）が続く。この配分は、
設計と製造を分離せず一体で最適化する垂直統合型の開発体制を反映している。
共同出願人の構造を見ると、協業は主に製造超領域🅒に集中している。本母集団の共同出願では、東京
エレクトロン（14 件、製造装置）、荏原（12 件、CMP 研磨装置）、JSR（10 件、フォトレジスト材
料）、TOPPAN ホールディングス（14 件、フォトマスク）といった製造装置・材料企業との協業が観
測される。これらは 3D NAND の製造工程（成膜・エッチング・研磨・パターニング）における装置・
材料メーカーとの共同開発であり、製造難度の高い積層プロセスをサプライヤーと一体で作り込む当
社の開発スタイルを示す。一方、メモリ素子そのもの（🅐🅓）では、SK Hynix との磁気メモリ共同出
願（16 件、クラスタ[0]）が観測され、次世代メモリ領域での技術連携が読み取れる。また産業技術総
合研究所との共同出願は、基礎・探索的な研究領域での産学官連携を示す。
8. クラスタ動態マップ分析
累積件数×CAGR の 4 象限で、[3][1][9][2]が成長リーダー（6,087 件）、[5][8]が新興、[0][6]
要点 が成熟、残りがニッチ。直近 5 年 CAGR は全てマイナスだが、これは 2021 年ピーク後の調整
と公開遅延によるもので、長期では全クラスタが大幅増。


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クラスタ動態マップ（X: 累積件数、Y: 直近 5 年 CAGR）により、各クラスタの成長ポジションを 4 象
限で評価した。
象限
クラスタ数
合計件数
代表クラスタ
成長リーダー
4
6,087
三次元積層メモリ（2,610 件）・半導体製造（2,009 件）
新興クラスタ
2
148
情報処理・類似度探索（CAGR −3%、相対最高）
成熟クラスタ
2
732
パターン検査（395 件）・MRAM（337 件）
ニッチ/衰退
4
483
フォトマスク・露光（CAGR −42%）
クラスタ
技術領域
累積
CAGR
象限
3
三次元積層不揮発性メモリ
2,610
−18%
成長リーダー
1
半導体製造（積層・電極形成）
2,009
−17%
成長リーダー
9
メモリコントローラ・コマンド処理
1,091
−13%
成長リーダー
2
クロック再生・アナログ回路
377
−20%
成長リーダー
5
情報処理・類似度探索
69
−3%
新興クラスタ
8
アドレス変換・キャッシュ管理
79
−12%
新興クラスタ
0
磁気抵抗メモリ（MRAM）素子
337
−22%
成熟クラスタ
6
パターン検査・計測技術
395
−27%
成熟クラスタ
このマップで全クラスタの CAGR がマイナスである点は、解釈に注意を要する。直近 5 年（2020-2024
年を基準）は本母集団全体が 2021 年の出願ピーク後の調整局面にあり、加えて 2023 年以降
は公開遅延により件数が過小評価されるため、短期 CAGR は構造的にマイナスに振れる。実際、過去
（2011-2017 年）と直近（2018-2024 年）の出願件数を比較すると、[3]三次元積層メモリは 594
件→1,432 件（+141%）、[9]メモリコントローラは 334 件→677 件（+103%）、[2]クロック・回
路は 63 件→171 件（+171%）と、いずれも大幅に増加している。したがって短期 CAGR のマイナ
スを「衰退」と読むのは誤りであり、4 象限の相対位置（中央値で区切った成長性の順位）として解釈
すべきである。
成長リーダー（[3][1][9][2]、6,087 件）は、累積規模が大きく相対的に成長性も高い当社の主戦場で
ある。3D NAND メモリ本体（[3]）とその製造（[1]）、制御（[9]）が揃ってこの象限に位置すること
は、当社の中核事業が量的にも勢いの面でも最前線にあることを示す。
新興クラスタ（[5]情報処理・類似度探索、[8]アドレス変換・キャッシュ管理）は、累積規模は小さい
（合計 148 件）が相対成長性が高い。[5]は CAGR −3% と全クラスタ中で最も高く（=最も減速が小
さい）、AI・機械学習・ベクトル探索という、メモリを超えたデータ処理領域である。この 2 クラスタ
は制御・システム超領域🅑に属し、当社の次の成長フロンティアがメモリシステムのインテリジェント
化にあることを定量的に裏付ける。


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図 11: Saturn V クラスタ動態マップ（累積件数×CAGR）
💡 Key Insight
成長リーダー 4 クラスタ（6,087 件）に 3D NAND メモリ本体・製造・制御・回路が集結し、当
社の主戦場を形成。新興クラスタ[5]情報処理（CAGR −3%、相対最高）
・[8]アドレス変換は、メ
モリの「記憶」から「処理」への進化を示す次世代フロンティアである。短期 CAGR のマイナスは
2021 年ピーク後の調整＋公開遅延によるもので、長期では全クラスタが大幅増（[3]は+141%）。
9. ノイズ萌芽技術の詳細分析
ノイズ率 4.35%（339 件）は「成熟・均質」の最低域。時系列は 2017-2018 年に集中（歴
要点 史的バリエーション）し、近年急増型ではない。当社の技術体系が確立されていることの裏返し
で、萌芽は外れ値よりマイクロクラスタ（[5][8]）に現れる。
ノイズ分析（萌芽技術候補）では、本母集団のノイズ特許は 339 件、ノイズ率 4.35% である。
ノイズ率の構造的解釈: 4.35% という値は「成熟・均質な技術領域」
（5% 以下）に該当し、当社の技
術ポートフォリオが既存の技術体系で大部分を説明できることを示す。これは黎明期の発散的な技術分
野（ノイズ率 30% 超）とは対照的であり、3D NAND メモリという確立された技術軸の周りに出願が
高度に凝集していることの反映である。
時系列パターン: ノイズ特許の出願年分布は「過去集中（歴史的バリエーション）」型を示す。年別では
2017 年 30 件、2018 年 33 件がピークであり、近年に急増するパターンではない。これは、ノイズ
の多くが新興の萌芽テーマではなく、過去の技術的バリエーション（主流クラスタに完全には収まらな


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い周辺的な工夫）であることを意味する。技術体系が確立した量産企業では、外れ値は「次世代の種」
よりも「過去の多様な試行の残滓」として現れる傾向があり、本母集団はこのパターンに合致する。
出願人分析: ノイズ特許の出願人は、主流クラスタと同様にキオクシア・東芝系が中心であり、特定の
異業種参入者による外れ値ではない。これは単一企業母集団の特性であり、ノイズが「社外からの新規
参入」ではなく「社内の探索的・周辺的な出願」であることを示す。
萌芽テーマの同定: 本母集団では、次世代の萌芽はノイズ（外れ値）よりも、むしろマイクロクラスタと
して既に検出されている。具体的には、(1) [5]情報処理・類似度探索（AI/ベクトル検索、69 件）、(2) [8]
アドレス変換・キャッシュ管理（ストレージシステム、79 件）の 2 領域が、クラスタ動態で相対的に高成
長を示す萌芽フロンティアである。これらは外れ値ではなく既に明確なクラスタを形成している点で、
当社の次世代展開が探索段階ではなく具体的な開発段階に入っていることを示す。加えて、[0]MRAM
と[3]内の強誘電体メモリ（FeFET）が、NAND に続く次世代不揮発性メモリの備えとして位置づけら
れる。
10. 統合的戦略インサイト
3 つの戦略構造が読める。①「設計と製造の一体性」が競争力の源泉、②注力は「記憶素子」か
要点 ら「メモリシステム」へ拡張中、③次世代メモリ（MRAM/FeFET）は既存製造基盤を活用した
堅実な備え。
インサイト 1: 設計と製造の一体性。本母集団ではメモリ本体・回路🅐（約 3,077 件）と製造・パター
ニング・検査🅒（約 2,797 件）がほぼ拮抗し、空間的にも密接に連鎖している。3D NAND は積層数
の増大とともに製造難度が指数関数的に高まるため、設計と製造を一体で最適化できることが競争力
の源泉となる。CBA（CMOS 直接接合）技術に象徴される製造革新は、この一体性の上に成り立って
いる。
インサイト 2: 記憶素子からメモリシステムへの拡張。クラスタ動態で新興象限に位置する[5]情報処
理・類似度探索と[8]アドレス変換・キャッシュ管理は、いずれも制御・システム超領域🅑に属する。当社
の注力が、記憶素子そのもの（容量・コスト）から、データを効率的に管理・処理するシステム層（SSD
の高度化、AI 向けストレージ）へと拡張していることを、定量的に示している。これは NEBULA 環境
分析で示した AI データセンター需要への対応と整合する。
インサイト 3: 次世代メモリへの堅実な備え。[0]MRAM（337 件）と[3]内の強誘電体メモリ（FeFET）
は、NAND に続く次世代不揮発性メモリの候補である。空間配置で MRAM が製造超領域🅒の近傍に位
置することは、当社が次世代メモリを既存の製造基盤を活用して開発していることを示す。外部でもこ
れらは研究・組込み段階にとどまるため、当社の規模（MRAM 337 件）は次世代への現実的な備えと
して妥当な水準にある。
11. クロスモジュール検証
要点
Explorer 共起ネットワークと Saturn V クラスタは独立に同じ「3D NAND 骨格」を抽出。共
起ハブ「積層・貫通」がクラスタ[3][1]に対応し、2 つの異なる分析手法が相互に補強し合う。


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Saturn V の SBERT クラスタリング（意味ベクトル分析）と Explorer の共起ネットワーク分析（テ
キストマイニング）という 2 つの異なるアプローチの結果を照合すると、相互に補強し合う結果が確認
される。
Explorer の共起ネットワーク分析で中心性が高いハブ語は「電気的」
（中心性 0.913）、
「積層」
「貫通」
「コントローラ」
「不揮発性メモリ」であった。このうち「積層」
「貫通」は、3D NAND の製造（絶縁
層と導電層を交互に積層し、メモリホールを貫通形成する）を直接表す語であり、Saturn V のクラス
タ[3]三次元積層メモリおよび[1]半導体製造に対応する。Explorer のコミュニティ構造でも、製造・
積層構造のコミュニティ（積層体・貫通・絶縁層・電極）、制御のコミュニティ（コントローラ・不揮
発性メモリ・コマンド）、磁気・配線構造のコミュニティ（磁性層・導電層・配線）が検出されており、
これらはそれぞれ Saturn V の製造超領域🅒・制御超領域🅑・磁気超領域🅓に対応する。
語彙ベースの共起分析と意味ベクトルベースのクラスタリングという独立した手法が、同一の技術骨格
（3D NAND の積層構造を中核とする 3 本柱）を抽出したことは、本分析で識別した技術構造が手法依
存のアーティファクトではなく、本母集団に実在する頑健な構造であることを裏付ける。
12. ミクロ分析 A: 超領域別の代表特許
各超領域の技術的本質を具体的に示すため、本分析の特許データセットから代表特許を抽出する（公開
番号・発明名称・出願人・出願年を明示）。
Evidence 1
🅐 メモリ本体・回路超領域の代表特許
• 特開 2023-043399「半導体記憶装置及び半導体記憶装置の製造方法」
（キオクシア、2021 年
出願、IPC: H10B 43/27）: 積層体を貫通する絶縁体構造で強度と読み出し特性を向上。クラ
スタ[3]の量産世代を代表する構造特許。
• 特開 2024-000910「半導体記憶装置」
（キオクシア、2022 年出願）: 酸化物半導体トランジ
スタを用いたメモリセルアレイ。次世代の記憶素子材料への展開を示す。
• 特開 2026-056939「半導体記憶装置」
（キオクシア、2024 年出願、IPC: G11C 11/22, H10B
43/30）: 強誘電体ゲート電極（FeFET 型）
。NAND 基盤上で次世代メモリを探索する最新出願。
• 特開 2021-048491「半導体集積回路、受信装置、及び制御方法」
（キオクシア、2019 年出
願、IPC: H04L 7/033）: クロック再生回路（CDR）。高速データ転送を支える[2]の周辺回路
技術。
• 特開 2022-036654「メモリデバイス及びメモリシステム」
（キオクシア、2020 年出願、IPC:
G11C 16/34）: センスアンプとコントローラによる信頼性向上。[7]読み書き動作の代表。
Evidence 2
🅑 メモリ制御・システム超領域の代表特許
• 特開 2024-115360「メモリシステム」
（キオクシア、2023 年出願、IPC: G11C 16/26）: ホ
スト要求に依らないパトロール処理で読み出し電圧を最適化。コントローラの高度化を示す[9]
の代表。


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• 特開 2023-024008「メモリシステム」
（キオクシア、2021 年出願、IPC: G06F 12/1027）:
アドレス変換情報をセグメント単位で効率的にキャッシュ。SSD の大容量化に伴うアドレス管
理課題への対応で、新興クラスタ[8]の中核。
• 特開 2025-119518「情報処理装置及び情報処理方法」
（キオクシア、2024 年出願、IPC: G06N
20/00）: 学習済みモデルで入力パラメータを短時間最適化。新興クラスタ[5]の AI 活用を代表
する最新出願。
• 特開 2024-043899「方法および情報処理装置」（キオクシア、2022 年出願、IPC: G06F
16/903）: クエリ応答速度と探索精度を両立する近似最近傍探索。ベクトル検索のメモリ近接
処理。
• 特開 2025-141383「ストレージドライブ」
（キオクシア、2024 年出願）: データセンター向
けストレージシステムの高度化。[8]の直近展開。
Evidence 3
🅒 製造・パターニング・検査超領域の代表特許
• 特開 2021-040108「半導体装置の製造方法」
（キオクシア、2019 年出願、IPC: H10B 43/50）:
基板コンタクト部と半導体膜の接続を確保する積層構造製造。クラスタ[1]の中核。
• 特開 2022-034947「半導体装置およびその製造方法」
（キオクシア、2020 年出願、IPC: H01L
25/065）: 積層半導体チップ間の樹脂ブリードを抑制。チップ積層・パッケージ技術。
• 特開 2020-149037「パターン形成材料、パターン形成用組成物、パターン形成方法」
（キオ
クシア、2019 年出願）: 高エッチング耐性の金属含有有機膜マスク。微細パターニング材料。
• 特開 2021-027257「テンプレート、テンプレートの製造方法、パターン形成方法」
（キオク
シア、2019 年出願、IPC: B29C 59/02）: ナノインプリント用テンプレートのレジスト付着抑
制。[10]の代表。
• 特開 2021-149020「パターン検査方法およびフォトマスク作成方法」
（キオクシア、2020 年
出願、IPC: G03F 1/84）: 段差影響を低減し転写不良による歩留まりロスを低減。[6]検査技術
の代表。
Evidence 4
🅓 磁気メモリ超領域の代表特許
• 特開 2022-142888「磁気記憶装置」
（キオクシア・SK Hynix 共同、2021 年出願、IPC: H01L
43/08）: モリブデン層を用いた磁気抵抗効果素子の特性向上。次世代メモリでの技術連携を示
す共同出願。
• 特開 2025-144125「磁気記憶装置」
（キオクシア、2024 年出願、IPC: H10N 50/80, H10B
61/00）: 反平行固定層構造による特性向上。MRAM の最新出願で、クラスタ[0]の継続投資を
示す。


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13. ミクロ分析 B: 主要技術領域の戦略プロファイル
本母集団は単一企業のため、出願人別ではなく主要技術領域（クラスタ）別の戦略プロファイルを分析
する。
[3] 三次元積層不揮発性メモリ（2,610 件、全体の 33.5%、成長リーダー）。本母集団最大のクラスタ
であり、当社の事業の根幹をなす。過去（2011-2017 年）594 件から直近（2018-2024 年）1,432 件
へ+141% 増と、長期で最も力強く成長した領域である。代表特許[2023-043399][2024-000910]
に見られるように、積層数の増大（高層化）と新材料（酸化物半導体・強誘電体）の探索が並行して進
む。3D NAND 専用分類 H10B の出願が 2020 年 28 件から 2021 年 163 件へ急増した時期と一致
し、BiCS 世代展開の量産化を知財面で支えている。当社の競争力の中核であり、今後も最優先の投資
領域である。
[1] 半導体製造・積層電極形成（2,009 件、25.8%、成長リーダー）。記憶素子を物理的に作り上
げる製造技術の集積で、過去 565 件→直近 1,015 件へ+80% 増。CBA（CMOS 直接接合）に代表
されるウェハ接合技術、高アスペクト比のメモリホール加工、電極形成が中心テーマである。代表特許
[2021-040108][2022-034947]はチップ積層・接合の製造課題に対応する。3D NAND の製造難度
が世代ごとに高まる中、この領域の厚みが歩留まりと量産能力を左右する。東京エレクトロン・荏原・
JSR といった製造装置・材料企業との協業もこの領域に集中する。
[9] メモリコントローラ・コマンド処理（1,091 件、14.0%、成長リーダー）。記憶素子をシステムと
して制御する層で、過去 334 件→直近 677 件へ+103% 増と本体に匹敵する成長を示す。誤り訂正、
読み出し電圧の最適化、ウェアレベリング、コマンド処理が主要テーマ。代表特許[2024-115360]は
パトロール処理による信頼性向上を示す。SSD の大容量化・高速化に伴い重要性が増しており、当社が
記憶素子だけでなくシステム全体を手掛ける垂直統合企業であることを体現する領域である。
[0] 磁気抵抗メモリ（MRAM）素子（337 件、4.3%、成熟クラスタ）。NAND とは異なる動作原
理 の 次 世 代 不 揮 発 性 メ モ リ 。 過 去 115 件 →直 近 155 件 へ +35% 増 と 緩 や か に 成 長 。 代 表 特
許[2022-142888]は SK Hynix との共同出願であり、次世代メモリ領域での技術連携が読み取れる。
[2025-144125]に見る 2024 年の最新出願は、当社が次世代への備えを継続していることを示す。外
部でも MRAM は組込み用途中心の段階にあり、当社の規模は現実的な備えとして妥当である。
[6] パターン検査・計測技術（395 件、5.1%、成熟クラスタ）。製造の歩留まりを支える検査技術
で、過去 77 件→直近 126 件へ+64% 増。アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー
（AMIT、東芝系）の検査技術[2006-275611]に源流を持ち、キオクシアの[2021-149020]へと連続
する。3D NAND の微細化・高層化に伴い欠陥検査の難度が高まる中、製造超領域🅒を下支えする重要
技術である。製造データの AI 解析（[5]との接続）に発展する余地を持つ。


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MEGA: 技術テーマ動態分析
本章は、本分析の視座である「キオクシアの開発動向と現在の注力領域」に即して、MEGA PULSE 分
析（CAGR × 活動量の 4 象限マッピング）の結果を読み解く。本母集団は単一企業（キオクシアグルー
プ）の出願で構成されるため、MEGA PULSE は出願人軸ではなく技術テーマ軸（F ターム＝テーマコー
ド）で適用しており、各技術テーマの成長段階と当社の注力配分を評価する。これにより、当社が「ど
の技術テーマに勢いを置き、どのテーマが成熟・縮小しているか」を定量的に把握する。
1. 4 象限の全体構造
144 の F タームテーマを 4 象限に配置すると、リーダー 17・新興 28・成熟 5・衰退ニッチ
要点 94。当社の注力は半導体メモリ（5F083）を筆頭とするリーダー象限に集中し、新興象限にシ
ステム・情報処理テーマが控える。
MEGA PULSE 分析（CAGR × 活動量の 4 象限マッピング）により、本母集団の特許を 144 の Fター
ムテーマに分類し、各テーマを成長率（X 軸: CAGR）と直近の活動量（Y 軸: 直近 5 年の出願件数）で
4 象限に配置した。
象限
テーマ数
意味
リーダー（高成長×高活動）
17
当社の主戦場。勢いも活動量も高い中核テーマ
新興・高ポテンシャル（高成長×低活動） 28
規模は小さいが急成長。次世代の候補テーマ
成熟・既存勢力（低成長×高活動）
5
蓄積は厚いが伸びが鈍化した定番テーマ
衰退・ニッチ（低成長×低活動）
94
規模・成長とも小さい周辺・縮小テーマ
象限分布の特徴は、衰退・ニッチ象限に 94 テーマと最多が集まる一方、件数ベースではリーダー象限
（17 テーマ）に重心がある点である。これは、多数の周辺テーマ（露光の光学系など平面世代の技術）
が縮小する一方で、少数の中核テーマ（半導体メモリ・集積回路・メモリシステム）に出願が集中して
いることを示す。当社の技術ポートフォリオが「選択と集中」の構造にあり、3D NAND メモリとその
周辺の中核テーマへ資源を振り向けていることが、テーマ動態のレベルで確認できる。


# Page. 43

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図 12: MEGA PULSE: F ターム（テーマコード）軸 動態分析マップ
💡 Key Insight
144 テーマのうちリーダー象限は 17 テーマだが、件数の重心はここにある。半導体メモリ
（5F083、2,411 件）を筆頭に中核テーマへ集中する一方、衰退・ニッチ象限の 94 テーマは平面
世代の周辺技術が中心。当社は明確な「選択と集中」のポートフォリオ構造にある。
2. リーダー象限の詳細
リーダー象限の筆頭は半導体メモリ（5F083、2,411 件、CAGR+21.3%）。集積回路配線
要点 （5F101）
、メモリシステム（5B225）、誤り検出訂正（5B160）が続き、当社の中核は「記憶
素子＋配線＋システム＋信頼性」で構成される。
リーダー象限（高成長×高活動）に位置する主要テーマを、活動量・成長率とともに分析する。
最大かつ筆頭はテーマコード 5F083（半導体メモリ）で、総件数 2,411 件、CAGR +21.3%、直近活動
量 612 件と、あらゆる指標で突出している。これは当社の事業の根幹である不揮発性メモリ（NAND）
そのものであり、Saturn V のクラスタ[3]三次元積層メモリ（2,610 件）と対応する。CAGR +21.3%
という高成長は、3D NAND の世代展開（BiCS）に伴う継続的な出願拡大を反映する。
第 2 位の 5F101（半導体集積回路装置・内部配線）は 1,795 件、CAGR +20.1%、活動量 476 件。
3D NAND の立体配線・周辺回路レイアウトに対応し、メモリの高密度化を支える。第 3 位の 5B225
（メモリシステム・情報記憶）は 1,224 件、活動量 192 件で、記憶素子をシステムとして扱うテーマ。
第 4 位の 5B160（誤り検出・訂正）は 903 件、CAGR +17.1%、活動量 210 件であり、Explorer


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で急増語として検出された「誤り位置多項式（ECC）」と符合する。3D NAND の多値化・高層化に伴
いビットエラー率が上昇するため、誤り訂正の重要性が高まっていることを示す。
これらリーダーテーマの構成は、当社の中核が「記憶素子（5F083）＋集積回路配線（5F101）＋メ
モリシステム（5B225）＋信頼性・誤り訂正（5B160）」という、メモリ製品を成立させる技術群で固
められていることを示す。半導体メモリ（5F083）が突出する一方で、信頼性（5B160）やシステム
（5B225）も同時にリーダー象限にある点は、当社が素子単体ではなくシステムとしての完成度を競争
軸としていることの表れである。
3. 新興・高ポテンシャルテーマの分析
新興象限 28 テーマには、情報処理・管理系（5L 系）や CVD 成膜（4K030）など、システム
要点 化と先端製造のテーマが含まれる。Saturn V の新興クラスタ（情報処理・アドレス変換）と整
合する次世代候補。
新興・高ポテンシャル象限（高成長×低活動）には 28 テーマが位置する。規模は小さいが成長率が高
く、次世代の主役候補となるテーマ群である。
代表例としてテーマコード 5L206（情報処理・管理系）が活動量 18 件規模で新興象限に位置する。5L
系は情報処理・データ管理に関わるテーマであり、Saturn V の新興クラスタ[5]情報処理・類似度探索
（AI/機械学習）や[8]アドレス変換・キャッシュ管理（ストレージシステム）と対応する。また 4K030
（化学気相成長＝CVD 成膜）が活動量 17 件で新興象限にあり、3D NAND の高層化に必要な先端成
膜プロセスへの投資を反映する。
これらの新興テーマは、件数こそリーダー象限に及ばないが、当社の技術が「記憶素子の製造・大容量
化」だけでなく、
「データ処理を伴うインテリジェントなメモリシステム」と「それを支える先端製造プ
ロセス」へと拡張していることを示す。MEGA のテーマ動態（5L 系の新興）、Saturn V のクラスタ動
態（[5][8]の新興）、Explorer の語彙トレンド（「メモリデバイス」の急増）が、いずれも同一の方向性
を指している点は、当社の注力シフトが複数の独立した分析で裏付けられていることを意味する。


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図 13: MEGA PULSE: IPC（メイングループ）軸 動態分析マップ
4. 衰退リスクテーマの分析
要点
衰退・ニッチ象限 94 テーマの中核は露光の光学系（2H197・2H195・2H095）。平面 NAND
時代のフォトリソグラフィ技術が、3D 化・ナノインプリント移行とともに縮小している。
衰退・ニッチ象限（低成長×低活動）には 94 テーマと最多が集まる。その中核は露光・光学系のテーマ
である。2H197・2H195・2H095（いずれも光学・露光関連）は、それぞれ総件数 240 件・238
件・184 件規模だが活動量が低く（2H095 は活動量 0）、衰退象限に位置する。これらは平面（2D）
NAND 時代のフォトリソグラフィ・光学露光技術であり、Saturn V のクラスタ[4]フォトマスク・露
光（143 件、CAGR −42%）と対応する。
これらの露光光学テーマの衰退は、技術的な凋落ではなく、技術パラダイムの移行を反映する。3D
NAND では、平面の微細化を追求する従来の光学露光（解像限界との闘い）よりも、積層数を増やす
ことで容量を稼ぐアプローチが主流となった。その結果、露光光学の出願が相対的に縮小し、代わって
ナノインプリント（クラスタ[10]）や積層製造（クラスタ[1]）が伸びている。衰退象限のテーマは「捨
てる技術」ではなく、
「役割を終えつつある前世代技術」として理解すべきである。なお、これらの露光
技術の多くは東芝時代に出願されたものであり、平面 NAND 時代の技術蓄積が 3D 世代への移行とと
もに役割を変えつつあることを示す。
5. 成熟・既存勢力テーマの分析
要点
成熟象限はわずか 5 テーマ。半導体装置の保護・パッケージ系（5F038・5F057・5F131）が
該当し、安定的に出願が続く定番の実装技術である。


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成熟・既存勢力象限（低成長×高活動）には、わずか 5 テーマのみが位置する。代表は 5F038・5F057・
5F131（半導体装置の保護・実装・パッケージ系）で、それぞれ総件数 187 件・143 件・121 件規
模、活動量は中程度（5F038 は 28 件、5F131 は 29 件）である。これらは半導体チップの保護・パッ
ケージング・実装に関わる定番技術であり、メモリ製品の最終工程を支える。
成熟象限のテーマ数が少ない（5 テーマ）ことは、当社の技術ポートフォリオの大半が「成長中（リー
ダー・新興）」か「縮小中（衰退）」のいずれかに分かれ、安定的に高水準を保つ「成熟」テーマが限ら
れることを意味する。これは、半導体メモリという技術変化の速い分野の特性を反映しており、当社が
常に次世代へ技術を更新し続けていることの表れである。実装・パッケージ技術が成熟象限で安定して
いる点は、製品化の最終工程が確立されていることを示し、3D NAND のチップ積層（複数チップを重
ねるパッケージング）の基盤として機能している。
6. テーマ系統別の技術構造
F タームの系統で見ると、5F 系（半導体素子・製造）が中核、5B 系（情報処理・記憶システ
要点 ム）が成長、2H 系（光学露光）が縮小。技術の重心が光学露光から素子・システムへ移動して
いる。
F タームのテーマ系統別に当社の技術構造を整理すると、明確な重心移動が見える。5F 系（半導体素
子・集積回路・製造） が中核を占め、5F083（半導体メモリ）
・5F101（集積回路配線）
・5F033（電
極）
・5F092（パターニング）などがリーダー〜中核に分布する。5B 系（情報処理・記憶システム）
は 5B225（メモリシステム）
・5B160（誤り訂正）がリーダー象限にあり、システム層の成長を担う。
一方、2H 系（光学・露光） は 2H197・2H195・2H095 が衰退象限に集まり、縮小している。
この系統別の分布は、当社の技術の重心が「光学露光（2H 系、平面 NAND 世代）
」から「半導体素子・
製造（5F 系、3D NAND 世代）」と「情報処理・記憶システム（5B 系、システム化）」へと移動してい
ることを示す。テーマコードという独立した分類軸でも、本分析で繰り返し確認される「素子・製造へ
の集中」と「システム化への拡張」という二重の方向性が裏付けられる。
7. 象限遷移予測と技術シナリオ
新興象限の情報処理・成膜テーマが、AI 需要を背景にリーダー象限へ昇格する可能性が高い。一
要点 方、露光光学テーマは衰退象限にとどまる見込み。当社の中核は 3D NAND＋システム化へ収斂
する。
各テーマの象限遷移を予測すると、当社の技術ポートフォリオの将来像が見えてくる。新興・高ポテン
シャル象限の情報処理・管理系（5L206 等）と先端成膜（4K030）は、AI データセンター需要と BiCS
世代の高層化を背景に、今後リーダー象限へ昇格する可能性が高い。これは Saturn V の新興クラスタ
[5][8]の成長予測と整合する。
一方、衰退・ニッチ象限の露光光学系（2H 系）は、3D 化・ナノインプリント移行の流れの中で衰退象限
にとどまる見込みである。リーダー象限の中核テーマ（5F083 半導体メモリ・5F101 集積回路）は、3D


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NAND の世代展開が続く限り高水準を維持する。総じて、当社の技術ポートフォリオは「3D NAND メ
モリ本体＋集積回路＋メモリシステム＋信頼性」という中核に収斂しつつ、その周辺に情報処理・先端
製造という新興テーマが育つ構造へと向かうと予測される。
8. ミクロ分析 A: 象限別の代表特許
各象限のテーマを体現する代表特許を以下に列挙する。
Evidence 1
リーダー象限（半導体メモリ・誤り訂正）の代表特許
• 特開 2023-043399「半導体記憶装置及び半導体記憶装置の製造方法」
（キオクシア、2021 年
出願、IPC: H10B 43/27）: 半導体メモリ（5F083）の量産世代を代表する 3D NAND 構造
特許。
• 特開 2018-160303「半導体記憶装置」（キオクシア、2017 年出願、IPC: G11C 16/10）:
高集積化と歩留りを両立。半導体メモリテーマの中核。
• 特開 2022-036654「メモリデバイス及びメモリシステム」
（キオクシア、2020 年出願、IPC:
G06F 11/10）: センスアンプとコントローラによる信頼性向上。誤り訂正（5B160）テーマに
対応。
Evidence 2
新興象限（情報処理・システム）の代表特許
• 特開 2025-119518「情報処理装置及び情報処理方法」
（キオクシア、2024 年出願、IPC: G06N
20/00）: 学習済みモデルによる最適化。情報処理（5L 系）新興テーマを代表。
• 特開 2023-024008「メモリシステム」
（キオクシア、2021 年出願、IPC: G06F 12/1027）:
アドレス変換情報の効率的キャッシュ。ストレージシステムの高度化。
• 特開 2024-043899「方法および情報処理装置」（キオクシア、2022 年出願、IPC: G06F
16/903）: 近似最近傍探索。AI 向けデータ処理の新興テーマ。
Evidence 3
衰退・成熟象限（露光光学・実装）の代表特許
• 特開 2010-040968「露光方法、半導体装置の製造方法、及びマスクデータの作成方法」
（東
芝、2008 年出願、IPC: H01L 21/027）: 平面 NAND 時代の光学露光技術。衰退象限（2H 系
露光光学）を代表する東芝時代の蓄積。
• 特開 2022-034947「半導体装置およびその製造方法」
（キオクシア、2020 年出願、IPC: H01L
25/065）: 積層チップ間の樹脂ブリード抑制。成熟象限（実装・パッケージ 5F 系）に対応。


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9. ミクロ分析 B: 主要テーマの戦略プロファイル
本母集団は単一企業のため、出願人別ではなく主要 F タームテーマ別の戦略プロファイルを分析する。
5F083 半導体メモリ（2,411 件、リーダー、CAGR +21.3%）。当社の事業の根幹をなす最大テー
マ。直近活動量 612 件と全テーマ中最高で、3D NAND（BiCS）の世代展開が継続的な出願を生んでい
る。Saturn V のクラスタ[3]三次元積層メモリと対応し、代表特許[2023-043399][2018-160303]
が量産世代の構造を体現する。CAGR +21.3% は当社の中核事業が成長の最前線にあることを示し、
最優先の投資テーマである。
5F101 半導体集積回路装置・内部配線（1,795 件、リーダー、CAGR +20.1%）。3D NAND の立
体配線・周辺回路レイアウトを扱う第 2 のテーマ。活動量 476 件。メモリセルの高密度化に伴い、配
線の微細化・多層化が課題となり、本テーマの出願が拡大している。Explorer で急増した「電極」
「配
線」語彙群と符合する。記憶素子の容量を引き出す配線技術として、5F083 と不可分の関係にある。
5B225 メモリシステム・情報記憶（1,224 件、リーダー）。記憶素子をシステムとして扱うテーマで、
SSD のデータ管理・記憶制御に対応する。活動量 192 件。Saturn V の制御超領域🅑（コントローラ
[9]）と対応し、当社が素子単体でなくシステム全体を手掛ける垂直統合企業であることを示す。AI デー
タセンター向けの大容量 SSD 展開の中核テーマである。
5B160 誤り検出・訂正（903 件、リーダー、CAGR +17.1%）。3D NAND の多値化（TLC/QLC）
・
高層化に伴うビットエラー率上昇に対応する信頼性テーマ。活動量 210 件。Explorer で急増語として
検出された「誤り位置多項式（ECC）」と符合し、記憶素子の物理的限界をシステム（誤り訂正）で補
う当社の技術アプローチを示す。データの信頼性という付加価値の中核である。
2H 系 露光・光学（2H197: 240 件ほか、衰退・ニッチ）。平面 NAND 時代のフォトリソグラフィ・
光学露光テーマ。活動量が低く衰退象限に位置する。東芝時代に蓄積された技術が中心で、3D 化・ナ
ノインプリント移行とともに役割を終えつつある。技術の凋落ではなく、パラダイム移行に伴う前世代
技術の縮小として理解すべきテーマである。


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Explorer: 共起ネットワーク分析
本章は、本分析の視座である「キオクシアの開発動向と現在の注力領域」に即して、Explorer の共起
ネットワーク分析（複合名詞の Jaccard 共起 + モジュラリティ最適化によるコミュニティ検出）から、
当社の技術語彙の構造と、その新陳代謝（どの概念が台頭し、どの概念が退いているか）を読み解く。
特に、技術記述語の変化から注力領域のシフトを定量的に捉えることを主眼とする。
1. ネットワーク全体像
共起頻度上位 70 語が 1,274 本のエッジで結ばれ、ネットワーク密度は 0.5275 と極めて高い
要点 「密」な構造。当社の技術語彙が 3D NAND メモリという共通基盤の上で強く相互 connectされ
ていることを示す。
Explorer の共起ネットワーク分析では、本母集団の特許テキスト（発明名称・要約・請求項）から抽
出された共起頻度上位 70 語が、1,274 本のエッジ（共起関係）で結ばれている。ネットワーク密度は
0.5275 であり、APOLLO の解釈基準（0.1 未満＝疎、0.1-0.3＝中程度、0.3 超＝密）において「密」
に該当する。70 ノードで取りうる最大エッジ数の半数以上が実際に結ばれているこの高密度は、当社
の技術語彙が孤立した概念の寄せ集めではなく、相互に強く関連した一つの技術体系をなしているこ
とを示す。
中心性（degree centrality）の上位語を見ると、
「電気的」
（中心性 0.913、出現頻度 8,959）、
「メモ
リセル」
（0.8986、9,284）、
「半導体記憶装置」
（0.8551、20,230）、
「具備」
（0.7826、7,935）が
突出している。とりわけ「半導体記憶装置」は出現頻度 20,230 と全語中で最大であり、本母集団のほ
ぼ全特許に共通する基盤語である。これらの高中心性語は、メモリデバイスの構造（メモリセル）
・電
気的動作・装置構成という、半導体メモリの根幹概念であり、Saturn V TELESCOPE 分析で識別し
た「3D NAND メモリを中核とする技術構造」と整合する。
ただし、この高凝集構造は両義的に解釈すべきである。密度 0.5275 という強い相互結合は、当社の技
術が 3D NAND という単一プラットフォームに集中していることの裏返しでもある。語彙ネットワーク
に「太陽電池」
「パワー半導体」
「ロジック LSI」といったメモリ以外の半導体領域の語がほとんど現れ
ないことは、当社の技術ポートフォリオがメモリに高度に特化していることを示す。これは専業メモリ
メーカーとしての技術的強みである一方、事業がメモリ市況の変動に対して高い感応度を持つという構
造的特性も併せ持つ。語彙構造の凝集性は、強みとリスクの両面から読む必要がある。


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図 14: Explorer 全体共起ネットワーク（技術クラスター）
💡 Key Insight
ネットワーク密度 0.5275 は「密」の高域。当社の技術語彙は「半導体記憶装置」
（頻度 20,230）
「メモリセル」
「電気的」を中心に強く相互接続され、3D NAND メモリという単一の技術体系とし
て凝集している。これは単一企業・単一技術領域の母集団に特有の高凝集構造である。
2. コミュニティ全件詳細
モジュラリティ最適化で 4 コミュニティを検出。①メモリシステム制御、②磁気・配線・3 次元
要点 構造、③製造・積層構造、④メモリセル動作・アレイ。これらは Saturn V の超領域と対応し、
技術体系の頑健性を裏付ける。
モジュラリティ最適化により、70 語は 4 つのコミュニティ（技術概念群）に分かれる。各コミュニティ
を命名し、その技術的意味を述べる。
コミュニティ 0「メモリシステム制御」（16 語、ハブ語「具備」中心性 0.7826）。メモリシステム、コ
ントローラ、不揮発性メモリ、制御方法、コマンド、書き込み、格納、動作、保持、記憶といった語で
構成される。これは記憶素子を「システム」として制御・運用する概念群であり、Saturn V の制御・シ
ステム超領域🅑（コントローラ[9]・アドレス変換[8]・情報処理[5]）に対応する。SSD のファームウェ
アやデータ管理に関わる語彙群である。
コミュニティ 1「磁気・配線・3 次元構造」（19 語、ハブ語「半導体記憶装置」中心性 0.8551）。磁
気記憶装置、磁性層、導電層、配線、対向、延伸、交差、1 方向/2 方向/3 方向（積層方向の記述語）と
いった語で構成される。MRAM の磁性構造と、3D NAND の立体配線・積層方向の記述が混在してお


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り、Saturn V の磁気メモリ超領域🅓（MRAM[0]）と本体超領域🅐の構造記述に対応する。
「交差」
（中
心性 0.7536）が高い点は、ワード線とビット線が立体的に交差する 3D 構造の特徴を反映している。
コミュニティ 2「製造・積層構造」（22 語で最大、ハブ語「電気的」中心性 0.913）。積層体、貫通、
絶縁層、電極、半導体層、半導体基板、半導体装置、製造方法、形成、積層、除去といった語で構成さ
れる。3D NAND を物理的に作り上げる製造プロセスの語彙群であり、Saturn V の製造超領域🅒（半
導体製造[1]）に対応する。最大の 22 語を含むこのコミュニティは、当社の技術記述において製造プロ
セスの語彙が最も豊富であることを示す。
コミュニティ 3「メモリセル動作・アレイ」（13 語、ハブ語「メモリセル」中心性 0.8986）。メモリ
セル、ビット線、ワード線、トランジスタ、ゲート、1 電圧/2 電圧、印加、メモリデバイスといった語
で構成される。記憶素子の動作（電圧印加による読み書き）とアレイ構造（ビット線・ワード線）の語
彙群であり、Saturn V の本体超領域🅐（記憶素子[3]・読み書き[7]）に対応する。
これら 4 コミュニティが Saturn V の 4 超領域とほぼ一対一に対応することは、語彙ベースの共起分
析と意味ベクトルベースのクラスタリングという独立した 2 手法が、同一の技術構造を抽出したことを
意味し、本分析で識別した技術体系の頑健性を裏付ける。
図 15: ワードクラウド分析の特徴語。半導体記憶装置・メモリセル・積層が突出し、技術記述の重心がメモリ構造にあること
を示す。
3. ブリッジエッジの偏在分析
要点
コミュニティを橋渡しする結合は「半導体記憶装置-メモリセル」「交差-積層」など、構造系とメ
モリセル系の接続に集中。記憶素子・構造・製造が分断されず一体の技術体系をなすことを示す。
異なるコミュニティを橋渡しするブリッジエッジを分析すると、技術概念群の接続パターンが見えてく
る。検出された主要ブリッジは「半導体記憶装置-メモリセル」
（コミュニティ 1 と 3 を接続）、
「1 方向-


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積層」
「交差-積層」
「半導体記憶装置-積層」
（構造系と製造系を接続）、
「電気的-1 方向」
「半導体記憶装
置-電気的」（製造系と構造系を接続）である。
これらのブリッジは、いずれも記憶素子（メモリセル・半導体記憶装置）と、その構造（積層・交差・
方向）および製造（電気的・形成）を結びつけている。すなわち、当社の技術語彙において「何を作る
か（記憶素子）」
「どんな構造か（積層・3 次元）」
「どう作るか（製造）」が分断されず、密接に接続され
た一体の技術体系をなしていることを示す。とりわけ「積層」が複数のブリッジのハブとなっている点
（1 方向-積層、交差-積層、半導体記憶装置-積層）は、3D NAND の「積層」という概念が、構造・製
造・素子の各概念群を統合する結節点であることを物語る。これは Saturn V のブリッジ分析で示し
た「本体↔製造の一体性」を語彙レベルで裏付ける所見である。
4. 成長率 × 中心性の 4 象限分析
中心性（重要度）と成長率（新陳代謝）で語彙を 4 象限に配置すると、「メモリデバイス」が低
要点 中心性×高成長の新興語として突出し、
「不揮発性半導体記憶装置」が衰退語として対極に位置す
る。呼称の世代交代が進行している。
技術語を中心性（ネットワーク内の重要度）と成長率（直近の出現頻度変化）の 2 軸で 4 象限に配置す
ると、語彙の新陳代謝が見えてくる。
高中心性 × 高成長（中核かつ伸びている語）には、「電極」（中心性関連、成長率+1.05）、「絶縁層」
（+0.864）、
「半導体層」
（+0.609）が位置する。これらは 3D NAND の積層構造を構成する材料・部
位の語であり、積層数の増大に伴って記述頻度が増えている。3D 構造の高層化という当社の技術進展
が語彙レベルに表れている。
低中心性 × 高成長（新興語）の代表は「メモリデバイス」
（成長率+2.645、過去 365 回→直近 1,333
回）である。この突出した伸びは、製品概念が個別の「記憶素子」から、システムとしての「メモリデ
バイス」へと記述の重心が移っていることを示す。同様に「元素」
（+1.118）も新材料探索の活発化を
反映する。
高中心性 × 低成長（基盤だが伸び悩み）には「メモリセル」
「半導体記憶装置」といった基盤語が位置
する。これらは出現頻度こそ最大級だが、成長率は中庸であり、本母集団の不変の基盤概念として機能
している。
低中心性 × 低成長/衰退（退いている語）には「不揮発性半導体記憶装置」
（成長率-0.716）、
「2 メモ
リセル」
（-0.475）、
「1 ワード線」
（-0.43）が位置する。後述するように、これらは平面 NAND 時代
の記述語であり、3D 化・システム化の進展とともに退いている。


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図 16: Explorer: 急上昇キーワード（Growth Rate）
5. ボトルネック分析
要点
ネットワークの結節点は「半導体記憶装置」「積層」「電気的」。これらが当社技術記述のボトル
ネック（必ず通る概念）であり、3D NAND の構造・製造・動作を貫く共通基盤を形成する。
ネットワーク上で多くの語を媒介する結節点（ボトルネック）は、技術体系の要となる概念である。本
母集団では「半導体記憶装置」
（中心性 0.8551、頻度 20,230）が最大の結節点であり、ほぼ全特許に
共通する基盤語として全コミュニティを束ねている。次いで「積層」
（中心性 0.7391）が構造・製造・
素子の各群を媒介し、「電気的」（0.913）が製造コミュニティの中心として動作記述を束ねる。
これらのボトルネック語は、当社の技術がどれも「半導体記憶装置を、積層構造で、電気的に動作させ
る」という共通の枠組みの上に成り立っていることを示す。技術記述上のこの強い共通基盤は、当社が
単一の技術プラットフォーム（3D NAND）に集中していることの語彙的証跡であり、Saturn V のノ
イズ率 4.35%（高凝集）とも整合する。
ボトルネックの観点から重要なのは、これらの結節点語が時間的に変化している点である。基盤語「半
導体記憶装置」
（頻度 20,230）は不動の結節点である一方、
「積層」
（頻度 3,835）は 3 次元化の進展
とともに結節点としての重要性を増している。逆に、かつて重要だった「印加」
「ワード線」
「書き込み」
といった素子動作の語は中心性・頻度ともに低下しており、技術記述のボトルネックが「素子をどう動
作させるか」から「どう積層し構成するか」へと移動している。この結節点の世代交代は、当社の技術
的関心の移動を語彙構造の中心部で捉えたものであり、Saturn V のクラスタ動態（製造・本体クラス
タの成長）とも方向性が一致する。


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6. 情報フロー分析
語彙の情報フローは「製造・構造（コミュニティ 2）」から「メモリセル動作（コミュニティ 3）」
要点 「システム制御（コミュニティ 0）
」へと流れる。技術記述の重心が物理層からシステム層へ移動
しつつある。
コミュニティ間の接続構造から、技術概念の情報フローを読み解く。最大のコミュニティ 2「製造・積
層構造」
（22 語）が、構造系コミュニティ 1（19 語）とメモリセル系コミュニティ 3（13 語）を介し
て、システム制御系コミュニティ 0（16 語）へと接続する流れが見える。これは「物理構造を作る（製
造）→記憶素子を構成する（構造・セル）→システムとして動かす（制御）」という、メモリ製品の構築
フローそのものを語彙ネットワークが反映していることを示す。
注目すべきは、後述するトレンド分析で「メモリデバイス」
「メモリシステム」というシステム層の語が
急成長する一方、
「ワード線」
「印加」
「書き込み」といった素子動作の基本語が衰退している点である。
これは情報フローの重心が、物理層（素子動作）の記述から、システム層（デバイス・システムとして
の記述）へと移動しつつあることを示唆する。当社の技術記述が、個別素子の動作詳細から、システム
としての価値記述へとシフトしている。
この重心移動を構造的に裏付けるのが、コミュニティ間のサイズの非対称である。製造・積層構造（コ
ミュニティ 2、22 語）が最大の語彙群を形成して情報フローの源流となっている点は、当社の技術記述
が依然として「どう作るか（製造）」を基盤としていることを示す。その一方で、システム制御（コミュ
ニティ 0、16 語）とメモリセル動作（コミュニティ 3、13 語）への語彙の流れが、急増語「メモリデ
バイス」
「メモリシステム」を通じて太くなっている。製造を土台としつつ、その上にシステムとしての
価値を積み上げるという当社の技術構造の二層性が、語彙ネットワークの情報フローに表れている。
7. トレンド時系列分析
過去（2016-2020）対直近（2021-2025）の比較で、「メモリデバイス」が 2.6 倍に急増する
要点 一方「不揮発性半導体記憶装置」が 0.7 減と激減。呼称が素子中心からデバイス/システム中心
へ世代交代している。
Explorer トレンドネットワーク分析（過去 2016-2020 年 対 直近 2021-2025 年）により、技術語
彙の盛衰を定量化する。
急上昇キーワードの筆頭は「メモリデバイス」
（成長率+2.645、365 回→1,333 回）である。これに「元
素」
（+1.118、492→1,043）、
「電極」
（+1.051、689→1,414）、
「絶縁層」
（+0.864、1,212→2,260）、
「半導体層」
（+0.609、810→1,304）が続く。さらに別カットの集計では「磁気メモリデバイス」
「誤
り位置多項式（誤り訂正）」
「1 ビア配線」
「スタンダードセル」
「暗号文」といった語の急増も観測され
ている。これらは2つの方向性を示す。第一に「電極・絶縁層・半導体層・元素」は 3D NAND の積層
構造を構成する材料・部位であり、高層化と新材料探索の活発化を表す。第二に「メモリデバイス・誤
り訂正・暗号文」はシステム・信頼性・セキュリティの語彙であり、記憶素子を超えたシステム価値へ
の注力を表す。


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55
衰退キーワードの筆頭は「不揮発性半導体記憶装置」
（成長率-0.716、369 回→104 回）である。こ
れに「制御方法」
（-0.519）、
「半導体基板」
（-0.48）、
「2 メモリセル」
（-0.475）、
「印加」
（-0.441）、
「ブロック」
（-0.441）、
「1 ワード線」
（-0.43）、
「書き込み」
（-0.411）が続く。
「不揮発性半導体記憶装
置」は記憶素子を指す旧来の総称であり、その激減と「メモリデバイス」の急増は、製品の呼称・概念
が「半導体記憶素子」から「メモリデバイス／システム」へと世代交代していることを明確に示す。ま
た「印加・ワード線・書き込み・2 メモリセル」といった平面 NAND 時代の素子動作の基本記述語の
衰退は、技術記述の重心が個別動作から構造・システムへ移ったことを裏付ける。
別の集計カット（直近 2021-2025 年の生件数ベース）でも、同様の方向性が確認される。急増語とし
て「磁気メモリデバイス」
（直近 181 件）、
「誤り位置多項式」
（115 件、誤り訂正の数理）、
「1 ビア配線」
「2 ビア配線」
（108 件・74 件、立体配線の微細化）、
「スタンダードセル」
（85 件、ロジック設計手法）、
「暗号文」
（70 件、データ暗号化）、
「電圧パルス」
（69 件、書き込み制御）が検出された。これらは 3 つ
の技術潮流を示す。第一に磁気メモリ（MRAM）への継続投資、第二にビア配線・スタンダードセルと
いった集積回路設計の微細化・高度化、第三に誤り訂正・暗号化というデータの信頼性・安全性の確保
である。とりわけ「誤り位置多項式」と「暗号文」の急増は、3D NAND の多値化・高層化に伴う信頼性
確保とセキュリティ機能の組み込みが、当社の新たな注力軸となっていることを定量的に裏付ける。こ
れは CORE 分類分析の課題分類「セキュリティ・データ保護の強化」
（2,476 件）
「デバイス信頼性・
データ保持の向上」（3,044 件）の規模とも符合する。
図 17: Explorer: トレンド・共起ネットワーク
💡 Key Insight
「メモリデバイス」+2.6 倍 対「不揮発性半導体記憶装置」-0.7 という対照は、当社の技術記述が
「半導体記憶素子」から「メモリデバイス／システム」へと世代交代していることを示す。同時に「電
極・絶縁層・元素」の急増は 3D NAND の高層化・新材料探索を、
「誤り訂正・暗号文」の急増は
信頼性・セキュリティへの注力を表す。


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8. 統合的戦略インサイト
要点
語彙分析から 3 つの戦略構造。①「積層」を結節点とする高凝集な技術体系、②呼称の素子→シ
ステム世代交代、③材料・信頼性・セキュリティへの記述拡張。
インサイト 1: 「積層」を結節点とする高凝集体系。ネットワーク密度 0.5275 と、
「半導体記憶装置」
「積層」
「電気的」を結節点とする構造は、当社の技術が 3D NAND という単一プラットフォームに高度
に凝集していることを示す。これは強みであると同時に、技術ポートフォリオの単一技術依存というリ
スク構造でもある。
インサイト 2: 素子からシステムへの語彙世代交代。
「メモリデバイス」
「メモリシステム」の急増と「不
揮発性半導体記憶装置」の激減は、当社の価値提案が「記憶素子の供給」から「メモリソリューション
の提供」へと進化していることを語彙レベルで証明する。これは Saturn V の新興クラスタ（[5]情報
処理・[8]アドレス変換）の台頭と整合する。
インサイト 3: 材料・信頼性・セキュリティへの記述拡張。
「電極・絶縁層・元素」
（材料）、
「誤り位置
多項式」
（誤り訂正＝信頼性）、
「暗号文」
（セキュリティ）の急増は、3D NAND の高層化を支える材料
技術と、データの信頼性・安全性という付加価値への注力を示す。後述の CORE 分析でセキュリティが
課題分類の上位（2,476 件）にある事実とも符合する。
9. クロスモジュール検証
要点
Explorer の語彙トレンドは Saturn V のクラスタ動態・NEBULA の環境分析と相互に整合。語
彙・クラスタ・外部環境の 3 層が同一の「素子→システム」シフトを示す。
Explorer の語彙トレンドを他モジュールの所見と照合する。Saturn V クラスタ動態で新興象限に位
置した[5]情報処理・[8]アドレス変換（システム層）の台頭は、Explorer で「メモリデバイス」
「メモ
リシステム」が急増する語彙トレンドと一致する。両者は独立した分析でありながら、
「記憶素子からメ
モリシステムへ」という同一の方向性を示す。
また、Explorer で急増する「誤り位置多項式」（誤り訂正）「暗号文」（セキュリティ）は、CORE 分
類分析で課題分類「セキュリティ・データ保護の強化」が 2,476 件（課題の上位）を占める事実と符
合する。さらに、NEBULA 環境分析で示した AI データセンター需要への対応（DRAM 依存低減・大
容量 SSD）は、Explorer のシステム層語彙の急増として語彙化されている。語彙（Explorer）
・クラ
スタ構造（Saturn V）・外部環境（NEBULA）の 3 層が、いずれも「素子からシステムへ」という当
社の注力シフトを支持する。
10. ミクロ分析 A: コミュニティ別の代表特許
各コミュニティの技術的本質を示す代表特許を以下に確認する。


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Evidence 1
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コミュニティ 0・3（システム制御／メモリセル動作）の代表特許
• 特開 2024-115360「メモリシステム」（キオクシア、2023 年出願、IPC: G11C 16/26）:
ホスト要求に依らないパトロール処理で読み出し電圧を最適化。
「メモリシステム」
「コントロー
ラ」語彙群（コミュニティ 0）の中核。
• 特開 2018-160303「半導体記憶装置」（キオクシア、2017 年出願、IPC: G11C 16/10）:
電荷蓄積部材を備えるメモリセルで高集積化と歩留りを両立。
「メモリセル」
「ビット線・ワード
線」語彙群（コミュニティ 3）に対応。
Evidence 2
コミュニティ 2（製造・積層構造）の代表特許
• 特開 2023-043399「半導体記憶装置及び半導体記憶装置の製造方法」
（キオクシア、2021 年
出願、IPC: H10B 43/27）: 積層体を貫通する絶縁体構造。
「積層体」
「貫通」
「絶縁層」語彙群
の中核で、急増語「電極・絶縁層」を体現する。
• 特開 2019-169577「半導体記憶装置」
（キオクシア、2018 年出願）: 絶縁層と導電層を交互
積層した構造で大容量化。「積層」「導電層」「絶縁層」の典型。
Evidence 3
コミュニティ 1（磁気・配線・3 次元構造）の代表特許
• 特開 2022-142888「磁気記憶装置」
（キオクシア・SK Hynix 共同、2021 年出願、IPC: H01L
43/08）: 磁性層・非磁性層の積層構造。
「磁気記憶装置」
「磁性層」語彙群（コミュニティ 1）の
中核。
• 特開 2020-136613「半導体装置およびその製造方法」
（キオクシア、2019 年出願）: 交互積
層した導電層・絶縁層を貫くメモリ膜と分離部。
「交差」
「対向」
「延伸」の立体配線語彙に対応。
11. ミクロ分析 B: 成長/衰退語彙に対応する技術領域
本母集団は単一企業のため、成長/衰退キーワードに対応する企業ではなく、技術領域の盛衰として分
析する。
成長語彙「メモリデバイス／メモリシステム」
（+2.645）に対応する領域: Saturn V の制御・システム
超領域🅑（[9]コントローラ 1,091 件、[8]アドレス変換 79 件、[5]情報処理 69 件）。記憶素子をシス
テムとして制御・最適化する領域であり、SSD のファームウェア高度化・AI 向けストレージへ展開し
ている。代表特許[2024-115360][2023-024008]がこの語彙群を体現する。当社の価値提案が「素
子供給」から「ソリューション提供」へ進化していることを示す、最も注目すべき成長領域である。
成長語彙「電極・絶縁層・元素」
（+0.86〜+1.12）に対応する領域: Saturn V の本体・製造超領域🅐🅒
（[3]三次元積層メモリ 2,610 件、[1]半導体製造 2,009 件）。3D NAND の積層数増大（高層化）と新
材料探索を反映する。代表特許[2023-043399][2019-169577]が積層構造の材料・部位を扱う。当
社の量的主戦場であり、語彙の伸びが出願規模の伸び（[3]は+141%）と一致する。


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成長語彙「誤り訂正・暗号文」に対応する領域: 信頼性・セキュリティ。CORE 課題分類「セキュリティ・
データ保護の強化」
（2,476 件）と「デバイス信頼性・データ保持の向上」
（3,044 件）に対応する。
3D NAND の高層化・多値化に伴い、誤り訂正（ECC）とデータ保護の重要性が増していることを示す
付加価値領域である。
衰退語彙「不揮発性半導体記憶装置・ワード線・印加・書き込み」に対応する領域: 平面（2D）NAND
時代の素子動作記述。これらは旧来の記憶素子総称と基本動作の語であり、3D 化・システム化の進展
とともに記述頻度が低下している。技術の衰退ではなく、記述の重心が個別動作から構造・システムへ
移行したことを表す。東芝時代から続く基盤技術が、キオクシアの 3D NAND・システム化へと発展的
に置き換わっている語彙的証跡である。
中核語彙「半導体記憶装置」
（頻度 20,230、不変の基盤）に対応する領域。本母集団のほぼ全特許に
共通する基盤概念であり、特定のクラスタに偏らず全超領域に広がる。この語が成長も衰退もせず安定
して最高頻度を保つことは、当社の事業アイデンティティが一貫して「半導体記憶装置（メモリ）」にあ
ることを示す。東芝時代からキオクシアへ、平面 NAND から 3D NAND へと製品は世代交代しても、
「記憶装置を作る」という当社の技術的アイデンティティは不変であり、この基盤語の安定性がそれを
象徴している。語彙の新陳代謝（メモリデバイスの急増、不揮発性半導体記憶装置の衰退）が活発に進
む中で、最上位の基盤語だけが揺るがない構造は、当社が中核を堅持しながら周辺を刷新する、安定と
革新を両立した技術経営を行っていることを物語る。


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クロスモジュール統合分析
本章は、各モジュールの分析結果を横断的に統合し、単一モジュールでは見えない洞察を導く。6 つの
分析パターンについて、仮説を立て、複数モジュールのデータで検証し、結論を導く構成で記述する。
1. 技術ポートフォリオ構造の頑健性 — ルールベース分類と AIクラス
タリングの相互検証
人手のルールベース分類（CORE）と AI の教師なしクラスタリング（Saturn V）が、独立に同
要点 じ「3D NAND メモリ本体・製造・制御」の 3 本柱を抽出した。本分析で識別した技術構造は手
法に依存しない実在の構造である。
仮説: もし当社の技術ポートフォリオが 3D NAND を中核とする頑健な構造を持つなら、人手で定義し
た論理式による分類（CORE）と、AI による意味ベクトルの教師なしクラスタリング（Saturn V）は、
独立した手法でありながら同一の技術構造を抽出するはずである。
検証: CORE 分類分析の技術分類別件数を Saturn V TELESCOPE 分析のクラスタと照合すると、
CORE「メモリアレイ・三次元集積構造」
（1,216 件、複合分類を含めるとさらに大きい）は Saturn
V クラスタ[3]三次元積層メモリ（2,610 件）に、CORE「メモリ制御・データ管理技術」
（1,009 件）
はクラスタ[9]メモリコントローラ（1,091 件）に、CORE「メモリセル・記憶素子技術」
（661 件）は
クラスタ[3][7]の記憶素子に対応する。製造系でも、CORE「露光・マスク・パターニング」
（319 件）
・
「接合・研磨・基板加工」
（201 件）
・
「成膜・エッチング」
（149 件）が、Saturn V の製造超領域🅒（[1]
半導体製造 2,009 件・[4]フォトマスク・[10]ナノインプリント）に対応する。
結論: 本分析の視座（自社の注力領域の把握）に照らすと、この一致は重要な意味を持つ。論理式という
人間の事前知識と、意味ベクトルというデータ駆動の手法が独立に「記憶素子＋製造＋制御」の 3 本柱
を抽出したことは、当社の技術ポートフォリオが 3D NAND メモリを中核に高度に体系化されている
ことを、手法依存のアーティファクトではない実在の構造として裏付ける。両分類の差分（CORE「そ
の他」1,533 件が大きいが Saturn V ノイズは 4.35% と小さい）は、人手分類の限界を AI 分類が補
完する関係を示し、当社の技術が論理式の想定を超えて有機的に連関していることを示唆する。
この相互検証の頑健性は、複合分類の存在によってさらに裏付けられる。CORE 分類分析では「メモリ
セル・記憶素子技術／メモリアレイ・三次元集積構造」550 件、
「メモリアレイ・三次元集積構造／メ
モリ制御・データ管理技術」302 件という複合分類が存在し、これらは単一の分類に収まらない技術
の融合を示す。一見すると分類の曖昧さに見えるが、実際にはこれは Saturn V の空間配置で本体超領
域🅐と制御超領域🅑が連続的に近接することと整合しており、当社の技術が分類の境界を越えて有機
的に連関していることの現れである。


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2. 技術領域の成長段階 — クラスタ動態と技術テーマ動態の照合
Saturn V のクラスタ動態（成長リーダー 4 クラスタ 6,087 件）と MEGA の F ターム動態
要点 （リーダー 17 テーマ）が、ともに 3D NAND メモリ本体・制御を主戦場、情報処理・システム
を新興と判定。クラスタとテーマの 2 軸で成長段階が一致する。
仮説: もし当社の注力が 3D NAND メモリ本体にあり、その周辺にシステム化の萌芽があるなら、技術
クラスタ（Saturn V）の動態と技術テーマ（MEGA F ターム）の動態は、同一の成長段階を示すはず
である。
検証: Saturn V のクラスタ動態マップで成長リーダー象限に位置するのは[3]三次元積層メモリ・[1]半
導体製造・[9]メモリコントローラ・[2]回路の 4 クラスタ（合計 6,087 件）であり、新興象限に[5]情報
処理・[8]アドレス変換が位置する。これを MEGA PULSE 分析の F ターム動態と照合すると、リーダー
象限の筆頭は 5F083（半導体メモリ、2,411 件、CAGR +21.3%）
・5F101（集積回路配線、1,795
件）
・5B225（メモリシステム、1,224 件）
・5B160（誤り訂正、903 件）であり、新興象限に情報
処理・管理系（5L206 等）が位置する。クラスタ（技術の塊）とテーマ（F ターム分類）という異なる
粒度の 2 軸が、いずれも「メモリ本体・制御が主戦場、情報処理・システムが新興」という同一の成長
段階を示す。
結論: 本分析の視座に照らすと、この一致は当社の現在の注力領域を二重に確定する。すなわち、量的
な主戦場は依然として 3D NAND メモリ本体とその製造・制御にあるが、成長のフロンティアは記憶素
子を超えたメモリシステム・データ処理へと移りつつある。クラスタとテーマの双方がこの方向性を支
持することは、当社の注力シフトが偶発的でなく構造的な戦略転換であることを示す。
短期 CAGR がマイナスであるにもかかわらず、過去対直近の出願件数比較ではリーダー象限のクラス
タが力強く成長している。クラスタ[3]三次元積層メモリは 2011-2017 年の 594 件から 2018-2024
年の 1,432 件へ+141%、[9]メモリコントローラは 334 件から 677 件へ+103%、[2]クロック・回
路は 63 件から 171 件へ+171% と増加している。この短期指標と長期指標の逆説は、2021 年ピー
ク後の調整と公開遅延という時間的要因によるものであり、技術の衰退と読むべきではない。本分析の
視座（注力領域の把握）からは、長期の成長基調こそが当社の真の注力を表す。
3. 技術体系の二重確認 — 共起ネットワークとクラスタ構造の対応
要点
Explorer の共起ネットワーク 4 コミュニティ（制御・磁気構造・製造積層・メモリセル動作）
が、Saturn V の 4 超領域と一対一に対応。語彙構造と意味構造が同一の技術体系を描く。
仮説: もし当社の技術記述が体系的にまとまっているなら、語彙の共起構造（Explorer）と特許の意味
ベクトル構造（Saturn V）は、同じ技術体系を異なる角度から描き出すはずである。
検証: Explorer の共起ネットワーク分析で検出された 4 コミュニティ（メモリシステム制御、磁気・配
線・3 次元構造、製造・積層構造、メモリセル動作・アレイ）を、Saturn V の 4 超領域（メモリ制御・
システム🅑、磁気メモリ🅓、製造・パターニング・検査🅒、メモリ本体・回路🅐）と照合すると、ほぼ一
対一に対応する。さらに、Explorer のハブ語「積層」
「貫通」
「電気的」
「半導体記憶装置」は、Saturn


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V のクラスタ[3]三次元積層メモリ・[1]半導体製造の中核概念と一致する。共起のブリッジ「半導体記
憶装置-メモリセル」
「交差-積層」は、Saturn V のブリッジ分析で示した本体↔製造の一体性を語彙レ
ベルで裏付ける。
結論: 本分析の視座に照らすと、語彙（Explorer）と意味（Saturn V）の独立した 2 手法が同一の技
術体系を描いたことは、当社の技術ポートフォリオが「3D NAND の積層構造」を結節点とする凝集し
た体系であることを確証する。ワードクラウド分析の特徴語でも「半導体記憶装置」
「メモリセル」
「積
層」が突出しており、当社の技術記述の重心が一貫してメモリ構造にあることが確認できる。
共起ネットワークのブリッジ「半導体記憶装置-メモリセル」
「交差-積層」は、異なるコミュニティを結
ぶ結節点である。これらの語が単独でなく相互に結びついている点を、ワードクラウド分析の特徴語分
布と合わせて考えると、当社の技術記述が 3D NAND の積層構造を共通の語彙基盤として持つことが
分かる。語彙（共起ネットワーク）
・意味（クラスタリング）
・特徴語（ワードクラウド）という 3 つの独
立した分析が同一の技術骨格を示すことは、本分析で識別した技術体系の確かさを多角的に裏付ける。
4. 現在の注力領域 — 急上昇語彙と新興クラスタの一致
Explorer の急上昇語「メモリデバイス」（2.6 倍）・「メモリシステム」と、Saturn V の新興ク
要点 ラスタ[5]情報処理・[8]アドレス変換が一致。語彙とクラスタの両面で「記憶素子からシステム
へ」の注力シフトが確認される。
仮説: もし当社の現在の注力が記憶素子からメモリシステムへ移っているなら、急上昇している技術語
彙（Explorer）と、相対的に高成長の新興クラスタ（Saturn V）は、同じシステム化の方向を指すは
ずである。
検証: Explorer トレンドネットワーク分析の急上昇語の筆頭は「メモリデバイス」（成長率+2.645、
365 回→1,333 回）であり、これに「メモリシステム」関連語が続く。一方で旧来の「不揮発性半導体
記憶装置」は-0.716 と激減している。この語彙の世代交代を Saturn V のクラスタ動態と照合すると、
新興象限に位置する[5]情報処理・類似度探索（AI・機械学習）と[8]アドレス変換・キャッシュ管理（ス
トレージシステム）が、まさに「メモリデバイス／システム」の語彙が指す技術領域である。代表特許
でも、[2025-119518]情報処理装置（機械学習による最適化、2024 年）
、[2024-043899]近似最近
傍探索（2022 年）、[2023-024008]アドレス変換のキャッシュ（2021 年）といった直近出願が、こ
の方向を体現する。
結論: 本分析の視座に照らすと、語彙（Explorer）とクラスタ（Saturn V）の両面で「記憶素子からメ
モリシステムへ」という注力シフトが一致して確認されることは、これが当社の現在の最重要の戦略方
向であることを示す。記憶素子の容量・コスト競争から、データを近傍で処理するインテリジェントな
ストレージへと、当社の価値提案が進化している。
この注力シフトは、当社の事業発信とも整合する。当社は AI データセンター向けに業界初の
245.76TB SSD を発表し、DRAM 依存を低減するメモリ階層の再構成を提唱している11。新興クラス
タ[5][8]の出願は、こうした事業戦略を知財面で先行的に裏付けるものであり、研究開発と事業が同一
11KIOXIA「Scale AI Without Limits: KIOXIA Showcases Breakthrough Flash Storage Solutions at FMS
2025」(https://www.kioxia.com/en-jp/business/news/2025/20250805-1.html)、取得日: 2026-06-28


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方向を向いていることを示す。本分析の視座に照らすと、これは当社の現在の注力が記憶素子の容量競
争から、データを近傍で処理するソリューションへと明確に移行しつつあることを意味する。
5. 外部環境と出願動態の連動 — 政策・市場イベントと技術トレンド
本母集団の出願急増（2015 年）と 3D NAND 専用分類 H10B の急増（2021 年 163 件）は、
要点 外部の 3D NAND 市場の高成長・AI 需要・日本の半導体政策支援と時期的に連動する。出願は
事業投資と一体で動いている。
仮説: もし当社の出願活動が事業戦略と連動しているなら、出願トレンドの変曲点（ATLAS）と技術テー
マの動態（MEGA）は、外部環境イベント（NEBULA 環境分析）と時系列的に対応するはずである。
検証: ATLAS 時系列分析では、出願が 2015 年に 412 件へ急増し 2021 年 656 件でピークを記録し
た。3D NAND 専用分類 H10B の出願は 2020 年 28 件から 2021 年 163 件、2022 年 279 件へと急
増している。これを NEBULA 環境分析のマクロイベントおよび Web 調査と照合すると、外部では 3D
NAND メモリ市場が 2025 年の約 303 億ドルから 2030 年の約 884 億ドルへ年率約 24% で成長す
ると予測され12、AI データセンター需要が牽引している。さらに 2024 年には経済産業省が四日市・北
上工場の第 8/9 世代 3D NAND 量産へ最大 2,430 億円を補助し、同年 12 月の上場で増産投資が再開
された13。当社の BiCS 世代展開（第 8 世代 218 層の CBA 技術、第 9 世代の量産）14は、H10B 出願
の急増と整合する。
結論: 本分析の視座に照らすと、出願動態が外部の市場成長・AI 需要・政策支援と時系列的に連動してい
ることは、当社の知財活動が研究室レベルの探索ではなく、量産事業と一体で動いていることを示す。
出願の見かけ上の減少（2023 年以降）は公開遅延によるものであり、事業投資が活発化している現状
とは矛盾しない。
この連動をさらに具体的に見ると、当社の BiCS 世代展開は第 8 世代 218 層を経て、第 9 世代 512Gb
TLC の量産、第 10 世代 332 層の計画へと進んでおり15、3D NAND 専用分類 H10B の出願の年次増
加と歩調を合わせている。政策・市場・技術・出願の 4 者が同期して動いている点は、当社の知財活動
が事業戦略と一体化していることの強い証左である。Saturn V PROBE 分析のサブクラスタ・ドリル
ダウンでも、三次元積層メモリ内部が世代・構造ごとに細分化されており、技術の深化が進んでいるこ
とが確認できる。
12GM Insights「3D NAND Flash Memory Market」(https://www.gminsights.com/industry-analysis/3dnand-flash-memory-market)、取得日: 2026-06-28
13KIOXIA「統合報告書 2025」(https://www.kioxia-holdings.com/content/dam/kioxia-hd/shared/ir/library/
integrated-report/2025/asset/Integrated-Report-2025-all-view-ja.pdf)、取得日: 2026-06-28
14TechInsights「 KIOXIA/WD BiCS8 218L CBA 3D TLC NAND」 (https://www.techinsights.com/blog/
kioxiawd-bics8-218l-cba-3d-tlc-nand)、取得日: 2026-06-28
15Tom’s Hardware「Kioxia’s next-gen 3D NAND production gets expedited to 2026」(https://www.
tomshardware.com/pc-components/ssds/kioxias-next-gen-3d-nand-production-gets-expedited-to-2026report-claims-high-capacity-332-layer-bics10-devices-to-sate-growing-demand-from-ai-data-centers)、取
得日: 2026-06-28


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6. 出願の量と質 — 権利化状況と成長領域の重ね合わせ
本母集団は拒絶率 3.9% と低く出願の質が高い一方、取下げ 42.1% と戦略的・防衛的管理を行
要点 う。成長領域（3D NAND）にコア権利を集中し、周辺は維持コストを抑制するメリハリのある
知財戦略が読み取れる。
仮説: もし当社が成長領域に知財を集中させているなら、権利化の質（ATLAS 権利状況）と技術領域
の成長段階（Saturn V / MEGA）の重ね合わせから、量だけでなく質を伴う戦略的な出願管理が読み
取れるはずである。
検 証 : ATLAS 基 本 統 計 分 析 の 権 利 状 況 で は 、 本 母 集 団 7,789 件 の う ち 権 利 継 続 は 1,958 件
（25.1%）、取下げ 3,278 件（42.1%）、拒絶はわずか 301 件（3.9%）である。拒絶率 3.9% とい
う低さは出願の技術的質の高さを示す。一方で取下げ 42.1% という高さは、技術を公開して他社の権
利化を防ぐ防衛出願や、事業判断による戦略的取下げを示唆する。これを Saturn V のクラスタ動態・
MEGA のテーマ動態と重ねると、成長リーダーの 3D NAND メモリ本体・製造（クラスタ[3][1]、テー
マ5F083）に大量出願で参入障壁を築きつつ、衰退領域の露光光学（クラスタ[4]、テーマ 2H 系）で
は出願を縮小している。2023 年以降の出願は審査係属中・出願のみの段階にあり、権利化率は今後変
動する暫定値である。
結論: 本分析の視座に照らすと、当社は「通る出願を、メリハリをつけて管理する」高度な知財戦略を
持つ。成長領域にコア権利を集中させ、役割を終えた周辺技術は維持コストを抑制する。出願の量と質
の両面から、3D NAND という主戦場への選択と集中が確認される。
権利の質という観点を成長領域と重ねると、もう一段の構造が見える。成長リーダーの 3D NAND メモ
リ本体（クラスタ[3]）では大量出願により参入障壁を構築する一方、拒絶率 3.9% という低さは個々
の出願の質も高いことを示す。量を追うことと質を保つことは一般に両立しにくいにもかかわらず、当
社は成長領域で量・質を両立させている。これは東芝時代から続く長年の技術蓄積に裏打ちされた、成
熟した知財オペレーションの現れであり、本分析の視座（注力領域の把握）からは、当社が 3D NAND
という主戦場に経営資源を確信的に集中させていることを物語る。
7. 統合考察 — 6 つの検証が描く一貫した像
6 つのクロス分析は、独立した手法でありながら一貫した像を描く。本母集団では、当社の技術
要点 が 3D NAND を中核に体系化され、注力が記憶素子からメモリシステムへ拡張しているという結
論が、多角的に裏付けられる。
6 つのクロス分析の主要な数値根拠と本母集団での結論を、以下に一覧する。
検証の観点
主要な数値根拠
本母集団での結論
構造の頑健性
上位 3 クラスタで 73.3%、ノイズ率 4.35%
3D NAND を中核に体系化
技術領域の成長
[3]+141%、[9]+103%、新興[5][8]計 148
件
本体が主戦場、システムが新興


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検証の観点
主要な数値根拠
本母集団での結論
語彙の世代交代
メモリデバイス+2.6 倍、不揮発性半導体記憶
装置-0.7
記憶素子からシステムへ
外部環境との連動
H10B 2021 年 163 件、補助 2,430 億円
市場・政策と同期
権利の質
権利継続 25.1%、拒絶 3.9%、取下げ
42.1%
量と質を両立
技術の承継
東芝 2,653 件→キオクシア 4,422 件
2017 年転換・技術は連続
また、本分析で用いた 6 つのモジュールは、それぞれ異なる方法論で同一の特許群を捉えており、その
役割と主要な発見は以下の通りである。
モジュール
方法論
本母集団での主要発見
Saturn V
意味ベクトル
（SBERT+UMAP+HDBSCAN）
12 クラスタ、3D NAND が中核
Explorer
語彙の共起ネットワーク
「メモリデバイス」語の急増
CORE
ルールベース分類
パターン形成精度が最大課題
MEGA
テーマ動態 4 象限
半導体メモリ 5F083 がリーダー
ATLAS
時系列・権利状況
2017 年名義転換、拒絶率 3.9%
NEBULA
外部環境分析
市場・政策と出願の連動
以上 6 つのクロス分析は、それぞれ異なるモジュールの組み合わせで検証を行ったにもかかわらず、一
貫した像を描き出している。本母集団では、当社の技術ポートフォリオが 3D NAND メモリを中核に高
度に体系化されており（構造の相互検証）、その上で注力の重心が記憶素子からメモリシステム・データ
処理へと移行しつつある（動態の検証）。この移行は外部の AI データセンター需要・政策支援と連動し
ており（環境との照合）、当社は成長領域に量・質両面の知財を集中させている（権利の質の検証）。本
母集団に対するこれらの観察は、いずれも単一のモジュールでは得られない統合的な洞察である。
特筆すべきは、これら 6 つの検証が単一のデータソースに依存していない点である。Saturn V（意味
ベクトル）
・Explorer（語彙共起）
・CORE（ルール分類）
・MEGA（テーマ動態）
・ATLAS（時系列・
権利）
・NEBULA（外部環境）という 6 つの分析が、相互に補強し合いながら同一の結論を支持してい
る。本母集団に対するこの多角的検証の収束は、当社の「3D NAND を中核とし、システム化へ拡張す
る」という技術戦略が、分析手法の偶然ではなく実在の構造であることを強く示唆する。
6 つの検証の中には、一見矛盾する所見もあった。本母集団のクラスタ動態では短期 CAGR が全てマ
イナスであるにもかかわらず、長期の出願件数は大幅に増加している。この矛盾は 2021 年ピーク後の
調整と特許公開の時間差という構造的要因で説明され、技術の衰退ではない。同様に、当社のノイズ率
4.35% という低さ（成熟・均質）と新興クラスタの存在（次世代の萌芽）も一見相反するが、これは
当社の技術が確立された中核（3D NAND）を持ちつつ、その周縁で次世代を探索しているという、成
熟企業特有の二層構造を表す。これらの見かけの矛盾を解きほぐすことで、本母集団の技術構造のより
深い理解が得られる。
本分析の視座（自社の開発動向と注力領域の把握）に照らすと、当社の現在地は明確である。本母集団
では、過去の技術蓄積（東芝時代からの承継を含む）を土台に 3D NAND の量産競争力を確立し、い
ままさにメモリシステム・AI 向けストレージという次の主戦場へと注力をシフトさせている。本母集団
に観察される新興クラスタ[5]情報処理・[8]アドレス変換は現状では小規模（合計 148 件）にとどま


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るが、当社の AI 向けストレージ事業の拡大に伴い、これらが次の中核へ成長するかが、当社の今後の
成長を左右する分岐点となる。
これら 6 つの検証は独立しているが、論理的には階層をなしている。技術構造の頑健性（構造の相互検
証）が土台にあり、その上で技術領域の成長段階（動態の検証）と現在の注力（注力シフトの検証）が
読み取れる。さらに、その注力が外部環境と整合し（環境との照合）、権利の質で裏付けられている（権
利の質の検証）。本母集団に対するこの階層的な検証構造は、当社の技術戦略を「構造→動態→環境→
質」という多層で立体的に捉えることを可能にする。単一の指標では見落とされがちな、当社のポート
フォリオの厚みと方向性が、この多層検証によって浮かび上がる。
ただし、これらのクロス分析の結論は、本母集団（権利者キオクシアの日本出願公報）の範囲内での観
察である点に留意が必要である。本母集団では当社の技術ポートフォリオの内部構造は精緻に読み取
れるが、競合他社との相対的なポジションや、当社のグローバルな出願戦略は本分析の対象外である。
例えば、当社が新興領域[5][8]に注力していることは本母集団から明確に読み取れるが、同領域で競合
他社がどの程度先行しているかは、本母集団のデータだけでは判断できない。本分析の視座（自社の開
発動向と注力領域）に即した結論は確度が高いが、競争戦略の立案には外部データによる補完が不可欠
である。
本母集団の技術構造をこのように多角的に検証できたのは、各分析が異なる方法論（意味ベクトル・語
彙共起・ルール分類・テーマ動態・時系列・外部環境）で同一の特許群を捉えているためである。当社の
7,789 件という母集団規模は、こうした多層的なクロス検証に十分な統計的厚みを提供しており、3D
NAND を中核とする技術構造が偶然ではなく一貫した戦略の産物であることを、高い確度で結論づけ
られる。本母集団に対する分析の信頼性は、この方法論的多様性によって担保されている。
以上の 6 つのクロス分析と統合考察を総合すると、本母集団の分析は単一モジュールの所見の寄せ集め
ではなく、相互に検証し合う立体的な技術戦略の像を結ぶ。本母集団で観察された「3D NAND を中核
とした集中」と「メモリシステムへの拡張」という当社の方向性は、6 つの独立した分析手法の収束に
よって高い確度で裏付けられている。なお、各分析を支える図表（技術ランドスケープ・クラスタ動態
マップ・共起ネットワーク・各種マトリクス等）は、重複を避けるため本レポートの対応する各モジュー
ル章に集約して掲載している。


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仮説検証サマリー
本レポートで導出した仮説とその検証結果を以下に整理する。仮説は外部環境分析（環境・政策・市場
コンテキスト）で導出し、各モジュール分析およびクロスモジュール統合分析で検証した。
ID
仮説
判定
根拠
H1
3D NAND 量産化との連動
✅ 支持
3D NAND 専用分類 H10B が 2020 年 28 件
→2021 年 163 件→2022 年 279 件と急増。
Saturn V クラスタ[3]三次元積層メモリ
（2,610 件、過去比+141%）が最大クラス
タ。外部の 3D NAND 市場成長（CAGR 約
24%）と整合
H2
記憶素子からメモリシステムへの拡張
✅ 支持
Explorer 急上昇語「メモリデバイス」+2.6
倍／「不揮発性半導体記憶装置」-0.7。
Saturn V 新興クラスタ[5]情報処理・[8]アド
レス変換。MEGA 新興象限に情報処理系
（5L206）。語彙・クラスタ・テーマの 3 面が
一致
H3
AI データセンター需要の反映
✅ 支持
新興クラスタ[5][8]の 2024 年代表特許
（[2025-119518]機械学習・
[2025-141383]ストレージドライブ）。当社
の AI 向け大容量 SSD 戦略（業界初
245.76TB）と整合
H4
製造技術（ウェハ接合）への集中投資
✅ 支持
Saturn V クラスタ[1]半導体製造（2,009
件、過去比+80%）。CORE「接合・研磨・基
板加工」201 件。第 8 世代 BiCS の CBA
（CMOS 直接接合）技術と整合
H5
経済安全保障下の知財管理
⚠️ 部分支持
ATLAS 権利状況: 拒絶率 3.9%（質高い）・取
下げ 42.1%（戦略的・防衛的管理）。ただし
「経済安全保障の影響」は外部環境からの推論
であり、出願データから直接は確認できない
未検証の仮説と今後の課題
上記のうち H5（経済安全保障下の知財管理）は、権利状況のデータから戦略的・防衛的な出願管理の
存在は確認できたが、その動機が経済安全保障に直接起因するかは本母集団のデータからは断定でき
ない。また本母集団は日本出願公報に限定されるため、当社のグローバルな知財戦略（米国・欧州・中
国での出願動向）は本分析の対象外である。グローバル特許データを用いた追加分析が、当社の知財戦
略の全体像把握には有効である。


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分析過程で確認された追加的事項
本分析の視座（キオクシアの自社特許ポートフォリオ分析）に即した分析の過程で、母集団設計に関わる以下
の事項が確認された。これは当初の分析観点の前提に関わるため記録する。
東芝名義特許の母集団への包含
本母集団は「権利者がキオクシア」という条件で抽出されたが、出願人名義の実態を確認すると、東芝
名義が全体の 29.8%（キオクシアシステムズ・東芝デバイスソリューション等の関連名義を含めると
さらに大きい）を占める。これは、2017 年の東芝メモリ分社以前に東芝名義で出願され、権利がキオ
クシアへ承継された特許が母集団に含まれているためであり、検索条件（権利者キオクシア）と整合す
る想定内の結果である。設計意図（権利者キオクシアの日本出願公報）とも矛盾しない。本分析では、
これらの東芝名義特許を「技術承継の連続性」を示すものとして積極的に活用し、東芝時代からキオク
シアへの技術発展（平面 NAND→3D NAND、フォトリソグラフィ→ナノインプリント）を読み解く材
料とした。なお、この包含により本母集団は「キオクシアが現在保有する技術資産の全体像」を表すも
のとなっており、
「キオクシアが分社後に独自開発した技術のみ」を見たい場合は、出願年 2017 年以
降（4,422 件）に絞った別分析が必要である点に留意されたい。


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戦略的提言
分析結果の総括
本分析の視座から導出される結論は、当社が 3D NAND メモリを中核とする高度に体系化され
要点 た技術ポートフォリオを持ち、現在の注力を記憶素子からメモリシステム・データ処理・信頼性
へ拡張しつつ、次世代メモリへの備えを進めている、という点に集約される。
本分析の視座（自社の開発動向と注力領域の把握）から導出される結論として、以下の要点を提示する。
総括: 3D NAND を中核とする体系化されたポートフォリオと、システム化への注力シフト
• 注力領域の集中: 本母集団では、出願が 3D NAND メモリ本体（三次元積層、2,610 件）
・製
造（2,009 件）
・コントローラ（1,091 件）の 3 本柱に集中し、上位 3 クラスタで 73.3% を
占める。ノイズ率 4.35% が示す通り、技術ポートフォリオは高度に体系化されている。
• 時系列の変遷と承継: 出願は 2015 年の 3D NAND 量産化を機に急増し、2017 年の分社で名
義が東芝からキオクシアへ完全移行した。東芝時代の技術蓄積がキオクシアへ連続的に承継・
発展している。
• 現在の注力（新興領域）: メモリコントローラの高度化と、情報処理・機械学習（新興クラスタ
[5]）
・アドレス変換（[8]）への拡張が、当社の現在の注力を示す。記憶素子からインテリジェ
ントなメモリシステムへの進化である。
• 製造・検査技術の厚み: 3D NAND の高層化を支える製造（CBA＝ウェハ接合）・検査技術が、
当社の競争力の源泉として厚く蓄積されている。
• 次世代メモリと信頼性: MRAM（337 件）
・強誘電体メモリ（FeFET）という次世代メモリへ
の備えと、誤り訂正・セキュリティという信頼性・付加価値技術への注力を継続している。
戦略的インプリケーション
本分析の視座に照らすと、これらの結論は当社の技術経営に 3 つの含意を持つ。第一に、3D NAND メ
モリへの高度な集中は専業メモリメーカーとしての強みである一方、技術ポートフォリオがメモリ
に特化していることは、メモリ市況の変動に対する事業の感応度が高いという構造的特性を併せ持つ。
Explorer の語彙ネットワークにメモリ以外の半導体領域の語がほとんど現れないことが、この特化を
裏付ける。
第二に、記憶素子から記憶システムへの注力シフトは、当社の価値提案を「容量・コストの競争」から
「データ処理を伴うソリューションの競争」へと転換する可能性を持つ。AI データセンター需要を背景


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に、メモリコントローラ・情報処理・大容量 SSD という新興領域は、当社が次の成長を確保する上で
の重点投資先となる。
第三に、東芝からの技術承継の連続性は、当社が長期の技術蓄積を資産として持つことを意味する。平
面 NAND から 3D NAND への世代交代を実現した実績は、次世代メモリ（MRAM・FeFET）への移行能
力の裏付けともなる。これらの承継資産を、次世代技術開発の土台として活用することが重要である。
推奨アクション
優先度: 高
3D NAND 高層化を支える製造技術（CBA・接合・検査）への継続投資
当社の競争力の源泉は、設計と製造の一体性にある。第 8 世代以降の CBA（ウェハ接合）技術と、高層化に
伴う高アスペクト比加工・パターン検査への投資を継続し、製造の優位を維持・強化する。クラスタ[1]半導体
製造（2,009 件）・検査技術（395 件）の蓄積を活かす。
推奨実施時期: 短期（継続）
優先度: 高
メモリシステム・AI 向けストレージ（情報処理・アドレス変換）の出願拡大
現在の注力領域である新興クラスタ[5]情報処理・[8]アドレス変換を、量産事業の次の柱として育成する。AI
データセンター向けの大容量 SSD・データ近傍処理・CXL 対応の出願を拡大し、記憶素子からメモリシステ
ムへの価値転換を知財面で確立する。
推奨実施時期: 中期（1-3 年）
優先度: 中
誤り訂正・データセキュリティの信頼性技術の強化
3D NAND の多値化・高層化に伴うビットエラー率上昇に対応し、誤り訂正（ECC）とデータ保護（暗号化・
認証）への投資を強化する。CORE 課題分類でセキュリティ（2,476 件）
・信頼性（3,044 件）が上位にあ
り、これらを付加価値の中核とする。
推奨実施時期: 中期（1-3 年）
優先度: 中
次世代メモリ（MRAM・強誘電体 FeFET）への備えの継続
NAND に続く次世代不揮発性メモリとして、MRAM（337 件）
・強誘電体メモリ（FeFET、[2026-056939]）
への探索的投資を継続する。既存の製造基盤を活用する形で開発を進め、外部でも R&D 段階にある同領域で
の先行ポジションを確保する。
推奨実施時期: 長期（3-5 年）


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優先度: 低
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製造×AI のホワイトスペース開拓
当社が保有するパターン検査技術（クラスタ[6]、395 件）と AI・機械学習技術（クラスタ[5]）を融合し、製
造プロセスデータの AI 解析による歩留まり最適化という未開拓領域を開拓する。3D NAND の製造難度が高
まる中、歩留まり改善は大きな事業インパクトを持つ。
推奨実施時期: 長期（3-5 年）
優先度: 中
東芝承継特許の棚卸しと権利の選択的維持
東芝時代に出願され承継した特許（2016 年以前 2,653 件）を棚卸しし、3D NAND・次世代技術に資する
基盤特許は権利を維持、役割を終えた平面 NAND・露光光学の特許は維持コストを抑制する。拒絶率 3.9%・
取下げ 42.1% に表れる戦略的知財管理を、承継資産にも適用する。
推奨実施時期: 短期（1 年以内）
アクションアイテム
Action Items
☐ 3D NAND 製造（CBA・高アスペクト比加工・検査）の出願ロードマップを世代計画（BiCS 第 9・第
10 世代）と整合させる
☐ メモリシステム・AI 向けストレージ（情報処理・アドレス変換・CXL）の出願目標を設定し、新興クラ
スタの育成を定量管理する
☐ 誤り訂正・セキュリティの信頼性技術について、3D NAND 多値化の技術課題に対応する出願計画を策
定する
☐ 次世代メモリ（MRAM・FeFET）の探索的出願を継続し、既存製造基盤との技術共有を図る
☐ 製造プロセスデータの AI 解析（製造×AI）の研究開発テーマを設定し、検査技術と AI 技術の社内連携
を進める
☐ 東芝承継特許を棚卸しし、技術領域別に権利維持・取下げの方針を決定する


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付録
A. 分析条件一覧
項目
内容
特許データベース
提供された特許データセット
収録年情報
1997 年〜2025 年（出願年基準）
対象件数
7,789 件
権利者
キオクシア（東芝時代に出願され権利を承継した特許を含む）
母集団タイプ
単一企業（自社特許ポートフォリオ分析）
分析実施日
2026 年 6 月
分析ツール
APOLLO v9.0.0
CAPCOM モジュール
Claude Code（Anthropic）, Codex CLI（OpenAI）, Antigravity
IDE（Google）
テキスト埋め込み
SBERT（paraphrase-multilingual-MiniLM-L12-v2）
次元削減
UMAP（n_neighbors=15, min_dist=0.1, metric=cosine）
クラスタリング
HDBSCAN（min_cluster_size=自動推定）
テキスト前処理
patiroha: Janome 形態素解析 + NFKC 正規化 + ストップワード除去
+ 複合名詞結合
共起ネットワーク
70 ノード、1,274 エッジ、Louvain コミュニティ検出
動態分析
CAGR × 活動量の 4 象限（MEGA PULSE、F ターム軸）
クラスタ動態
累積件数 × CAGR（直近 5 年）の 4 象限マップ
多様性指標
HHI / Entropy / Gini
TF-IDF 語彙数
8,256
B. 用語解説
用語
解説
3D NAND（BiCS）
メモリセルを垂直方向に積層した 3 次元構造の NAND 型フラッシュメモリ。キ
オクシアのブランド名は BiCS FLASH。積層数を増やすことで容量を拡大する
CAGR
Compound Annual Growth Rate（年平均成長率）。複数年の成長を年率換算
した指標
CBA
CMOS directly Bonded to Array。メモリセルアレイと制御回路（CMOS）を
別ウェハで製造し貼り合わせる、第 8 世代 BiCS 以降の製造技術


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用語
解説
c-TF-IDF
class-based TF-IDF。クラスタ単位で文書を結合して TF-IDF を計算し、クラス
タを判別する特徴語を抽出する手法
CXL
Compute Express Link。CPU・メモリ・アクセラレータ間を高速接続する規
格。大容量メモリ拡張に用いられる
Entropy
Shannon Entropy。多様性を測る指標。値が高いほど分散（多様）
FeFET
Ferroelectric FET（強誘電体トランジスタ）。強誘電体を用いた次世代不揮発性
メモリ素子
F ターム
日本特許庁が独自に定義した技術分類体系（テーマコード）
Gini
Gini 係数。不平等度を測る指標。0＝完全平等、1＝完全不平等
HDBSCAN
Hierarchical Density-Based Spatial Clustering of Applications with
Noise。密度ベースの階層的クラスタリング手法
HHI
Herfindahl-Hirschman Index。集中度を測る指標。本分析は単一企業母集団の
ため市場の集中の度合いとしては解釈しない
IPC
International Patent Classification（国際特許分類）。H10B は 3D NAND 等
の半導体メモリ専用の新分類
MRAM
Magnetoresistive RAM（磁気抵抗メモリ）。磁化反転で記憶する次世代不揮発
性メモリ
SBERT
Sentence-BERT。文章単位の意味的類似度を計算する事前学習済み言語モデル
UMAP
Uniform Manifold Approximation and Projection。高次元データを 2 次元に
次元削減する手法
クラスタ動態マップ
各クラスタの累積件数（X 軸）と CAGR（Y 軸）をプロットした 4 象限マップ
コミュニティ検出
ネットワーク内で密に接続されたノード群を自動検出するアルゴリズム。本分析
では Louvain 法を使用
ノイズ（HDBSCAN）
HDBSCAN が既存クラスタのいずれにも分類しなかったデータ点。萌芽技術候補
を含む
共起ネットワーク
特許文書中で頻繁に同時出現するキーワードのペアをエッジで接続したネット
ワーク
C. Web 調査出所一覧
No.
情報内容
出所
取得日
W1
NAND メモリ市場規模・3D NAND 成長予
測
Mordor Intelligence / GM Insights
2026-06-28
W2
BiCS8（218 層）・CBA 技術の性能
TechInsights / KIOXIA
2026-06-28
W3
BiCS9 量産・BiCS10（332 層）計画
KIOXIA / Tom’s Hardware
2026-06-28
W4
経産省の半導体補助金（最大 2,430 億円）
日本経済新聞 / 経済産業省
2026-06-28
W5
東証上場・2024 年度最高業績
KIOXIA 統合報告書 2025 / 日経クロス
テック
2026-06-28
W6
AI 向け大容量 SSD（245.76TB）・CXL 戦
略
KIOXIA
2026-06-28


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No.
情報内容
出所
取得日
W7
次世代メモリ（FeFET・MRAM）の開発状
況
Semiconductor Engineering（M.
Lapedus）
2026-06-28
W8
NAND 市場でのキオクシアの位置（参考）
TrendForce / Counterpoint
Research
2026-06-28
D. 母集団検索式
本分析で用いた母集団は、以下の検索式によって抽出されている。
AS=キオクシア
上記検索式は「権利者（出願人）がキオクシア」を条件とするものであり、2017 年の東芝メモリ分社
以前に東芝名義で出願され権利を承継した特許を含む。本文「分析過程で確認された追加的事項」章で
述べた通り、この包含により本母集団はキオクシアが現在保有する技術資産の全体像を表す。